ST3S01LED
绝对最大额定值
符号
V
BATT
V
收费
V
旗
V
CMD- PWM
V
CMD -MODE
I
开关
电池电压
充电电压（ * ）
(V
收费
- V
BATT
）标志控制电压
PWM电压指令
CMD命令电压
内部开关
最大连续电流
内部开关峰值
当前
T
英镑
T
J
T
AMB
T
AMB
= 85°C ，R
THJ - AMB
= 40 ° C / W
T
AMB
= 30° C，R
THJ - AMB
= 40 ° C / W
T<1ms占空比< 1 ％
R
THJ - AMB
= 40 ° C / W
参数
价值
-0.3 6
-12到16
-0.3至12
-0.3至12
-0.3 5
-0.3 5
-0.3 5
2
3
8
-55到+125
-40到+125
-40至+85
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
°C
°C
°C
V
充电器OK
充电器标志控制电压
V
CMD- REVERSE
反向电压指令
存储温度范围
工作结温范围
工作环境温度范围（如果adeguate
提供散热片）
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作
不是暗示。
（ * ）的I.C.自动关闭时， V
收费
通常达到14V （V
收费
上升沿） ;典型的滞后700mV的（V
收费
下降沿）
热数据
符号
R
THJ情况
参数
热阻结案件
SO-8
10
单位
° C / W
订货代号
TYPE
ST3S01LED
SO- 8裸露焊盘
ST3S01LED
SO- 8裸露焊盘（ T&R ）
ST3S01LED-TR
接线图
（ TOP VIEW ）
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ST3S01LED
引脚说明
引脚n °
1
2
3
符号
V
BATT
名称和功能
4
5
6
电池引脚：当选择反向模式输入引脚;输出引脚时，
充电或预充电模式
CMD -逆向逆向命令引脚：启用反向模式时，连接到正
电压高于1.2V 。逻辑引脚内部下拉。
CMD- PWM
PWM引脚命令：允许控制PWM预充电或充电开关
模式（参照表1对于不同的操作模式） 。逻辑引脚内部
扯了下来。
CMD -MODE
模式命令销：允许（参照预充电和充电模式之间进行切换
经营模式表） 。逻辑引脚内部下拉。
GND
GND引脚
充电器 - 充电器OK -OK输出引脚;开漏N沟道MOSFET，在高
阻抗时，在V
收费
电压低于2.5V和CMD- REVERSE是
低。当反向功能被激活，这个开漏具有相同
在（V信息
收费
-V
BATT
）标志。
旗
V
收费
FLAG引脚（V
收费
-V
BATT
） ：开漏N沟道MOSFET的电流汇
当V
收费
电压比V更高
BATT
.
充电器电源引脚：在选择充电或预充电模式输入引脚;
在反向模式时输出引脚。
7
8
经营模式
CMD- PWM
0
0
1
1
CMD -MODE
0
1
0
1
操作功能选择
预充电模式（默认状态）
充电模式
充电和预充电开关打开
充电和预充电开关打开
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ST3S01LED
I.C.框图
可能的操作模式
五个不同的操作模式，允许：
充电，预充电，反向充电+扭转和
预充电+倒车。这些工作模式可以
可以通过适当地选择所获得的
CMD - REVERSE CMD - PWM和CMD -MODE
（见可能的操作模式表） 。
预充电模式
的预充电功能是由一个由
开关和百毫安电流源，充分
适用于V
收费
高于2.5V 。当
CMD -模式和CMD -PWM不含铅
开关接通时，是通过持有的输入状态
内部下拉电阻。此时使用的
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电池的强烈放电。在这种情况下， V
BATT
可以为空（空电池）和所有输入引脚
不被任何水平保持（因为
微控制器是向下），除了在V
收费
针
这是一个主电源。电流源
提供恒定电流到电池，直到其
电压电平达到所要求的水平允许
启动微控制器（通常为3V） 。该
