4兆位（ X16 ）多用途闪存
SST39WF400A
SST39WF400A1.8V 4Mb的（ X16 ）强积金内存
数据表
产品特点：
组织为256K X16
单电压读写操作
– 1.65-1.95V
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：5 mA（典型值）
- 待机电流： 1 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
块擦除功能
- 统一32K字块
快速读取访问时间
= 90纳秒
= 100纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字编程
- 扇区擦除时间： 36毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 36毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 140毫秒（典型值）
- 字编程时间： 28 μs（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
- 48球WFBGA （ 4× 6毫米）微型封装
- 48焊球XFLGA （ 4× 6毫米）微型封装
产品说明
该SST39WF400A装置是256K x16的CMOS多
通用闪存（ MPF）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST39WF400A写（亲
克或擦除）与1.65-1.95V电源。这
器件符合JEDEC标准引脚分配
X16的回忆。
特色
高性能
字编程，
该
SST39WF400A设备提供了一个典型字编程
28微秒的时间。该设备采用翻转位或数据＃ Poll-
荷兰国际集团检测完成计划或擦除操作
化。为了防止意外写操作，它具有片
硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用，该器件提供了一个保证典型
续航能力为10万次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39WF400A装置适合于应用
需要程序方便和经济的升级，
配置或数据存储器。对于所有系统应用，
它显著提高了性能和可靠性，同时
降低功耗。它本质上使用更少的能源
2003硅存储技术公司
S71220-04-000
11/03
1
擦除和编程比其他闪存技时
吉斯。当编程闪存设备，总能量
消耗是所施加电压的函数，电流和
应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则
SuperFlash技术的编程电流小，
具有更短的擦除时间，总的能量过程中消耗
任何擦除或编程操作小于替代
闪存技术。这些器件还可以提高灵活性
同时降低成本为程序，数据和配置
存储的应用程序。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
以满足表面安装的要求， SST39WF400A
提供两个48球TFBGA封装， 48球
微型封装。参见图1和图2的引脚分配。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
4兆位多用途闪存
SST39WF400A
数据表
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
读
该SST39WF400A的读操作是由控制
CE＃和OE ＃ ，既要低的系统，以获得
从输出数据。 CE＃用于器件选择。
当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只待机
功率消耗。 OE＃为输出控制，并用于
从门控输出引脚的数据。数据总线是在高
阻抗状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。请参阅
了解更多详情的读周期时序图（图3 ） 。
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列块擦除命令（ 50H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序
荷兰国际集团的波形。在扇区中发出的任何命令
或块擦除操作将被忽略。
芯片擦除操作
该SST39WF400A提供了全片擦除操作，
这允许用户将擦除整个存储器阵列，以
的“1”状态。此，当整个装置必须是有用
快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列，图8为时序图，
和图19的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
字编程操作
该SST39WF400A被编程在字的字
的基础。在编程之前，扇区所在的字
存在必须完全擦除。程序操作
完成三个步骤。第一步是三字节
软件数据保护负载序列。第二个
第一步是加载的字地址，字数据。在
字编程操作时，地址锁存的
任CE ＃或WE ＃下降沿，最后的为准。
该数据被锁存，在CE＃的上升沿或
WE＃ ，以先到为准。第三步是在内部
这是以后的上升沿启动程序操作
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。亲
克操作，一旦启动，将在40完成
微秒。参见图4和图5为WE＃和CE ＃控制的亲
克操作时序图，图16为液流 -
图表。在编程操作期间，仅有的有效读
是数据＃查询和翻转位。在内部亲
克操作，主机可以自由地执行其他任务。
内部编程过程中发出的任何命令操作
化被忽略。
写操作状态检测
该SST39WF400A提供了两种软件方法来
检测完成后写（编程或擦除）周期，
为了优化系统写周期时间。该软
洁具的检测包括两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式之后的WE ＃的上升沿，这ini-启用
tiates内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39WF400A同时提供扇区擦除
和块擦除模式。扇区结构是基于
上的2K字均匀的扇区大小。块擦除模式
是一种基于32K字的均匀的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除
2003硅存储技术公司
S71220-04-000
11/03
2
4兆位多用途闪存
SST39WF400A
数据表
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39WF400A是在内部编程操作
ATION ，任何尝试读取DQ
7
将产生的完井
换货的真实数据。一旦程序操作
完成后， DQ
7
将产生真正的数据。请注意，即使
虽然DQ
7
可有有效的数据紧随
在内部写操作完成后，将剩余的
数据输出仍然可能是无效的：在整个有效数据
数据总线将出现在后续读
1微秒的时间间隔后循环。在内部擦除操作
ATION ，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，数据＃查询后有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图6
数据＃查询时序图和图17的流程图。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39WF400A提供了JEDEC核准软
洁具的数据保护方案的所有数据修改操作
系统蒸发散，即编程和擦除。任何编程操作
