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SSTUM32865
1.8 V 28位1 : 2注册奇偶校验的DDR2-800缓存
RDIMM应用
版本01 - 2007年9月19日
产品数据表
1.概述
该SSTUM32865是1.8 V 28位1 : 2的寄存器具体来说设计用于在两个级别
四( 2R
×
4)和类似的高密度的双数据速率2(DDR2 )存储器模块。它
在功能上的JEDEC标准14位DDR2寄存器相似,但集成
的正常功能需要两个寄存器在单个封装中,从而释放了
板房地产和促进路由,以适应高密度的双列直插式
内存模块( DIMM )的设计。
该SSTUM32865还集成了一个奇偶校验功能,它接受一个奇偶校验位来自
存储器控制器,将其与在D输入端接收的数据和指示
是否已出现其漏极开路PTYERR销(低电平有效)上的奇偶校验错误。
它还提供增加的功能在JEDEC标准注册的,因为它是永久的
CON连接gured高输出驱动强度。这使得在高密度应用设计
比正常的净载荷条件较重。此外, SSTUM32865有两个
额外的片选输入,可以更灵活启用和禁用的密集
填充的内存模块。这两个新增的功能(驱动强度和片选)是
完全向后兼容JEDEC标准寄存器。
该SSTUM32865打包在一个160 -球, 12
×
18格, 0.65毫米焊球间距,超薄廓
音响NE间距球栅阵列( TFBGA )封装,而需要最少其中
9 mm
×
13毫米电路板空间,允许进行适当的信号路由和逃生使用
普通卡技术。
2.特点
I
28位数据寄存器支持DDR2
I
完全符合了SSTUB32865 JEDEC标准
I
支持2级由4个DIMM密度集成两个等同的功能
JEDEC标准DDR2的寄存器(即,2个
×
SSTUB32864或2
×
SSTUB32866)
I
横跨22个输入数据位奇偶校验功能
I
奇偶出的信号
I
控制的多阻抗输出阻抗驱动器允许最佳的信号完整性
与速度
I
达到或超过SSTUB32865 JEDEC标准的高速性能
I
支持多达运行450 MHz的时钟频率
I
永久CON组fi gured高输出驱动
I
经过优化的引脚为高密度的DDR2模块的设计
I
片选通过改变状态数据选通输出功耗降至最低
I
另外两个片选输入允许可选的灵活的启用和禁用
恩智浦半导体
SSTUM32865
1.8 V DDR2-800注册缓冲带奇偶校验
I
I
I
I
I
支持低压CMOS逻辑器件SSTL_18数据输入
差分时钟( CK和CK )输入
支持LVCMOS开关上的控制水平和复位输入
采用1.8 V单电源供电( 1.7 V至2.0 V)
可在160球9毫米
×
13毫米, 0.65毫米间距球TFBGA封装
3.应用
I
400吨/ s至800吨/ s的高密度(例如, 2级4 )的DDR2带寄存器的DIMM
I
DDR2寄存式DIMM ( RDIMM )渴望奇偶校验功能
4.订购信息
表1中。
订购信息
焊接工艺
名字
SSTUM32865ET/G
SSTUM32865ET/S
描述
VERSION
类型编号
无铅(锡银铜焊料球TFBGA160塑料薄科幻NE-间距球栅阵列封装; SOT802-2
化合物)
160球;体9
×
13
×
0.7 mm
无铅(锡银铜焊料球TFBGA160塑料薄科幻NE-间距球栅阵列封装; SOT802-2
化合物)
160球;体9
×
13
×
0.7 mm
4.1订购选项
表2中。
订购选项
上部MARK
SSTUM32865ET
SSTUM32865ETS
温度范围
T
AMB
= 0
°C
+70
°C
T
AMB
= 0
°C
+85
°C
类型编号
SSTUM32865ET/G
SSTUM32865ET/S
SSTUM32865_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
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2 28
恩智浦半导体
SSTUM32865
1.8 V DDR2-800注册缓冲带奇偶校验
5.功能图
( CS ACTIVE )
VREF
Q
22
PARIN
R
奇偶
发电机
检查
SSTUM32865
PTYERR
Q0A
D0
Q
Q0B
R
Q21A
D21
Q
Q21B
R
QCS0A
Q
R
QCS0B
DCS0
CSGateEN
DCS1
DCS2
DCS3
DCKE0,
DCKE1
2
QCS1A
Q
QCS1B
R
Q
R
2
QCKE0A,
QCKE1A
QCKE0B,
QCKE1B
QODT0A,
QODT1A
QODT0B,
QODT1B
DODT0,
DODT1
2
Q
R
2
RESET
CK
CK
002aac647
图1. SSTUM32865的功能图
SSTUM32865_1
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产品数据表
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3 28
恩智浦半导体
SSTUM32865
1.8 V DDR2-800注册缓冲带奇偶校验
6.管脚信息
6.1钢钉
SSTUM32865ET/G
SSTUM32865ET/S
2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
002aac648
球A1
索引区
4
3
5
6
7
8
9
10 12
11
透明的顶视图
图2.引脚CON组fi guration的TFBGA160
SSTUM32865_1
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产品数据表
版本01 - 2007年9月19日
4 28
恩智浦半导体
SSTUM32865
1.8 V DDR2-800注册缓冲带奇偶校验
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
VREF
D1
D3
D6
D7
D11
D18
CSGateEN
CK
CK
RESET
D0
D17
D19
D13
DODT1
DCKE0
VREF
2
北卡罗来纳州
D2
D4
D5
D8
D9
D12
D15
DCS0
DCS1
D14
D10
D16
D21
D20
DODT0
DCKE1
MCL
3
PARIN
北卡罗来纳州
4
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
5
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
6
QCKE1A
QCKE1B
7
QCKE0A
QCKE0B
8
Q21A
Q21B
9
Q19A
Q19B
10
Q18A
Q18B
11
Q17B
QODT0B
QODT1B
12
Q17A
QODT0A
QODT1A
Q20A
Q16A
Q1A
Q2A
Q5A
QCS0A
QCS1A
Q6A
Q10A
Q9A
Q11A
Q15A
Q14A
Q8B
Q8A
002aac650
VDDL
VDDL
VDDL
VDDL
DCS2
GND
DCS3
GND
GND
VDDL
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
VDDL
GND
GND
VDDL
VDDL
VDDL
北卡罗来纳州
VDDL
北卡罗来纳州
VDDR
GND
GND
VDDR
VDDR
GND
VDDR
GND
VDDR
GND
VDDR
GND
GND
VDDR
VDDR
GND
VDDR
GND
VDDR
GND
VDDR
GND
GND
Q20B
Q16B
Q1B
Q2B
Q5B
QCS0B
QCS1B
Q6B
Q10B
Q9B
Q11B
Q15B
Q14B
VDDL
VDDL
VDDR
GND
VDDR
GND
MCL
MCL
PTYERR
北卡罗来纳州
MCH
MCH
Q3B
Q3A
Q12B
Q12A
Q7B
Q7A
Q4B
Q4A
Q13B
Q13A
Q0B
Q0A
160球, 12
×
18格;顶视图。
一个空单元格表示没有球被填充在该网格点。
北卡罗来纳州表示无连接(球存在,但是不连接到模) 。
MCL表示引脚必须连接低电平。
MCH表示引脚必须连接高电平。
图3球的映射
SSTUM32865_1
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5 28
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