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ST5771-1
分立功率&信号
技术
ST5771-1
C
BE
TO-92
PNP开关晶体管
该器件是专为高速饱和开关
应用程序在电流为100mA 。从工艺65采购。
见PN4258的特点。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
15
15
4.5
200
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
ST5771-1
350
2.8
125
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
ST5771-1
PNP开关晶体管
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CES
I
CBO
I
CES
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 3.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 100
A,
I
C
= 0
I
C
= 100
A
V
CB
= 8.0 V，I
E
= 0
V
CE
= 8.0 V，I
E
= 0
V
CE
= 8.0 V，I
E
= 0, T
A
= 125
0
C
V
EB
= 4.5 V，I
C
= 0
15
15
4.5
15
10
10
5.0
1.0
V
V
V
V
nA
nA
A
A
基本特征*
h
FE
直流电流增益
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 0.3 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 0.3 V,
T
A
= - 55
°C
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 1.0毫安，我
B
- 0.1毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 1.0毫安，我
B
- 0.1毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
30
15
30
20
0.15
0.18
0.6
0.8
0.95
1.5
V
V
V
V
V
V
150
V
CE（
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE （
SAT
)
基射极饱和电压
0.8
小信号特性
C
cb
C
eb
h
fe
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
小信号电流增益
V
CB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
EB
= 0.5 V ， F = 1.0 MHz的
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V,
F = 100 MHz的
7.0
3.0
3.5
pF
pF
开关特性
t
s
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
贮存时间
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 1.5 V，I
C
= 10毫安
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0 V
I
C
= I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
V
CC
= 1.5 V，I
C
= 10毫安，
I
B1
= 1.0毫安
20
15
10
15
20
20
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
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SSC-HYT654
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操作
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