SST6301K
公司Bauelemente
640毫安， 30V ，R
DS （ ON）
1.0
Ω
N沟道增强模式电源Mos.FET
SOT-26
描述
0.37Ref.
0.20
0.60参考。
2.60
3.00
该SST6301K utiltzed提前处理技术，实现了最低
可能的导通电阻， extermely有效和具有成本效益的设备。
该SST6301K普遍适用于所有商业工业应用。
0.30
0.55
0.95
REF 。
2.70
3.10
0~0.1
0.25
1.40
1.80
0
o
10
o
1.20Ref.
特点
*
符合RoHS
*
简单的驱动要求
*
封装尺寸小
G1
D1
D2
G2
单位：毫米
D1
6
S1
5
D2
4
日期代码
301E
S1
S2
1
G1
2
S2
3
G2
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@10V
连续漏电流， V
GS
@10V
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ ， TSTG
3
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
C
I
D
@T
A
=70
o
C
I
DM
P
D
@T
A
=25
C
o
o
评级
30
±
16
640
500
950
1.2
0.01
-55~+150
单位
V
V
mA
mA
mA
W
W / C
o
o
C
热数据
参数
热阻结到环境
3
（最大）
符号
Rthj -A
评级
110
o
单位
C / W
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SST6301K
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640毫安， 30V ，R
DS （ ON）
1.0
Ω
N沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性（ TJ = 25℃除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
o
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70
C
)
o
o
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
分钟。
30
_
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V/
o
C
V
uA
uA
uA
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
参考25
o
C，我
D
=
1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250uA
V
GS
=
±
16V
V
DS
=30V,V
GS
=0
V
DS
= 24V,V
GS
=0
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA
0.06
_
_
_
_
0.5
_
_
_
_
1.5
±
10
1
100
1
2
3
1.6
_
_
_
_
_
_
_
_
_
1
0.5
0.5
12
10
56
29
32
8
6
600
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
_
_
Ω
V
GS
= 4.5V ，我
D
=400mA
V
GS
= 2.7V ，我
D
=200mA
I
D
=600mA
V
DS
=50V
V
GS
=4.5V
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
nC
V
DD
= 30V
I
D
= 600毫安
nS
V
GS
=10V
R
G
=3.3
Ω
R
D
=52
Ω
50
_
_
pF
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
_
_
mS
V
DS
= 10V ，我
D
=600mA
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
S.D。
分钟。
_
典型值。
_
马克斯。
1.2
单位
V
测试条件
I
S
= 1.2A ，V
GS
=0V.
注： 1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
3.表面装在1 FR4电路板的铜垫; 180
O
安装在分当C / W 。铜垫。
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Ω
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特性曲线
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.正向特性
反向二极管
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图6.栅极阈值电压V.S.
结温
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图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
180
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
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