【N沟道增强型MOSFETST23004A描述该ST2300是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管生产采用】,IC型号ST2300,ST2300 PDF资料,ST2300经销商,ic,电子元器件-51电子网

N沟道增强型MOSFET

ST2300

描述

该ST2300是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管

生产采用高密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于减小导通状态resistance.These设备

特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本

电脑的电源管理和其他面糊供电电路和低线的功率损耗

都需要在一个非常小外形表面安装封装。

引脚配置

SOT-23-3L

特征

20V / 6.0A ，R

DS （ ON）

= 22MΩ （典型值）。

= 10V

20V / 5.0A ，R

DS （ ON）

= 26mΩ

= 4.5V

20V / 4.5A ，R

DS （ ON）

= 29mΩ

= 2.5V

20V / 4.0A ，R

DS （ ON）

= 35mΩ

= 1.8V

超高密度电池设计

非常低R

DS （ ON）

出色的导通电阻和

最大直流电流能力

SOT- 23-3L封装设计

1.Gate

2.Source

3.Drain

最热

SOT-23-3L

42YA

Y：年份代码

答：处理代码

订购信息

产品型号

ST2300S23RG

包

SOT-23-3L

最热

42YA

※

过程代码： AZ ; AZ

※

ST2300S23RG ; S23 ： SOT23-3L R：带卷轴; G：铅 - 免费

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ST2300 2005 V1

N沟道增强型MOSFET

ST2300

ABSOULTE最大额定值（Ta = 25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（ TJ = 150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

=25℃

=70

℃

=25℃

=70

℃

符号

DSS

GSS

英镑

θJA

典型

4.0

3.0

1.0

1.25

0.8

150

-55/150

140

单位

℃

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ST2300 2005 V1

N沟道增强型MOSFET

ST2300

电气特性

（ TA = 25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅压漏

当前

通态漏电流

符号

条件

最小典型最大单位

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

=0V,I

=250uA

=0V,V

20V

=20V,V

=0V

=20V,V

=0V

=85

℃

≧

5V,V

=4.5V

10V,I

=6.0A

4.5V,I

=5.0A

=2.5V,I

=4.5A

=1.8V,I

=4.0A

=15V,I

=5.0A

=1.7A,V

=0V

0.4

1.0

100

0.022

0.026

0.029

0.035

漏源导通电阻

DS （ ON）

转发Tranconductance

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

0.9

1.3

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

=10V

=4.5V

=10V

=0V

F=1MH

=10V

=10

=1A

根

=4.5V

1.4

2.1

600

120

100

D（关闭）

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ST2300 2005 V1

N沟道增强型MOSFET

ST2300

典型CHARACTERICTICS

(25

℃

除非另有说明）

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联系人：朱

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