产品说明
斯坦福Microdevices的SSW - 508是一款高性能
砷化镓场效应晶体管的MMIC开关
容纳在一个低成本的表面贴装8引脚小型
塑料封装。
这单刀单掷，无反射开关
超过50uA的消耗更少，工作频率为-5V和0V的
控制偏差。的P1dB在-5V为+ 25dBm的典型，可以是
增加至+ 28dBm的与-8V电源。
该芯片采用0.5微米FET工艺与制造
镀金和氮化硅钝化实现
优异的性能和可靠性。
SSW-508
DC - 4 GHz的砷化镓MMIC
SPST开关
隔离与频率的关系
V
控制
= -5 V
-20
-30
dB
-40
-50
-60
D
C
1
2
3
4
产品特点
高隔离度： 40分贝为1GHz， 30分贝在2GHz
低DC功耗
低插入损耗： 1.0分贝在2GHz
不反光
低成本小外形塑料封装
应用
模拟/数字无线通信
AMPS ， PCS ， DEC和GSM频段
开关
GHz的
在大电气规格= 25℃
SYM BOL
在秒。
P arame印机&牛逼EST OND ITIO NS ：
Z
0
= 5 0 O ^ h米每秒V = -5 V
在发E TIO N 1。· S S小
F = 0 0.0 5 -1 0.0摹
F = 1 0.0 0 -2 0.0摹
F = 2 0.0 0 -4 0.0摹
F = 0 0.0 5 -1 0.0摹
F = 1 0.0 0 -2 0.0摹
F = 2 0.0 0 -4 0.0摹
F = 0 0.0 5 -2 0.0摹
F = 2 0.0 0 -4 0.0摹
F = 0 0.0 5 -2 0.0摹
F = 2 0.0 0 -4 0.0摹
V = -5 V
V = -8 V
V = -5 V
V = -8 V
加利其
dB
dB
dB
dB
dB
dB
35
25
M IN 。
TY页。
0 .8
1 .0
1 .2
45
35
30
1 .3
1 .7
1 .3
1 .7
+25
+28
+44
+47
40
10
M AX 。
1 .2
1 .4
是O升。
为O LA TIO N
罗恩VSW
在P ü吨& O u那样TP ü T·V·S W R
（O N 2 O 罗瓦特LO S S Sたて）
在P ü吨& O u那样TP ü T·V·S W R
（O FF R I S 0升的T E D S T一T E ）
1 D B C 0 M·P S S小IO N A吨2 0.0摹
-
-
-
-
DBM
DBM
DBM
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uA
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P
1dB
T O服务IP
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为W
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522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.stanfordmicro.com
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SSW- 508 DC- 4 GHz的砷化镓MMIC SPST开关
绝对最大额定值
RF输入P奥尔
德VIC ê卷踏歌
操作
TE米P·E·R的T ü
存储
TE米P·E·R的T ü
吨他RM人 ESIS TA NCE
2W M ax>500MHz
-10V
-4 5℃至8 5C
真值表
V1
V2
J1-J2
J1-J3
-5
0
0
-5
低损耗
是OLAT离子
是OLAT离子
低损耗
5℃ -6到1 50℃
20度C / W
引脚输出
针
功能
开关原理
1
2
3
4
5
6
7
8
J1
V1
V2
GND
J2
GND
GND
GND
开关
插入损耗与频率
V
控制
= -5 V
0.0
-0.5
在端口输入/输出VSWR与频率的关系
V
控制
= -5 V
2.0
1.8
1.6
dB
-1.0
-1.5
-2.0
DC
1
2
3
4
5
6
1.4
1.2
1.0
DC
1
2
3
4
5
6
GHz的
GHz的
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