ST3M01
绝对最大额定值
符号
V
IN
V
SHDN
V
LX
V
LBO
I
LBO
T
英镑
T
op
关断输入电压
开关电压
低电池输出电压
电池电量低输出最大电流
存储温度范围
工作结温范围
参数
直流输入电压（无论IN_Linear和IN_SW ）
价值
-0.3 7
-0.3到V
IN
+0.3
-0.3 7
-0.3 7
-0.3 7
30
30
-65到+150
-40至+85
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
°C
°C
V
Virtual_GND
虚拟GND输出电压
I
Virtual_GND
虚拟GND输出最大电流
热数据
符号
R
THJ - AMB
参数
热阻结到环境（ * ）
价值
160
单位
° C / W
订购代码
TYPE
ST3M01D
ST3M01DTR
包
SO-14
SO- 14 （带&卷）
评论
50份每每盒管/ 20管
每卷2500件
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ST3M01
接线图
（ TOP VIEW ）
引脚说明
引脚n °
1
2
3
4
5
6
7
符号
GND SW
GND SW
虚拟GND
LBO
V
REF
线性
输出L
B
名称和功能
开关接地。必须是低阻抗;直接焊接到地平面
开关接地。必须是低阻抗;直接焊接到地平面
虚拟GND 。开漏N Cnannel MOSFET ：必须在高阻抗
检测电池电量不足。
电池低电量输出。开漏N Cnannel MOSFET ：吸收电流时，
输入电压低于2V典型。
参考电压输出。旁路0.1
F
改善线性电源V
REF
热噪声性能
.
线性输入。必须与SW的输入电源togheter连接。
B类线形输出端口。 1.9V典型。
8
9
10
11
12
13
14
SHDN
GND信号
输出L
A
输出DC / DC
在SW
LX
LX
关断输入。禁止SMPS和
L
A
输出，但
L
B
中，
referencevoltage和低batery比较器保持激活状态。
信号地。必须与开关接地togheter连接。
线性A输出端口。 3V典型。
DC / DC输出端口： 3.3V典型。
SMPS的输入。必须连接togheter与IN_Linear到输入电源。
1.5A的N沟道功率MOSFET的漏极。
1.5A的N沟道功率MOSFET的漏极。
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ST3M01
电气特性
（除非另有说明，请参考典型操作
circut的PAG 1的外部元件值和连接。除非另有说明
V
SHDN
=高）
符号
V
I
V
O（ DC / DC ）
参数
工作输入电压
DC / DC变换器的输出
电压（测试电路A）
2.24<V
IN
<3.3V;
0<I
O（ LA ）
<20mA;
-40 <牛逼
J
< 85°C
0<I
O（ DC / DC ）
<200mA;
0<I
O（ LB ）
<20mA;
测试条件
分钟。
1.9
3.2
3.3
典型值。
马克斯。
3.3
3.415
单位
V
V
½
V
O（ LA ）
DC / DC转换器工作功率V
IN
=2.4V;
I
O（ DC / DC ）
=100mA;
I
O（ LA ）
= 0毫安;我
O（ LB ）
= 0毫安;牛逼
J
= 25°C
线性A输出电压
（测试电路A）
B类线形输出电压
（测试电路A）
线性A热输出
噪声电压（注2 ）
B类线形热输出
噪声电压（注2 ）
静态电流关
模式的DC / DC & L
A
关闭L
B
ON ） （测试电路E）
静态电流关
模式（直流/直流& L
A
关闭L
B
ON ） （测试电路F）
DC / DC电源电流
（测试电路B）
线性静态电流
（测试电路C）
2.24<V
IN
<3.3V;
0<I
O（ LA ）
<20mA;
-40 <牛逼
J
＆ LT ; 85°C
2.24<V
IN
<3.3V;
0<I
O（ LA ）
<20mA;
-40 <牛逼
J
＆ LT ; 85°C
0<I
O（ DC / DC ）
<200mA;
0<I
O（ LB ）
<20mA;
0<I
O（ DC / DC ）
<200mA;
0<I
O（ LB ）
<20mA;
2.93
87
3
3.09
%
V
V
O（ LB ）
1.86
1.9
1.955
V
e
N（ LA ）
V
IN
=2.4V;
V
O（ DC / DC ）
=3.5V;
I
O（ LA ）
=20mA;
10 < F < 80KHZ ;
C
O（ LA ）
= 1μF ;
REF
= 0.1μF ;牛逼
J
= 25°C
V
IN
=2.4V;
V
O（ DC / DC ）
=3.5V;
I
O（ LB ）
=20mA;
10 < F < 80KHZ ;
C
O（ LB ）
= 1μF ;
REF
= 0.1μF ;牛逼
J
= 25°C
V
IN
=3.3V;
T
J
= 25°C
V
IN
=1.9V;
T
J
= 25°C
V
IN
=2.24V;
无负载;
V
SHDN
=低;
60
V
RMS
e
N（ LB ）
35
V
RMS
I
Q（ OFF）
75
A
I
Q（ OFF）
无负载;
V
SHDN
= HIGH ;
50
A
I
S（直流/直流）
I
Q（ LA ）
I
Q（ LB ）
无负载;
T
J
= 25°C
100
220
75
1.96
2
150
10
0.4
1.5
0.6
9
2.04
200
A
A
A
V
mV
V
V
ms
V
IN
=2.24V; V
O（ DC / DC ）
=3.5V;
I
O（ LA ）
= 10毫安;牛逼
J
= 25°C
B类线形静态电流V
IN
=2.24V; V
O（ DC / DC ）
=3.5V;
（测试电路C）
I
O（ LB ）
= 10毫安;牛逼
J
= 25°C
低电池电量检测
V
SHDN
=高与下降沿
V
BATT
范围
V
BATT （ HYS ）
低电池电量检测
Hysteresys
R
ON （ LBO ）
LBO
DSON
V
IN
=1.9V;
I
D
=5mA;
T
J
= 25°C
V
ih
V
il
T
on
控制输入逻辑低
控制输入逻辑高
定时器在响应时间
在直流/直流
V
IN
>2.24V;
V
IN
>2.24V;
-40 <牛逼
J
＆ LT ; 85°C
-40 < TJ < 85°C
V
IN
=2.4V;
C
O
= 100μF ;牛逼
J
= 25°C
I
O（ DC / DC ）
=200mA
V
SHDN
=从GND到V
SHDN （MAX）中
V
IN
>2.24V;
I
D
=5mA;
T
J
= 25°C
R
ON （ V_GND ）
虚拟接地导通电阻
10
注1 ：对于V
IN
< 1.9V的V
O（ LB ）
是走出调控，因为辍学情况下
注2 ： V
O（ DC / DC ）
=外部直流电源，以避免开关噪声3.5V力
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