1兆位串行闪存
SST45LF010
SST45LF0101Mb Serial架构接口闪存
数据表
产品特点：
单3.0-3.6V读写操作
串行接口架构
字节串行读与单个命令
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
- 工作电流10 mA（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
部门或芯片擦除功能
- 统一4K字节扇区
快速擦除和字节编程
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 软件状态
10 MHz的最大时钟频率
硬件复位引脚（ RST ＃ ）
- 重置设备待机模式
CMOS I / O兼容性
硬件数据保护（ WP ＃ ）
- 保护和写入取消保护器件
手术
封装
- 8引脚SOIC （ 4.9毫米x 6mm的）
- 8触点WSON
产品说明
该SST45LF010是1兆位串行闪存制造
捕获的原始图像与SST专有的高性能CMOS
SuperFlash技术。在1兆比特的存储器组织
32个行业的4096个字节。闪速存储器使用3-
线串行接口和芯片使能选择和
顺序地访问其数据。串行接口由
的;串行数据输入（SI ），串行数据输出（SO ），串行时钟
（SCK ）和芯片使能（CE ＃）。一个写保护（ WP ＃ ） inhib-
其从写操作和硬件的整个存储器
复位引脚（ RST ＃ ）复位器件进入待机模式。
该SST45LF010器件采用8引脚SOIC
和8触点WSON封装。参见图1为
引脚排列。
读
读操作从ini-输出该数据，以便
TiAl基访问地址。虽然SCK输入时，地址将
自动递增，直到地址结束（上）
空间（ 1FFFFH ），则内部地址指针自动
matically递增到地址的开始（下）
空间（ 00000H ） ，和数据输出流将继续下去。该
读出的数据流是通过所有地址，直到连续
由低到CE ＃高转换终止。
部门/芯片擦除操作
扇区擦除操作将清除所选的所有位
部门FFH 。芯片擦除指令将清除所有位
该设备为FFH。
设备操作
该SST45LF010使用每个8位的COM总线周期
mands ，数据和地址，以执行操作。该
操作说明，列于表3中。
所有的指令都是同步掀起了由高到低的转变
的CE＃ 。第一个从低到高的转变在SCK将启动
的指令序列。输入将在利培接受
荷兰国际集团SCK的边缘起与最显著位。任何
低输入指令之前高过渡的CE ＃
公司完成将终止正在进行的任何指令，并
该设备返回到待机模式。
字节编程操作
字节编程操作方案中的位
选择字节到期望的数据。所选字节必须
处于已擦除状态（ FFH），启动一个程序时
操作。该数据是从第7位输入到第0位中的顺序。
软件运行状态
状态操作确定擦除或编程
操作正在进行中。如果第0位为“0”擦除或亲
克操作过程中，该设备正忙。如果位0
在一个“1”的设备已准备好为任何有效的操作。该台站
土族读是连续的，持续的时钟周期直到termi-
由低到CE ＃高经过NAT转换。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
2001硅存储技术公司
S71128-03-000 4/01
372
1
1兆位串行闪存
SST45LF010
数据表
RESET
复位将终止任何操作，例如读取，擦除和
节目，正在进行中。它是由高向低转录激活
习得的RST ＃引脚。该器件将保持在复位
条件只要RST ＃低。最小复位时间
10微秒。参见图14复位时序图。 RST ＃为
内部上拉起来，可以保持悬空很好地协同
荷兰国际集团正常运行。复位后，该设备处于待机
模式，高到CE ＃低转换才能启动
接下来的操作。
内部上电复位电路，防止邮轮业咨询委员会
牙科写入数据。施加一个逻辑电平低到RST ＃能很好地协同
荷兰国际集团上电过程然后改变到逻辑电平
高当V
DD
已达到正确的电压电平将
为防止意外写入额外的保护
在电源上。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
字节
制造商ID
器件ID
0000H
0001H
数据
BFH
42H
T1.2 372
写保护
在WP ＃引脚提供了意外的写保护。该
WP ＃引脚必须保持高电平任何擦除或编程操作
通报BULLETIN 。在WP ＃引脚是“不关心”的所有其他操作。
在典型的应用中， WP ＃引脚连接到V
SS
用标
准下拉电阻。 WP ＃然后驱动为高电平时
需要擦除或编程操作。如果WP ＃引脚
被连接到V
DD
用的上拉电阻，那么所有的操作可
发生和写保护功能被禁用。在WP ＃
引脚具有内部上拉，可能仍然悬空
当不使用。
阅读SST ID /读取设备ID
在读SST ID和读取设备ID读取操作的
JEDEC分配的制造商标识和说明书
分配商的设备识别ID 。这些ID可能