需要包含三字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。这组设备是随
软件数据保护永久启用。看
表4为特定的软件命令代码。中
SDP命令序列，无效命令会中止
设备T内读取模式
RC
。 DQ的内容
15
-
DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
但任何其他值，在任何的SDP
命令序列。
通用闪存接口（ CFI ）
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位后的第四个上升沿有效。
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，切换位后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。参见图7为切换
位的时序图和图17为一个流程图。
该SST39WF400A还包含CFI信息
描述了器件的特性。为了进入
CFI查询模式，系统必须写三个字节
顺序相同与98H软件ID进入命令
（ CFI查询命令），以解决5555H中的最后一个字节
序列。一旦设备进入CFI查询模式，
该系统可以在给定的地址读出的CFI数据
表5至7系统必须写入CFI退出
命令返回到从CFI查询阅读模式
模式。
数据保护
该SST39WF400A提供硬件和软件
功能，以防止非易失性数据免受意外写操作。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.0V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
2003硅存储技术公司
S71220-04-000
11/03
3
4兆位多用途闪存
SST39WF400A
数据表
TOP VIEW （球朝下）
SST39WF400A
6
A13
A12 A14 A15 A16
A8
NC
NC
A17
A4
5
A9
NC DQ15 V
SS
A10 A11 DQ7 DQ14 DQ13 DQ6
NC
NC
A6
A2
NC DQ5 DQ12 VDD DQ4
1220 48 - TFBGA P01.0
4
WE＃
3
NC
NC DQ2 DQ10 DQ11 DQ3
A5
A1
DQ0 DQ8 DQ9 DQ1
A0
CE ＃ OE ＃ V
SS
2
A7
1
A3
A
B
C
D
E
F
G
H
图1 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
48-
球
TFBGA
TOP VIEW （球朝下）
SST39WF400A
6
A2
A4
A3
A5
A6
A7
NC
A17
NC
NC
NC
WE＃
NC
NC
A9
A10
A8
A11
A13
A12
A14
A15
1220年48 WFBGA - xflga P03_4.0
5
A1
4
A0
3
CE＃
DQ8 DQ10
OE ＃ DQ9
NC
NC
DQ4 DQ11 A16
DQ5 DQ6 DQ7
2
V
SS
1
DQ0 DQ1 DQ2 DQ3
V
DD
DQ12 DQ13 DQ14 DQ15 V
SS
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
图2 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
48-
球
WFBGA
和
48-
撞
XFLGA
2003硅存储技术公司
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11/03
5
4兆位（ X16 ）多用途闪存
SST39WF400A
SST39WF400A1.8V 4Mb的（ X16 ）强积金内存
数据表
产品特点：
组织为256K X16
单电压读写操作
– 1.65-1.95V
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：5 mA（典型值）
- 待机电流： 1 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
块擦除功能
- 统一32K字块
快速读取访问时间
= 90纳秒
= 100纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字编程
- 扇区擦除时间： 36毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 36毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 140毫秒（典型值）
- 字编程时间： 28 μs（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
- 48球WFBGA （ 4× 6毫米）微型封装
- 48焊球XFLGA （ 4× 6毫米）微型封装
产品说明
该SST39WF400A装置是256K x16的CMOS多
通用闪存（ MPF）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST39WF400A写（亲
克或擦除）与1.65-1.95V电源。这
器件符合JEDEC标准引脚分配
X16的回忆。
特色
高性能
字编程，
该
SST39WF400A设备提供了一个典型字编程
28微秒的时间。该设备采用翻转位或数据＃ Poll-
荷兰国际集团检测完成计划或擦除操作
化。为了防止意外写操作，它具有片
硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用，该器件提供了一个保证典型
续航能力为10万次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39WF400A装置适合于应用
需要程序方便和经济的升级，
配置或数据存储器。对于所有系统应用，
它显著提高了性能和可靠性，同时
降低功耗。它本质上使用更少的能源
2004硅存储技术公司
S71220-05-000
6/04
1
擦除和编程比其他闪存技时
吉斯。当编程闪存设备，总能量
消耗是所施加电压的函数，电流和
应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则
SuperFlash技术的编程电流小，
具有更短的擦除时间，总的能量过程中消耗
任何擦除或编程操作小于替代
闪存技术。这些器件还可以提高灵活性
同时降低成本为程序，数据和配置
存储的应用程序。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
以满足表面安装的要求， SST39WF400A
提供两个48球TFBGA封装， 48球
微型封装。参见图1和图2的引脚分配。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
4兆位多用途闪存
SST39WF400A
数据表
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
读
该SST39WF400A的读操作是由控制
CE＃和OE ＃ ，既要低的系统，以获得
从输出数据。 CE＃用于器件选择。
当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只待机
功率消耗。 OE＃为输出控制，并用于
从门控输出引脚的数据。数据总线是在高
阻抗状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。请参阅
了解更多详情的读周期时序图（图3 ） 。
