SaRonix
压控晶体振荡器
技术参数
频率范围：
频率稳定度：
3.3 & 5V ， LVCMOS / LVTTL
Sx1310 / Sx1319 / Sx1510 / Sx1519系列
32 MHz至125 MHz的
± 25或± 50 ppm，在所有条件：工作温度，
电压变化，负载变化，校准公差，采用V
C
= 2.5V @ 5V ，VC = 1.65V @ 3.3V
@ 40 ° C： ± 10 ppm的最大值为5年或± 12 ppm的最高10年
老化：
温度范围：
操作：
储存：
电源电压：
推荐工作：
实际尺寸
0至+ 70 ° C或-40 + 85°C
-55到+ 125°C
5伏±5％或3.3V±10 ％
描述
压控晶体振荡器
具有宽范围的性能OP-的
系统蒸发散至125MHz 。这些器件封装
年龄在任一标准的14针或8针
DIP兼容所有的金属，耐
焊接封装用于商业或IN-
dustrial温度范围内的应用程序。
真正的SMD DIL14版本IR回流焊
有部分可供选择的选项"S"
数生成器。请参见单独的数据表
对于SMD封装尺寸。
应用&特点
中遇到的锁相环
电信，网络和无线数据，并
在视频处理应用
LVCMOS ， LVTTL兼容
三态可选项
输出波形
CMOS
T
r
1级
80%V
DD
50%V
DD
20%V
DD
0级
GND
对称
T
f
V
DD
电源电流：
32至70 MHz的：
70 + 125 MHz的：
输出驱动器：
对称性：
最大50mA ，最大35mA @ 3.3V
65毫安最大，最大35mA @ 3.3V
上涨&下降时间：
逻辑0 ：
逻辑1 ：
负载：
抖动：
拉特点：
输入阻抗：
频率响应（ -3dB ） ：
Pullability ：
控制电压：
传递函数为：
线性：
中心控制电压：
相位噪声：
3.3V ： 55分之45 ％最大@ 50 ％V
DD
为0 70℃ ，
3.3V 40 /60％最大@ 50 ％V
DD
为-40至+ 85°C
5.0V ： 55分之45 ％最大@ 50 ％V
DD或
六十零分之四十〇 ％最大@ 1.4V TTL电平
4ns的最大值：20％ 80 ％的V
DD
1.5ns最大： 0.5V至2.5V只@ 5V TTL
0.5V最大@ 5V或20 ％V
DD
最大@ 3.3V
2.5V分@ 5V或80 ％V
DD
分@ 3.3V
5V ： 5TTL或50pF的， 32至50兆赫
5V ： 5TTL或30pF的50+至125MHz
3.3V ： 30pF的高达80MHz ， 95Ω AC高达125 MHz
20ps的最大RMS周期抖动
50KΩ分钟
50千赫分钟
± 25 ，± 50 ，± 75 ， ±100 ppm的四月*
0.5 4.5 V @ 5V或0.3 3.0V @ 3.3V
频率增加，当控制电压升高
5％或10 ％以下
2.5V @ 5V, 1.65V @ 3.3V
-95 DBC （典型值） / Hz的@ 100Hz的
-110 DBC （典型值） / Hz的@ 1kHz时
-100 DBC （典型值） /赫兹@ 10kHz的
机械：
冲击：
可焊性：
终端强度：
振动：
耐溶剂性：
耐焊接热：
MIL -STD -883方法2002年，条件B
MIL -STD -883方法2003
MIL- STD- 202方法211 ，条件B2
MIL -STD -883方法2007 ，条件A
MIL- STD- 202方法215
MIL- STD- 202方法210 ，条件A ， B或C
（ i或j的鸥翼）
环境：
总泄漏测试：
精细泄漏测试：
热冲击：
防潮性：
MIL-STD-883,
MIL-STD-883,
MIL-STD-883,
MIL-STD-883,
法
法
法
法
1014 ，条件C
1014 ，成色A2
1011 ，条件A
1004
*
年利率= （ VCXO拉相对于指定的输出频率）
–
（ VCXO频率稳定度）
注： APR是包容性衰老
DS-162
REV ê
SaRonix
141杰斐逊驱动门洛帕克， CA 94025 美国 650-470-7700 800-227-8974 传真650-462-9894
SaRonix
压控晶体振荡器