用于确定实际设备驻留在系统中。
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
地址
缓冲器
和
锁存器
X - 解码器
超快闪
内存
- 解码器
控制逻辑
I / O缓冲器
和
数据锁存器
串行接口
CE＃
2001硅存储技术公司
SCK
SI
SO
2
WP ＃
RST ＃
372 ILL B1.4
S71128-03-000 4/01
372
1兆位串行闪存
SST45LF010
数据表
WP ＃
VDD
CE＃
SCK
1
2
8
7
RST ＃
VSS
SO
SI
WP ＃
VDD
CE＃
SCK
1
8
RST ＃
VSS
SO
SI
2
7
顶视图
3
4
6
5
顶视图
3
6
4
5
372 ILL F01.6
372 ILL F01a.2
8-
领导
SOIC
8-
联系
WSON
图1 ：P
IN
A
SSIGNMENTS
表2 ：P
IN
D
ESCRIPTION
符号引脚名称
SCK
串行时钟
功能
提供串行接口的定时。命令，地址或输入数据被锁存
在时钟输入的上升沿，而输出数据被移出的下降沿
时钟输入。
到传送命令，地址或数据串联到器件中。输入锁存的
在串行时钟的上升沿。
以串行方式传输数据出器件。
数据被移出在串行时钟的下降沿。
该装置是由高到CE ＃低电平的转换功能。
为了防止意外写入设备（擦除或编程）操作。当WP＃为
低，所有的擦除和编程命令将被忽略。当WP＃为高时，该设备可以是
擦除或编程。该引脚具有内部上拉时能保持悬空
不使用。
高到RST ＃低转换将终止正在进行的任何操作，并复位内部
逻辑到待机模式。该装置将保持在复位状态，只要RST＃是
低。操作时，可能会RST ＃为高电平才会发生。该引脚具有内部上拉，并能
未连接状态时无法使用。
提供电源（ 3.0-3.6V ） 。
T2.5 372
SI
SO
CE＃
WP ＃
串行数据输入
串行数据输出
芯片使能
写保护
RST ＃
RESET
V
DD
V
SS
电源
地
2001硅存储技术公司
S71128-03-000 4/01
372
3
1兆位串行闪存
SST45LF010
数据表
表3 ：D
EVICE
O
PERATION
I
NSTRUCTIONS1
总线周期
2
循环型/
手术
3,4
读
扇区擦除
5
芯片擦除
字节编程
状态寄存器。
读ID
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
1
S
IN
FFH
20H
60H
10H
9FH
90H
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
X
高阻
S
IN
2
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
D
OUT
高阻
S
IN
3
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
记
6
4
S
IN
A
7
-A
0
X
X
A
7
-A
0
X
ID地址
7
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
记
6
5
S
IN
X
D0H
D0H
D
IN
X
X
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
记
6
6
S
IN
X
X
X
X
X
X
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
记
6
记
8
7
S
IN
X
X
X
X
X
X
S
OUT
D
OUT
高阻
高阻
高阻
记
6
记
8
T3.10 372
A
23
-A
16
A
23
-A
16
X
A
23
-A
16
X
00H
A
15
-A
8
A
15
-A
8
X
A
15
-A
8
X
00H
高阻
高阻
D
OUT7
对于SST45LF010 ，A
23
-A
17
是“不在乎。 ”
一个总线周期为8个时钟周期
操作：
IN
=串行输入，S
OUT
=串行输出
X =虚拟周期（不关心）
A
16
-A
12
用于确定扇区地址，甲
11
-A
8
是“不在乎。 ”
状态读是连续的持续的时钟周期，直到被终止低到CE ＃高的转变。
制造商ID = BFH ，读有A
0
= 0和设备ID = 42H ，读有A
0
= 1;所有其它地址位是0
数据输出是任意的。
表4 ：D
EVICE
O
PERATION
T
ABLE
手术
读
扇区擦除
芯片擦除
字节编程
软件状态
RESET
2
阅读SST ID
读取设备ID
SI
X
X
X
D
IN
X
X
X
X
SO
D
OUT
X
X
X
D
OUT
X
D
OUT
D
OUT
CE＃
1
低
低
低
低
低
X
低
低
WP ＃
X
高
高
高
X
X
X
X
