8兆位（ X16 ）多用途闪存
SST39WF800B
数据表
产品特点：
组织为512K X16
单电压读写操作
– 1.65-1.95V
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：5 mA（典型值）
- 待机电流： 5 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
块擦除功能
- 统一32K字块
快速读取访问时间
= 70纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字编程
- 扇区擦除时间： 36毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 36毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 140毫秒（典型值）
- 字编程时间： 28 μs（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
- 48球WFBGA （ 5× 6毫米）微型封装
- 48球XFLGA （ 5× 6毫米）微型封装
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST39WF800B是512K x16的CMOS多用途
闪存（ MPF）与SST专有的制造，高per-
formance CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造相比，交替
的方法。该SST39WF800B写（编程或
擦除）与1.65-1.95V电源。该器件所
形式JEDEC标准引脚分配X16 memo-
里斯。
该SST39WF800B具有高性能字亲
编程提供了一个典型字编程时间
28微秒。它采用翻转位或数据＃查询检测
在编程或擦除操作完成。片上
硬件和软件数据保护方案保护
防止意外写入。设计，制造，以及
测试了广泛的应用中，光谱
SST39WF800B提供有保证的典型endur-
ANCE 10万次。数据保留的额定功率为更大
超过100年。
该SST39WF800B适合于需要应用
程序便捷，经济的升级，组态
比，或数据存储器。它显著改善perfor-
曼斯所有系统应用，同时和可靠性
降低功耗。它本质上使用更少的能源
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擦除和编程比其他闪存技时
吉斯。当编程闪存设备，总能量
消耗是所施加电压的函数，电流和
应用程序的时间。对于任何给定的电压范围内，超
Flash技术使用更少的电流进行编程，并具有
擦除时间更短;因此，总的能量消耗
任何擦除或编程操作时小于alterna-
略去闪存技术。这些器件还可以提高使用灵活
性，同时降低了成本，程序，数据和
配置存储应用。
超快闪技术提供固定的擦除和编程
次独立擦除/编程周期数的
已发生。因此，系统软件或
硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
以满足表面安装的要求， SST39WF800B
48球TFBGA封装和48球，还提供微
套餐。参见图3和图2的引脚分配。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
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设备操作
命令，用于启动所述存储器操作
该装置的灰功能，使用被写入到设备
标准的微处理器写序列。命令是
写WE＃置为低电平，同时将CE＃保持低电平。该
地址总线被锁定在WE＃或CE ＃下降沿，
为准过去。数据总线被锁定在上升
WE＃或CE ＃边缘，以先到为准。
以部门/块擦除操作
该SST39WF800B同时提供扇区擦除和块擦除
擦除模式允许系统擦除器件
上一个扇区到扇区，或块逐块的基础。
扇区结构是基于2均匀扇区大小
KWord的。通过执行启动扇区擦除操作
与扇区擦除命令6字节的命令序列
（30H ），并在最后一个总线周期扇区地址（SA） 。
在块擦除方式是基于均匀的块大小
32K字。通过执行启动块擦除操作
用块擦除命令6字节的命令序列
（ 50H ），并在最后一个总线周期块地址（ BA ） 。
扇区或块地址被锁存的下降沿
第六WE ＃脉冲，而命令（ 30H或50H ）是
锁定第6个WE ＃脉冲的上升沿。该
第六WE ＃脉冲后内部擦除操作开始。
期终止擦除操作可通过确定
无论是数据＃查询或翻转位的方法。参见图9
和10的时序波形图。期间发出的任何命令
在扇区擦除或块擦除操作将被忽略。
读
该SST39WF800B的读操作是由控制
CE ＃和OE ＃ ;既要低的系统，以获得
从输出数据。
CE＃用于器件选择。当CE＃为高电平时，
芯片被取消，只待机功耗。
OE＃为输出控制中，通过使用栅极数据
输出管脚。数据总线是在高阻抗状态
CE＃或OE ＃为高电平。参见图4 。
字编程操作
该SST39WF800B被编程在字的字
的基础。这里所说的存在，必须有充分的行业
编程前擦除。
编程完成三个步骤：
1.将软件数据的三字节序列
保护。
2.负载字地址，字数据。在
字编程操作时，地址是
锁存， CE＃或WE＃的下降沿，
为准过去。该数据被锁存的
任CE ＃或WE ＃上升沿为准
先发生。
3.启动后内部编程操作
第四WE ＃或CE ＃上升沿为准
先发生。一旦启动，该计划运作
将在40 μs内完成。参见图5和
6 WE＃和CE ＃控制的编程操作
时序图和图16的流程图。
在编程操作期间，唯一有效的读操作
数据＃查询和翻转位。在内部编程
操作时，主机可以自由地执行其他任务。任何
内部编程操作期间发出的命令
将被忽略。
芯片擦除操作
该SST39WF800B提供了全片擦除操作，
这允许用户将擦除整个存储器阵列，以
的“1”状态。此，当整个装置必须是有用
