【P沟道阳城模式MOSFET-1.7A描述ST2303该ST2303是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管】,IC型号ST2303,ST2303 PDF资料,ST2303经销商,ic,电子元器件-51电子网

P沟道阳城模式MOSFET

-1.7A

描述

ST2303

该ST2303是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管

生产采用高密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。

这些装置特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和

笔记本电脑的电源管理和其他面糊供电的电路，以及低线

需要在一个非常小的outine表面功率损耗贴装封装。

引脚配置

SOT-23-3L

特征

30V / -2.6A ，R

DS （ ON）

= 130米欧姆

1.Gate

2.Source

3.Drain

@VGS = -10V

-30V / -2.0A ，R

DS （ ON）

= 180米欧姆

@VGS = -4.5V

超高密度电池设计

非常低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大

DC电流能力

SOT- 23-3L封装设计

S03YA

S：分包商

Y：年份代码

W：进程代码

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P沟道阳城模式MOSFET

-1.7A

ST2303

ABSOULTE最大额定值

（ TA = 25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（ TJ = 150

℃

) T

=25℃

=70

℃

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

Storgae温度范围

热阻，结到环境

=25℃

=70

℃

符号

DSS

GSS

英镑

典型

-30

+20

-2.6

-2.0

-10

-1.25

1.25

0.8

150

-55/150

100

单位

℃

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-1.7A

ST2303

电气特性

（ TA = 25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

QGS

QGD

西塞

科斯

CRSS

=-15V,V

=-10V

≡

-1.7A

=-15V,V

=0V

F=1MHz

5.8

0.8

1.5

226

符号

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

条件

=0V,I

=-10uA

最小典型最大单位

-30

-3.0

= -250uA -1.0

=0V,V

=+20V

=-30V,V

=0V

=-30V,V

=0V

=55

℃

≦

-5V,V

=-10V

=-10V,I

=-2.6A

=-4.5V,I

=-2.0A

=-10V,I

=-1.7V

=-1.25A,V

=0V

100 nA的

-1

-10

-6

0.095 0.130

0.125 0.180

2.4

-0.8 -1.2

20纳秒

D（上）

D（关闭）

=-15V,R

=15

=-1.0A,V

根

=-10V

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SOT- 23-3L封装外形图

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ST2303

典型CHARACTERICTICS

(25

℃

除非另有说明）

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