N沟道增强型MOSFET
ST3406
5.4A
描述
ST3406是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，它是
生产采用高密度， DMOS沟道技术。这种高密度的工艺
特别是针对减少通态电阻。这些器件特别
适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑的电源
管理，其他电池供电的电路，并且低线的功率损耗是必需的。
该产品是在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
引脚配置
SOT-23-3L
特征
30V / 5.4A ，R
DS （ ON）
= 26mΩ （典型值）。
@V
GS
= 10V
30V / 4.6A ，R
DS （ ON）
= 36mΩ
@V
GS
= 4.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
呈导通电阻和最大
DC电流能力
SOT- 23-3L封装设计
3
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
3.Drain
最热
SOT-23-3L
3
A6YA
1
Y：年份代码
2
答：周码
订购信息
产品型号
ST3406S23RG
包
SOT-23-3L
最热
A6YA
※
本周代码代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）
※
ST3406S23RG
S23 ： SOT- 23-3L ; R：带卷轴; G：铅 - 免费
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120宾利广场，加州山景城94040 USA
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ST3406 2006 V1
N沟道增强型MOSFET
ST3406
5.4A
ABSOULTE最大额定值
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏CurrentTJ = 150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
Storgae温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70
℃
T
A
=25℃
T
A
=70
℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
30
±
20
5.4
3.2
25
1.7
2.0
1.3
150
-55/150
90
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃
/W
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N沟道增强型MOSFET
ST3406
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电气特性
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
最小典型最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
DS
= VGS ，我
D
=250uA
V
DS
=0V,V
GS
=
±
20V
V
DS
=24V,V
GS
=0V
V
DS
=24V,V
GS
=0V
T
J
=55
℃
V
DS
≧
5V,V
GS
=4.5V
V
GS
=10V,I
D
=4.0A
V
GS
=4.5V,I
D
=3.6A
V
DS
=4.5V,I
D
=5.4A
I
S
=1.7A,V
GS
=0V
30
1.0
3.0
±
100
1
10
10
26
36
V
V
nA
uA
A
33
41
m
Ω
S
12
0.8
1.2
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
V
DS
=15V
V
GS
=10V
I
D
6.7A
V
DS
=15V
V
GS
=0V
F=1MH
z
V
DD
=15V
R
L
=15
Ω
I
D
=1.0A
V
根
=10V
R
G
=6
Ω
10
1.6
3.1
450
240
38
7
10
20
11
18
nC
pF
15
20
40
20
nS
t
D（关闭）
tf
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N沟道增强型MOSFET
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典型CHARACTERICTICS
(25
℃
除非另有说明）
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典型CHARACTERICTICS
（ 25℃除非另有说明）
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