快速擦除。
通过执行一个6字节的启动芯片擦除操作
与在芯片擦除命令（ 10H ）命令序列
地址5555H中的最后一个字节序列。
擦除操作开始与第六的上升沿
WE＃或CE ＃ ，以先到为准。在擦除
操作时，唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。
看该命令序列表4 ，图8为
时序图，图19为流程图。所有的COM
全片擦除操作期间发出的要求主要
忽略不计。
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写操作状态检测
为了优化系统写周期时间内，
SST39WF800B提供了两种软件方法来检测
编程或擦除写周期的完成。软件
检测包括两个状态位，数据＃投票（ DQ
7
)
和切换位（ DQ
6
） 。写操作结束检测模式
后的WE ＃的上升沿，从而启动所述使能
内部编程或擦除操作。
的非易失性写入的完成是异步的
用系统;因此，无论是数据＃查询或翻转
可能同时发生一起完成读位
写周期。如果出现这种情况，系统可能会得到一个erro-
neous结果，即有效数据可能会与发生冲突
无论是DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散抑制在
的错误结果的事件时，软件例程必
包括循环读取访问单元
两（2）倍。如果两个读数是有效的，则该装置具有
完成写周期，否则拒绝是有效的。
切换位后的第4个WE ＃上升沿有效
（或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，块
或芯片擦除，切换位后的上升沿有效。
6个WE＃ （或CE ＃）脉冲。参见图0-1的触发位
时序图和图17的流程图。
数据保护
该SST39WF800B提供硬件和软件
功能，以防止非易失性数据免受意外写操作。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.0V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39WF800B是在内部编程操作
ATION ，任何尝试读取DQ
7
将产生的完井
换货的真实数据。一旦程序操作
完成后， DQ
7
将产生真正的数据。
虽然DQ
7
可有有效数据后立即
在完成内部写操作时，剩下
荷兰国际集团的数据输出仍然可能是无效的。对有效数据
整个数据总线将出现在随后的连续
1微秒的时间间隔后读周期。在内部
擦除操作，任何尝试读取DQ
7
会产生一个
'0'。一旦内部擦除操作完成后， DQ
7
将
产生一个'1'。
该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或全片擦除，数据＃查询后有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图7为
数据＃查询时序图和图17的流程图。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39WF800B提供了JEDEC核准软
洁具的数据保护方案的所有数据修改操作
系统蒸发散，即编程和擦除。任何编程操作
需要包含三字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。这组设备是随
软件数据保护永久启用。看
表4为特定的软件命令代码。中
SDP命令序列，无效命令会中止
设备T内读取模式
RC
。 DQ的内容
15
-
DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
但任何其他值，在任何的SDP
命令序列。
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39WF800A包含CFI信息
描述了器件的特性，并支撑
无论是原SST CFI查询模式实现
与现有的SST装置，以及gen-兼容性
ERAL CFI查询模式。
要进入SST CFI查询模式，系统必须写入
三字节序列，相同的产品ID进入
命令，以98H （ CFI查询命令）来解决
5555H中的最后一个字节序列。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
将产生交变'1'
和'0' ，即，之间切换'1'和'0'。
当编程或擦除操作完成后，
DQ
6
位将停止切换，设备准备好了
接下来的操作。
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8兆位（ X16 ）多用途闪存
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X解码器
超快闪
内存
内存地址
地址缓冲器&门锁
y解码器
CE＃
OE ＃
WE＃
DQ15 - DQ0
1344 B1.0
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
图1 ：功能框图
TOP VIEW （球朝下）
SST39WF800B
6
A2
A4
A3
A5
A6
A7
A18
A17
NC
NC
NC
WE＃
NC
NC
A9
A10
A8
A11
A13
A12
A14
A15
5
A1
4
A0
3
CE＃
DQ8 DQ10
OE ＃ DQ9
NC
NC
DQ4 DQ11 A16
DQ5 DQ6 DQ7
2
V
SS
1
DQ0 DQ1 DQ2 DQ3
V
DD
DQ12 DQ13 DQ14 DQ15 V
SS
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
1344 48 WFBGA M2Q P02.0
图2 ：引脚分配48球WFBGA和48球XFLGA
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