RST ＃
高
高
高
高
高
低
高
高
T4.6 372
1.高到CE ＃低电平的转换将需要启动任何设备的操作，除了复位。
2. RST ＃低将返回设备待机和终止正在进行的任何擦除或编程操作。
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372
4
1兆位串行闪存
SST45LF010
数据表
绝对最大极限
（适用条件高于绝对最大的“上市
压力“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些条件或条件高于在该数据的操作部分中定义的
片是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下可能影响器件的可靠性。 ）
高温下的偏差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
直流电压上的任何引脚对地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
任何引脚瞬态电压（ <20 NS）到地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1.0V到V
DD
+1.0V
包装功率耗散能力（ TA = 25 ° C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0W
表面贴装引线焊接温度（ 3秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 240℃
输出短路电流
1
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
1.输出短路因为没有一秒钟以上。不超过一个输出短路的时间。
O
操作摄像机
R
ANGE
范围
广告
环境温度
0 ° C至+ 70°C
V
DD
3.3V±0.3V
AC - C
ONDITIONS
OF
T
美东时间
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5纳秒
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
L
= 30 pF的
参见图2和3
表5 ： DC
操作摄像机
C
极特
V
DD
= 3.0-3.6V
范围
符号
I
DD
参数
电源电流
读
编程和擦除
I
SB
I
LI
I
LO
I
IL
V
IL
V
IH
V
IHC
V
OL
V
OH
待机电流
输入漏电流
输出漏电流
输入低电平电流
1
输入低电压
输入高电压
输入高电压（ CMOS ）
输出低电压
输出高电压
V
DD
-0.2
0.7 V
DD
V
DD
-0.3
0.2
20
30
15
1
1
360
0.8
mA
mA
A
A
A
A
V
V
V
V
V
民
最大
单位
测试条件
F = 10MHz的
CE＃ = V
IL
, V
DD
=V
DD
最大
CE＃ = V
IL
, V
DD
=V
DD
最大
CE＃ = V
IHC
, V
DD
=V
DD
最大
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
WP ＃ ， RST ＃ = GND
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 100 μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -100 μA ，V
DD
=V
DD
民
T5.1 372
1.该参数仅适用于WP ＃和RST ＃引脚。
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S71128-03-000 4/01
372
5
1兆位串行闪存
SST45LF010
SST45LF0101Mb 4线串行接口闪存
数据表
产品特点：
单3.0-3.6V读写操作
串行接口架构
字节串行读与单个命令
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
- 工作电流10 mA（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
部门或芯片擦除功能
- 统一4K字节扇区
快速擦除和字节编程
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 软件状态
10 MHz的最大时钟频率
硬件复位引脚（ RST ＃ ）
- 重置设备待机模式
CMOS I / O兼容性
硬件数据保护（ WP ＃ ）
- 保护和写入取消保护器件
手术
封装
- 8引脚SOIC （ 4.9毫米x 6mm的）
- 8触点WSON
