U/SST440,441
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX U / SST440 & U / SST441
高CMRR
低栅极泄漏
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散（总）
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏
门源
门到门
-25V
-25V
±50V
50mA
500mW
-65至+150°C
-55至+135 ℃，
G1
D1
S1
2
1
7
3
5
6
1
单片双
N沟道JFET
CMRR
≥
85dB
I
GSS
≤
1pA
U系列
TO-71
底部视图
S1
1
2
3
4
SST系列
SOIC
8
7
6
5
NC
G2
D2
S2
S2
D2
G2
D1
G1
NC
匹配特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
特征
民
U/SST440
典型值
最大单位
10
条件
V
GS1
V
GS2
V
GS1
V
GS2
T
I
DSS1
I
DSS2
g
fs1
g
fs2
CMRR
差之门
源截止电压
U/SST441
20
0.07
0.97
85
20
mV
μV/°C
V
DG
= 10V ，我
D
= 5毫安
V
DG
= 10V ，我
D
= 5毫安
T
A
= -55至+ 125°C
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 5毫安，
f
= 1kHz时
差分门源截止
电压随温度的变化
门源饱和电流比
正向跨导率
2
共模抑制比
dB
V
DG
= 5 10V，我
D
= 5毫安
电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
特征
民
典型值
最大单位
条件
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
栅源击穿电压
门源截止电压
门源饱和电流
栅极漏电流
门工作电流
3
-25
-1
6
-3.5
15
-1
-1
-6
30
-500
-500
V
V
mA
pA
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
GS
= -15V, V
DS
= 0V
V
DG
= 10V ，我
D
= 5毫安
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
电气特性续@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
特征
民
典型值
最大单位
条件
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
正向跨导
输出电导
输入电容
反向传输电容
等效输入噪声电压
4.5
6
70
3
1
4
9
200
mS
S
pF
纳伏/赫兹÷
V
DS
= 10V ，我
D
= 5毫安，
f
= 1kHz时
V
DS
= 10V ，我
D
= 5毫安，
f
= 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 5毫安，
f
= 10kHz的
TO-71
六线
0.195
DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
0.014
0.018
1
2
0.021
3
4
0.150
0.157
SOIC
8
7
6
5
0.050
0.189
0.196
6 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
0.0040
0.0098
0.2284
0.2440
尺寸
英寸
0.0075
0.0098
0.050
2 3
1
5
6
7
45°
0.046
0.036
0.048
0.028
1.
2.
3.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
脉冲测试： PW
≤
300μS占空比
≤
3%
假定在分子较小的值。
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
N沟道JFET
单片双
公司
SST440 / SST441
特点
描述
Calogic的SST440系列是一款高速N沟道
在表面的单片双JFET贴装的SO - 8封装。这
器件非常适合于用作宽带差分放大器
在测试和测量应用。的组合
高增益，低泄漏，低噪声，使其优良的
表演者。
订购信息
部分
SST440-1
包
塑料SO- 8
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
高增益。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GF
s
> 6毫秒的典型
低漏。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
G
< 1pA的典型
低噪音
表面贴装封装
差分宽带放大器
VHF / UHF放大器
测试与测量
应用
注：对于排序芯片载体，见U440系列
引脚配置
SO-8
顶视图
(1) S1
(2) D1
(3) G1
（ 4 ）N / C
N / C（ 8 ）
G2 (7)
D2 (6)
S2 (5)
CJ1
产品标识
SST440
SST441
SST440
SST441
U/SST440,441
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX U / SST440 & U / SST441
高CMRR
低栅极泄漏
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散（总）
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏
门源
门到门
-25V
-25V
±50V
50mA
500mW
-65至+150°C
-55至+135 ℃，
G1
D1
S1
2
1
7
3
5
6
1
单片双
N沟道JFET
CMRR
≥
85dB
I
GSS
≤
1pA
U系列
TO-71
底部视图
S1
1
2
3
4
SST系列
SOIC
8
7
6
5
NC
G2
D2
S2
S2
D2
G2
D1
G1
NC
匹配特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
特征
民
U/SST440
典型值
最大单位
10
条件
V
GS1
V
GS2
V
GS1
V
GS2
T
I
DSS1
I
DSS2
g
fs1
g
fs2
CMRR
差之门
源截止电压
U/SST441
20
0.07
0.97
85
20
mV
μV/°C
V
DG
= 10V ，我
D
= 5毫安
V
DG
= 10V ，我
D
= 5毫安
T
A
= -55至+ 125°C
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 5毫安，
f
= 1kHz时
差分门源截止
电压随温度的变化
门源饱和电流比
正向跨导率
2
共模抑制比
dB
V
DG
= 5 10V，我
D
= 5毫安
电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
特征
民
典型值
最大单位
条件
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
栅源击穿电压
门源截止电压
门源饱和电流
栅极漏电流
门工作电流
3
-25
-1
6
-3.5
15
-1
-1
-6
30
-500
-500
V
V
mA
pA
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
GS
= -15V, V
DS
= 0V
V
DG
= 10V ，我
D
= 5毫安
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
电气特性续@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
特征
民
典型值
最大单位
条件
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
正向跨导
输出电导
输入电容
反向传输电容
等效输入噪声电压
4.5
6
70
3
1
4
9
200
mS
S
pF
纳伏/赫兹÷
V
DS
= 10V ，我
D
= 5毫安，
f
= 1kHz时
V
DS
= 10V ，我
D
= 5毫安，
f
= 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 5毫安，
f
= 10kHz的
TO-71
六线
0.195
DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
0.014
0.018
1
2
0.021
3
4
0.150
0.157
SOIC
8
7
6
5
0.050
0.189
0.196
6 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
0.0040
0.0098
0.2284
0.2440
尺寸
英寸
0.0075
0.0098
0.050
2 3
1
5
6
7
45°
0.046
0.036
0.048
0.028
1.
