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P沟道阳城模式MOSFET
-2.8A
描述
ST2301
该ST2301是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
生产采用高密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。
这些装置特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和
笔记本电脑的电源管理和其他面糊供电的电路，以及低线
需要在一个非常小的outine表面功率损耗贴装封装。
引脚配置
SOT-23-3L
3
特征
-
20V / -2.8A ，R
DS （ ON）
= 120米欧姆
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
3.Drain
@VGS = -4.5V
-20V / -2.0A ，R
DS （ ON）
= 170米欧姆
@VGS = -2.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
呈导通电阻和最大
DC电流能力
SOT- 23-3L封装设计
3
S01YA
1
2
答：处理代码
S：分包商Y：年份代码
STANSON科技
120宾利广场，加州山景城94040 USA
电话： （ 650 ） 9389294传真： （ 650 ） 9389295
第1页
P沟道阳城模式MOSFET
-2.8A
ST2301
ABSOULTE最大额定值
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（ TJ = 150
℃
) T
A
=25℃
T
A
=70
℃
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
Storgae温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70
℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θ
JA
典型
-20
+12
-2.5
-1.5
-10
-1.6
1.25
0.8
150
-55/150
120
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃
/W
STANSON科技
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第2页
P沟道阳城模式MOSFET
-2.5A
ST2301
电气特性
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
Qg
QGS
QGD
西塞
科斯
CRSS
V
DS
=-6V,V
GS
=-4.5V
I
D
≡
-2.8A
V
DS
=-6V,V
GS
=0V
F=1MHz
5.8
0.85
1.7
415
223
23
13
36
42
34
10
nC
符号
条件
最小典型最大单位
-20
-1.5
V
V
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
V
DS
=V
GS
,I
D
= -250uA -0.45
V
DS
=0V,V
GS
=+8V
V
DS
=-30V,V
GS
=0V
V
DS
=-30V,V
GS
=0V
T
J
=55
℃
V
DS
≦
-5V,V
GS
=-4.5V
V
DS
≦
-5V,V
GS
=-2.5V
V
GS
=-4.5V,I
D
=-2.8A
V
GS
=-2.5V,I
D
=-2.0A
V
DS
=-5V,I
D
=-2.8V
I
S
=-1.6A,V
GS
=0V
100 nA的
-1
-10
-6
-3
uA
A
0.09 0.12
Ω
0.145 0.17
6.5
S
-0.8 -1.2
V
g
fs
V
SD
pF
25
60纳秒
70
60
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=-6V,R
L
=6
Ω
I
D
=-1A,V
根
=-4.5V
R
G
=6
Ω
STANSON科技
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第3页
P沟道阳城模式MOSFET
-2.5A
SOT- 23-3L封装外形图
ST2301
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第4页
P沟道阳城模式MOSFET
-2.5A
ST2301
典型CHARACTERICTICS
(25
℃
除非另有说明）
第5页
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