电流的方向是从V
收费
到V
BATT
。该
反向漏电流时SWICH为ON
必须为空;此可以得到由于内部
电路，开关OFF内部P- MOS的时候
在V
BATT
是比V更高
收费
，无论
在CMD -MODE的状态。预充电功能
还用于调节平均电流。当
ST3S01LED
电池完全充电电流进入电池
没有更比C / 25 （镍氢电池） 。在
责令精细执行此操作，在CMD- PWM引脚
必须驱动用PWM功能（在相同的
时， CMD- MODE必须保持为低） 。税
循环允许调整平均电流需要。
充电模式
在CMD - MODE引脚，高的时候（和CMD -PWM
低） ，处理在充电模式的切换。这
开关允许具有强大的电池充电
电流。这种内部P沟道MOS的下降
非常低（ 200mV的@ 800毫安） ，以便优化
充电的效率。
该开关没有内部保护以防短路
电路和过流条件。
当开关处于ON（ CMD -MODE高
CMD -PWM低时），电流的方向进入芯片
从V
收费
到V
BATT
。反向电流
当开关处于ON必须为空;这是
由一个内部电路的平均值而获得的
OFF开关内部的P - MOS的V时，
BATT
is
比V高
收费
的，不管是什么状态
CMD -MODE 。当CMD - MODE引脚为低电平或
在高阻抗的开关为OFF，而这是对
当该引脚上的信号为高电平。
反向模式
当反向功能通过
CDM- REVERSE针，开关允许供应
配件具有较强的电流。的降
内部P沟道MOS非常低（ 200mV的
@ 800毫安）和交换机的正常工作， V
BATT
高于2.5V 。这使得对能源供应
在V
收费
引脚。当开关处于ON
（ CMD - REVERSE高）电流方向为
该芯片是从V
BATT
到V
收费
.
反向电流（从V
收费
到V
BATT
)
当开关处于ON必须为空;这是
由一个内部电路的平均值而获得的
OFF开关内部的P- MOS的时候
V
收费
是比V更高
BATT
，无论
在CMD - REVERSE的状态。时的水平
CMD - REVERSE引脚为低电平或高阻抗，
该开关为OFF，而它是接通的信号时
在CMD - REVERSE引脚为高电平。
过压保护
此功能允许OFF举行的开关
当V的电压电平
BATT
比更高
无论是价值最大电压
CMD -PWM ， CMD模式和CMD - REVERSE 。
此最大电压显示在电
特性（典型的阈值5.7V ） 。从
矩，其中ovprotection被激活时，它
将有可能再次仅开关TURM开
当V
收费
值向下降低到2.5V
典型地，这并不重要的操作模式是
选择。只有当保护工作
电池在充电或预充电模式，即
V
收费
＆ GT ; V
BATT
.
这表示，事实上，典型的应用
调节，其中所述电池可以提高其
值，即当充电或预充电模式是
使用。
充电器检测模式
此功能允许以产生数字信号
（充电器-行） ，以指示是否在V
收费
电压低于2.5V和反向更高
功能无效。此功能允许
确定充电器存在与否;如果
V
收费
比2.5V低，则
充电器OK进入高阻抗（开路
漏） 。当反向功能被激活，这个
开漏有V
收费
-V
BATT
信息。
该电路是直接从V提供
收费
针
和仅适用于V
收费
比2.2V高。
V
收费
-V
BATT
检测模式
此功能允许以产生数字信号
(V
收费
-V
BATT
）标志，以指示如果在V
收费
电压比V更高
BATT
;如果在V
收费
is
比V低
BATT
这漏极开路进入
高阻抗状态。该电路是直接
从V提供
收费
引脚只为工作
V
收费
比2.2V高。
热保护
内部热关断电路将切换
关的P_MOS ，仅在预充电或充电
模式中，结温达到时
典型地180℃。这已得到落实
为了保护设备的超刻。 20℃
热滞后的将避免热
振荡。
这个电路从V供给
收费
和，所以，
仅作用于在预充电和充电开关。
ESD保护
双方V
收费
和V
BATT
引脚保护
防止静电放电可达± 4KV （ HBM ，
MIL STD 833D 。
充电电压
V
收费
功能操作范围为2.5V
至12V 。在V
收费
= 14V典型的I.C.是
自动关闭并保持关闭状态达
16V 。 A V
收费
电压高于16V可
损坏IC 。
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