产品说明
该SST45LF010是1兆位串行闪存制造
捕获的原始图像与SST专有的高性能CMOS
SuperFlash技术。在1兆比特的存储器组织
32个行业的4096个字节。闪速存储器使用4-
线串行接口和芯片使能选择和
顺序地访问其数据。串行接口由
的;串行数据输入（SI ），串行数据输出（SO ），串行时钟
（SCK ）和芯片使能（CE ＃）。一个写保护（ WP ＃ ） inhib-
其从写操作和硬件的整个存储器
复位引脚（ RST ＃ ）复位器件进入待机模式。
该SST45LF010器件采用8引脚SOIC
和8触点WSON封装。参见图2引脚
分配。
读
读操作从ini-输出该数据，以便
TiAl基访问地址。虽然SCK输入时，地址将
自动递增，直到地址结束（上）
空间（ 1FFFFH ），则内部地址指针自动
matically递增到地址的开始（下）
空间（ 00000H ） ，和数据输出流将继续下去。该
读出的数据流是通过所有地址，直到连续
由低到CE ＃高转换终止。
部门/芯片擦除操作
扇区擦除操作将清除所选的所有位
部门FFH 。芯片擦除指令将清除所有位
该设备为FFH。
设备操作
该SST45LF010使用每个8位的COM总线周期
mands ，数据和地址，以执行操作。该
操作说明，列于表3中。
所有的指令都是同步掀起了由高到低的转变
的CE＃ 。第一个从低到高的转变在SCK将启动
的指令序列。输入将在利培接受
荷兰国际集团SCK的边缘起与最显著位。任何
低输入指令之前高过渡的CE ＃
公司完成将终止正在进行的任何指令，并
该设备返回到待机模式。
字节编程操作
字节编程操作方案中的位
选择字节到期望的数据。所选字节必须
处于已擦除状态（ FFH），启动一个程序时
操作。该数据是从第7位输入到第0位中的顺序。
软件运行状态
状态操作确定擦除或编程
操作正在进行中。如果第0位为“0”擦除或亲
克操作过程中，该设备正忙。如果位0
在一个“1”的设备已准备好为任何有效的操作。该台站
土族读是连续的，持续的时钟周期直到termi-
由低到CE ＃高经过NAT转换。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
2003硅存储技术公司
S71128-04-000 3/03
372
1
1兆位串行闪存
SST45LF010
数据表
RESET
复位将终止任何操作，例如读取，擦除和
节目，正在进行中。它是由高向低转录激活
习得的RST ＃引脚。该器件将保持在复位
条件只要RST ＃低。最小复位时间
10微秒。参见图15复位时序图。 RST ＃为
内部上拉起来，可以保持悬空很好地协同
荷兰国际集团正常运行。复位后，该设备处于待机
模式，高到CE ＃低转换才能启动
接下来的操作。
内部上电复位电路，防止邮轮业咨询委员会
牙科写入数据。施加一个逻辑电平低到RST ＃能很好地协同
荷兰国际集团上电过程然后改变到逻辑电平
高当V
DD
已达到正确的电压电平将
为防止意外写入额外的保护
在电源上。
简约功能选项
(SST45LF010-10-4C-SA-DD014)
该SST45LF010-10-4C -SA- DD014是一个减小的函数
在SST45LF010-10-4C - XA的选项。
对于这些设备，仅SST测试和保障功能
族体分离时，串行输入和串行输出数据
线的使用。有效连接必须如图
图1 。
在RESET ＃引脚在生产过程中没有进行测试;它必须是
悬空或连接到V
DD.
主机控制器
SST45LF010-10-4C-SA-DD014
SCK
SO
SI
SCK
SI
SO
阅读SST ID /读取设备ID
在读SST ID和读取设备ID读取操作的
JEDEC指定生产厂家的标识和说明书
商指定的设备ID 。这些ID可以被用于
确定实际设备驻留在系统中。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
字节
制造商ID
器件ID
0000H
0001H
数据
BFH
42H
T1.2 372
372 ILL F21.0
图1 ： V
ALID
C
ONNECTIONS FOR
SST45LF010-10-4C-SA-DD014
写保护
在WP ＃引脚提供了意外的写保护。该
WP ＃引脚必须保持高电平任何擦除或编程操作
通报BULLETIN 。在WP ＃引脚可V
IL
或V
IH
但任何其他值，为
所有其他操作。在典型的应用中， WP ＃引脚所配置
连接至V
SS
用一个标准的下拉电阻。 WP＃为
然后驱动为高电平时擦除或编程操作
是必须的。如果WP ＃引脚连接到V
DD
用的上拉电阻
器，则可能会发生的所有操作和写保护
功能被禁用。在WP ＃引脚具有内部上拉
并能保持悬空时不使用。
2003硅存储技术公司
S71128-04-000 3/03
372
2
1兆位串行闪存
SST45LF010
数据表
WP ＃
VDD