技术参数
包详细信息
全尺寸封装
21.0最大
.825
5.08
最大
.200
0.91
.036
3.3 & 5V ， LVCMOS / LVTTL
Sx1310 / Sx1319 / Sx1510 / Sx1519系列
品名指南
SaRonix
T =三态
空白=无三态
系列
131 = 3.3V
151 = 5.0V
包装尺寸
0 =全尺寸
9 =半长
稳定公差
A = ± 25 ppm时， 0 70℃
B = ± 50ppm时， 0到70℃
E = ± 50 PPM ， -40 + 85°C
Pullability （ APR分
*
)
A = ± 50 ppm的
B = ±100 ppm的
G = ± 25 ppm的
H = ± 75 ppm的
注： APR是包容性衰老
S T
151 0 B A B的J - 60.0000 （T ）
包装方法
（T ） =卷&卷轴SMD版本，
只有完整卷轴增量， 200张（全
大小）或250PCS （半尺寸）
空白=散装
频率（MHz）
引线型
空白=通孔
J =鸥翼型
S =真SMD变压器为全尺寸
包，请参阅单独的数据表
尺寸
线性
A = 5%
B = 10%
4.85±.25
.191±.01
3.94±.25
.155±.010
15.24±.13
.600±.005
12.2±.13
.480±.005
.46±.05
.018±.002
3脚
销1
7针
4.57±.13
.18±.005
13.0
.510
最大
引脚14
引脚功能：
（ 4）玻璃
绝缘子
引脚12
引脚8
7.62±.13
.300±.005
引脚1 ：控制电压
引脚3 ：三态控制
（仅三州版）
引脚7 ： GND /箱（V
SS
)
引脚8 ：输出
引脚12 ：N / C
（仅三州版）
引脚14 ：直流电压（V
DD
)
*
年利率= （ VCXO拉相对于指定的输出频率）
–
（ VCXO频率稳定度）
三态逻辑表
3脚输入
逻辑1或NC
逻辑0或GND
8脚输出
振荡
高阻抗
所需的输入电平的引脚3 ：
逻辑1 = 3.0 V分钟
逻辑0 = 0.3V最大
评分标准格式
包括日期码，频率&型号
SaRonix
VCXO
表示引脚1
半尺寸封装
13.0
最大
.510
10.87
最大
.428
0.91
最大
.036
5.08
最大
.200
6.86
.270
7.62±.20
.300±.008
引脚4
GND案例（V
SS
)
测试电路
mA
M
TEST
点
引脚14 （ 8 ）
V
DD
动力
供应
VM
引脚1 （ 1 ）
*
OUT
GND
引脚7 （ 4 ）
C
L
= 30pF的或50pF的
（注一）
振荡器
引脚8 （ 5 ）
图1
30pF的或50pF的负载
.46±.08
.018±.003
销1
控制电压
1.5
.059
13.0
.510
最大
120°
120°
120°
7.62±.20
.300±.008
控制电压
图2
TTL负载
5脚
产量
引脚8
V
DD
1.5
.059
6.0
.236
mA
M
TEST
点
引脚14 （ 8 ）
V
DD
OUT
C
L
= 15pF的
（注一）
引脚7 （ 4 ）
振荡器
N / C GND
引脚1 （ 1 ）
*
引脚8 （ 5 ）
R
L
= 780
评分标准格式
包括日期码，频率&型号
SaRonix
动力
供应
VM
MMDB7000
或E.T.模式
注一： CL包括探针和夹具电容
表示引脚1
规模：无（在外形尺寸
mm
)
英寸
*
(
）表示半尺寸封装引脚数
所有特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
控制电压
DS-162
REV ê
SaRonix
141杰斐逊驱动门洛帕克， CA 94025 美国 650-470-7700 800-227-8974 传真650-462-9894
SaRonix
真正的SMD适配器 - 7.57毫米高
技术参数
REV A
SaRonix
141杰斐逊驱动门洛帕克， CA 94025 美国 650-470-7700 800-227-8974 传真650-462-9894
QQ：2880707522 复制