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列块擦除命令（ 50H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序
荷兰国际集团的波形。在扇区中发出的任何命令
或块擦除操作将被忽略。
芯片擦除操作
该SST39WF400A提供了全片擦除操作，
这允许用户将擦除整个存储器阵列，以
的“1”状态。此，当整个装置必须是有用
快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列，图8为时序图，
和图19的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
字编程操作
该SST39WF400A被编程在字的字
的基础。在编程之前，扇区所在的字
存在必须完全擦除。程序操作
完成三个步骤。第一步是三字节
软件数据保护负载序列。第二个
第一步是加载的字地址，字数据。在
字编程操作时，地址锁存的
任CE ＃或WE ＃下降沿，最后的为准。
该数据被锁存，在CE＃的上升沿或
WE＃ ，以先到为准。第三步是在内部
这是以后的上升沿启动程序操作
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。亲
克操作，一旦启动，将在40完成
微秒。参见图4和图5为WE＃和CE ＃控制的亲
克操作时序图，图16为液流 -
图表。在编程操作期间，仅有的有效读
是数据＃查询和翻转位。在内部亲
克操作，主机可以自由地执行其他任务。
内部编程过程中发出的任何命令操作
化被忽略。
写操作状态检测
该SST39WF400A提供了两种软件方法来
检测完成后写（编程或擦除）周期，
为了优化系统写周期时间。该软
洁具的检测包括两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式之后的WE ＃的上升沿，这ini-启用
tiates内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39WF400A同时提供扇区擦除
和块擦除模式。扇区结构是基于
上的2K字均匀的扇区大小。块擦除模式
是一种基于32K字的均匀的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除
2004硅存储技术公司
S71220-05-000
6/04
2
4兆位多用途闪存
SST39WF400A
数据表
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39WF400A是在内部编程操作
ATION ，任何尝试读取DQ
7
将产生的完井
换货的真实数据。一旦程序操作
完成后， DQ
7
将产生真正的数据。请注意，即使
虽然DQ
7
可有有效的数据紧随
在内部写操作完成后，将剩余的
数据输出仍然可能是无效的：在整个有效数据
数据总线将出现在后续读
1微秒的时间间隔后循环。在内部擦除操作
ATION ，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，数据＃查询后有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图6
数据＃查询时序图和图17的流程图。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39WF400A提供了JEDEC核准软
洁具的数据保护方案的所有数据修改操作
系统蒸发散，即编程和擦除。任何编程操作
需要包含三字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。这组设备是随
软件数据保护永久启用。看
表4为特定的软件命令代码。中
SDP命令序列，无效命令会中止
设备T内读取模式
RC
。 DQ的内容
15
-
DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
但任何其他值，在任何的SDP
命令序列。
通用闪存接口（ CFI ）
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位后的第四个上升沿有效。
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，切换位后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。参见图7为切换
位的时序图和图17为一个流程图。
该SST39WF400A还包含CFI信息
描述了器件的特性。为了进入
CFI查询模式，系统必须写三个字节
顺序相同与98H软件ID进入命令
（ CFI查询命令），以解决5555H中的最后一个字节
序列。一旦设备进入CFI查询模式，
该系统可以在给定的地址读出的CFI数据
表5至7系统必须写入CFI退出
命令返回到从CFI查询阅读模式
模式。
数据保护
该SST39WF400A提供硬件和软件
功能，以防止非易失性数据免受意外写操作。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.0V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
2004硅存储技术公司
S71220-05-000
6/04
3
4兆位多用途闪存
SST39WF400A
数据表
TOP VIEW （球朝下）
SST39WF400A
6
A13
A12 A14 A15 A16
A8
NC
NC
A17
A4
5
A9
NC DQ15 V
SS
A10 A11 DQ7 DQ14 DQ13 DQ6
NC
NC
A6
A2
NC DQ5 DQ12 VDD DQ4
1220 48 - TFBGA P01.0
4
WE＃
3
NC
NC DQ2 DQ10 DQ11 DQ3
A5
A1
DQ0 DQ8 DQ9 DQ1
A0
CE ＃ OE ＃ V
SS
2
A7
1
A3
A
B
C
D
E
F
G
H
图1 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
48-
球
TFBGA
TOP VIEW （球朝下）
SST39WF400A
6
A2
A4
A3
A5
A6
A7
NC
A17
NC
NC
NC
WE＃
NC
NC
A9
A10
A8
A11
A13
A12
A14
A15
1220年48 WFBGA - xflga P03_4.0
5
A1
4
A0
3
CE＃
DQ8 DQ10
OE ＃ DQ9
NC
NC
DQ4 DQ11 A16
DQ5 DQ6 DQ7
2
V
SS
1
DQ0 DQ1 DQ2 DQ3
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DD
DQ12 DQ13 DQ14 DQ15 V
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A
B
C
D
E
F
G
H
J
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L
图2 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
48-
球
WFBGA
和
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撞
XFLGA
2004硅存储技术公司
S71220-05-000
6/04
5
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