CE＃
SCK
1
2
8
7
RST ＃
VSS
SO
SI
WP ＃
VDD
CE＃
SCK
1
8
RST ＃
VSS
SO
SI
2
7
顶视图
3
4
6
5
顶视图
3
6
4
5
372 ILL F01.6
372 ILL F01a.2
8-
领导
SOIC
8-
联系
WSON
图2 ：P
IN
A
SSIGNMENTS
表2 ：P
IN
D
ESCRIPTION
符号引脚名称
SCK
串行时钟
功能
提供串行接口的定时。命令，地址或输入数据被锁存
在时钟输入的上升沿，而输出数据被移出的下降沿
时钟输入。
到传送命令，地址或数据串联到器件中。输入锁存的
在串行时钟的上升沿。
以串行方式传输数据出器件。
数据被移出在串行时钟的下降沿。
该装置是由高到CE ＃低电平的转换功能。
为了防止意外写入设备（擦除或编程）操作。当WP＃为
低，所有的擦除和编程命令将被忽略。当WP＃为高时，该设备可以是
擦除或编程。该引脚具有内部上拉时能保持悬空
不使用。
高到RST ＃低转换将终止正在进行的任何操作，并复位内部
逻辑到待机模式。该装置将保持在复位状态，只要RST＃是
低。操作时，可能会RST ＃为高电平才会发生。该引脚具有内部上拉，并能
未连接状态时无法使用。
提供电源（ 3.0-3.6V ） 。
T2.5 372
SI
SO
CE＃
WP ＃
串行数据输入
串行数据输出
芯片使能
写保护
RST ＃
RESET
V
DD
V
SS
电源
地
2003硅存储技术公司
S71128-04-000 3/03
372
4
1兆位串行闪存
SST45LF010
数据表
表3 ：D
EVICE
O
PERATION
I
NSTRUCTIONS1
总线周期
2
循环型/
手术
3,4
读
扇区擦除
5
芯片擦除
字节编程
状态寄存器。
读ID
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
1
S
IN
FFH
20H
60H
10H
9FH
90H
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
X
高阻
S
IN
2
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
D
OUT
高阻
S
IN
3
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
记
6
4
S
IN
A
7
-A
0
X
X
A
7
-A
0
X
ID地址
7
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
记
6
5
S
IN
X
D0H
D0H
D
IN
X
X
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
记
6
6
S
IN
X
X
X
X
X
X
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
记
6
记
8
7
S
IN
X
X
X
X
X
X
S
OUT
D
OUT
高阻
高阻
高阻
记
6
记
8
T3.10 372
A
23
-A
16
A
23
-A
16
X
A
23
-A
16
X
00H
A
15
-A
8
A
15
-A
8
X
A
15
-A
8
X
00H
高阻
高阻
D
OUT7
对于SST45LF010 ，A
23
-A
17
可以是V
IL
或V
IH
，但没有其他价值。
一个总线周期为8个时钟周期
操作：
IN
=串行输入，S
OUT
=串行输出
X =虚拟周期（可以是V
IL
或V
IH
但任何其他值）。
A
16
-A
12
用于确定扇区地址，甲
11
-A
8
可以是V
IL
或V
IH
，但没有其他价值。
状态读是连续的持续的时钟周期，直到被终止低到CE ＃高的转变。
制造商ID = BFH ，读有A
0
= 0和设备ID = 42H ，读有A
0
= 1;所有其它地址位是0
数据输出是任意的。
表4 ：D
EVICE
O
PERATION
T
ABLE
手术
读
扇区擦除
芯片擦除
字节编程
软件状态
RESET
2
阅读SST ID
读取设备ID
SI
X
X
X
D
IN
X
X
X
X
SO
D
OUT
X
X
X
D
OUT
X
D
OUT
D
OUT
CE＃
1
低
低
低
低
低
X
低
低
WP ＃
X
高
高
高
X
X
X
X
RST ＃
高
高
高
高
高
低
高
高
T4.6 372
1.高到CE ＃低电平的转换将需要启动任何设备的操作，除了复位。
2. RST ＃低将返回设备待机和终止正在进行的任何擦除或编程操作。
2003硅存储技术公司
S71128-04-000 3/03
372
5
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