2.
3.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
脉冲测试： PW
≤
300μS占空比
≤
3%
假定在分子较小的值。
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
SST441
单片双
N沟道JFET
线性系统替换停产的Siliconix SST441
该SST441是严格匹配的单片双N沟道JFET
在SST441是安装在一个单片双JFET的
SOIC封装。单片双芯片设计
降低寄生效应并给出了在非常更好的性能
同时确保极其严密的高频率
匹配。这些器件是一个很好的选择
用在苛刻的宽带差分放大器
测试和测量应用。该SST441是
直接替代停产的Siliconix SST441 。
8引脚SOIC封装提供了便于制造，并
对称引出线防止不正当的方向。
（见包装信息） 。
SST441应用：
宽带差分放大器
高速，温度补偿的单
端输入放大器
高速比较器
阻抗转换器和振动
探测器
.
特点是什么？
DirectReplacementforSILICONIXSST441
高CMRR
低栅极泄漏
绝对最大额定值
1
@25°C(unlessotherwisenoted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散（总）
最大电流
栅极电流
最大电压不
栅漏
门源
门到门
MIN
TYP
20
MAX`
20
单位“
mV
μV/°C
CMRR≥85dB
I
GSS
≤1pA
‐65°Cto+150°C
‐55°Cto+135°C
500mW
50mA
‐25V
‐25V
±50V
条件“
V
DG
=10V,I
D
=5mA
V
DG
=10V,I
D
=5mA
T
A
=‐55°Cto+125°C
V
DS
=10V,V
GS
=0V
MATCHINGCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisestated)
SYMBOL
特点】
|V
GS1
–V
GS2
|
差分门源截止电压
|V
GS1
–V
GS2
|/T
差分门源截止
电压随温度的变化
I
DSS1
/I
DSS2
门源饱和电流比
G
fs1
/G
fs2
正向跨导率
2
CMRR
点击购买
0.07
0.97
85
共模抑制比
dB
（典型值） *
‐3.5
15
‐1
‐1
6
70
3
1
4
马克斯。
‐6
30
‐500
‐500
9
200
单位“
V
V
mA
pA
pA
mS
S
pF
pF
内华达州/ √Hz的
条件“
I
G
=‐1A,V
DS
=0V
V
DS
=10V,I
D
=1nA
V
DS
=10V,V
GS
=0V
V
GS
=‐15V,V
DS
=0V
V
DG
=10V,I
D
=5mA
正向跨导
输出电导
输入电容
反向传输电容
等效输入噪声电压
4.5
SOIC （顶视图）
V
DS
=10V,I
D
=5mA,f=1kHz
V
DG
=5to10V,I
D
=5mA
ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
GSS
门源击穿电压
‐25
V
GS （ OFF ）
门源截止电压
‐1
I
DSS
门源饱和电流
6
3
I
GSS
栅极泄漏电流
I
G
门工作电流
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
=10V,I
D
=5mA,f=1kHz
V
DS
=10V,I
D
=5mA,f=1MHz
V
DS
=10V,I
D
=5mA,f=10kHz
注意事项：
1.AbsoluteMaximumratingsarelimitingvaluesabovewhichserviceabilitymaybeimpaired
2.脉冲测试： PW ≤ 300μS占空比≤ 3 ％
3.Assumessmallervalueinnumerator
可用的软件包：
SST441采用SOIC
SST441可作为裸模
请联系Micross全包和模具尺寸：
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
www.micross.com/distribution.aspx
提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其使用;也不对任何侵犯专利或
第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。
QQ：2881677436 复制
