ST2300SRG
N沟道增强型MOSFET
6.0A
描述
该ST2300SRG是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
生产采用高密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于减小导通状态resistance.These设备
特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本
电脑的电源管理和其他面糊供电电路和低线的功率损耗
都需要在一个非常小外形表面安装封装。
引脚配置
SOT-23
特征
20V / 6.0A ，R
DS （ ON）
= 35米（典型值）。
@V
GS
= 10V
20V / 5.0A ，R
DS （ ON）
= 48m
@V
GS
= 4.5V
20V / 4.5A ，R
DS （ ON）
= 90m
@V
GS
= 2.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
出色的导通电阻和
最大直流电流能力
SOT- 23封装设计
3.Drain
3
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
最热
SOT-23
3
42YA
1
Y：年份代码
2
答：处理代码
订购信息
产品型号
ST2300SRG
包
SOT-23
最热
42YA
※
过程代码： AZ ; AZ
※
ST2300SRG ; S： SOT23 R：带卷轴; G：铅 - 免费
1
ST2300SRG 2005 V1
86-755-83468588 86-755-83755599
ST2300SRG
N沟道增强型MOSFET
6.0A
ABSOULTE最大额定值（Ta = 25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（ TJ = 150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70
℃
T
A
=25℃
T
A
=70
℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
20
±
12
6.0
3.0
10
1.0
1.25
0.8
150
-55/150
140
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃
/W
2
ST2300SRG 2005 V1
86-755-83468588 86-755-83755599
ST2300SRG
N沟道增强型MOSFET
6.0A
电气特性
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
符号
条件
民
典型最大单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
V
DS
=0V,V
GS
=
±
20V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
20
0.4
1.2
±
100
1
10
0.035
0.048
0.090
V
V
nA
I
DSS
V
DS
=20V,V
GS
=0V
T
J
=85
℃
V
GS
=
10V,I
D
=6.0A
V
GS
=
4.5V,I
D
=5.0A
V
GS
=2.5V,I
D
=4.5A
V
DS
=15V,I
D
=5.0A
I
S
=1.7A,V
GS
=0V
uA
漏源导通电阻
转发Tranconductance
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Ω
S
1.2
V
30
0.9
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
V
DS
=10V
V
GS
=4.5V
I
D
≡
5A
V
DS
=10V
V
GS
=0V
F=1MH
z
V
DD
=10V
R
L
=10
Ω
I
D
=1A
V
根
=4.5V
R
G
=6
Ω
10
1.4
2.1
600
120
100
15
40
45
30
13
nC
pF
25
60
65
40
nS
打开-O FF时间
t
D（关闭）
tf
3
ST2300SRG 2005 V1
86-755-83468588 86-755-83755599
ST2300SRG
N沟道增强型MOSFET
6.0A
典型CHARACTERICTICS
(25
℃
除非另有说明）
4
ST2300SRG 2005 V1
86-755-83468588 86-755-83755599
ST2300SRG
N沟道增强型MOSFET
6.0A
典型CHARACTERICTICS
（ 25 ℃除非另有说明）
5
ST2300SRG 2005 V1
86-755-83468588 86-755-83755599
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