16兆位（ X16 ）多用途闪存+
SST39WF1601 / SST39WF1602
SST39WF160x2.7V 16兆（ X16 ） MPF +记忆
数据表
产品特点：
组织为1M X16
单电压读写操作
– 1.65-1.95V
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：5 mA（典型值）
- 待机电流： 5 μA （典型值）
- 自动节能模式： 5 μA （典型值）
硬件块保护/ WP ＃输入引脚
- 热门块保护（上32K字）
对于SST39WF1602
- 底部块保护（底部32K字）
对于SST39WF1601
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
块擦除功能
- 统一32K字块
芯片擦除功能
擦除暂停/擦除恢复功能
硬件复位引脚（ RST ＃ ）
安全-ID功能
- SST ： 128位;用户： 128位
快速读取访问时间：
= 70纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字编程：
- 扇区擦除时间： 36毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 36毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 140毫秒（典型值）
- 字编程时间： 28 μs（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 翻转位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚分配和
命令集
封装
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
- 48球WFBGA （ 5× 6毫米）
- 48球WFBGA （ 4× 6毫米）
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST39WF1601 / 1602设备是1M X16 CMOS
多用途闪存+ （ MPF + ）与制造
SST专有的高性能CMOS超快闪
技术。分裂栅单元设计和厚氧化层调谐
neling注入器可实现更高的可靠性和可制造性
与其他方法相比。该SST39WF1601 /
1602写（编程或擦除）与1.65-1.95V电源
供应量。这些器件符合JEDEC标准引脚
分配X16的回忆。
具有高性能的字编程能力，
SST39WF1601 / 1602器件提供了一个典型字亲
克时间为28微秒。这些器件使用翻转位或
数据＃投票指示完成程序的操作
化。为了防止意外写操作，他们有片
硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用程序，这些设备提供了一个保证
10万次典型的耐力。数据额定保存
在100年以上。
该SST39WF1601 / 1602设备适合于应用
需要的方便和经济的升级系统蒸发散
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程序，配置或数据存储器。对于所有系统
的应用程序，它们显著提高性能和
可靠性，同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程比在ently使用更少的能源
其他闪存技术。的总能量消耗的
是所施加的电压的函数，电流和时间
应用程序。因为对于任何给定的电压范围内，则超
Flash技术使用更少的电流进行编程，并具有
擦除时间更短，在任的总能量消耗
擦除或编程操作是低于其他闪存
技术。这些器件还可以提高灵活性，同时
降低成本为程序，数据和配置stor-
年龄的应用程序。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其
擦除和编程累积次数的增加
擦除/编程周期。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
16兆位多用途闪存+
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数据表
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39WF1601 / 1602顷提供两个48球TFBGA
和48球WFBGA包。参见图2和3为
引脚分配。
字编程操作
该SST39WF1601 / 1602顷编程在字逐
字的基础。在编程之前，扇区所在的
词的存在必须完全擦除。程序操作
完成三个步骤。第一步是三字节
软件数据保护负载序列。第二个
第一步是加载的字地址，字数据。在
字编程操作时，地址锁存的
任CE ＃或WE ＃下降沿，最后的为准。
该数据被锁存，在CE＃的上升沿或
WE＃ ，以先到为准。第三步是在内部
这是以后的上升沿启动程序操作
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。亲
克操作，一旦启动，将在40完成
微秒。参见图5和图6为WE＃和CE ＃控制的亲
克操作时序图，图20为液流 -
图表。在编程操作期间，仅有的有效读
是数据＃查询和翻转位。在内部亲
克操作，主机可以自由地执行其他任务。
内部编程过程中发出的任何命令操作
化被忽略。在命令序列期间， WP ＃
应静态地保持高或低。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
该SST39WF1601 / 1602也有
自动低功耗
模式，使器件在附近待机模式后，
数据已经被浏览了有效的读操作。这
降低了我
DD
从通常为9 mA至有效的读电流
一般为5 μA 。自动低功耗模式，降低了典型
CAL我
DD
到2毫安/ MHz范围内有效的读电流
读周期时间。器件退出自动低功耗
任何地址变换或控制信号转换模式
用于启动另一个读周期，没有访问时间
点球。注意，该设备不进入自动低
上电后用CE ＃功耗模式稳定保持低电平，
直到第一次地址变换或CE ＃驱动为高电平。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39WF1601 / 1602报价既具有部门
擦除和块擦除模式。部门架构
基于对2K字均匀扇区大小。块擦除
模式是基于32K字的均一的块大小。该
通过执行一个6字节的启动扇区擦除操作
与扇区擦除命令的命令序列（ 30H ）
和扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。该块 -
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
用块擦除命令（ 50H ）和命令序列
块地址（ BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。请参阅图10和11为
时序波形和图24的流程图。任何
该部门或块擦除操作期间发出的命令
ATION被忽略。当WP＃为低电平时，任何企图以部门
（块擦除）擦除受保护的块将被忽略。中
命令序列， WP ＃应静态地保持
高还是低。
读
该SST39WF1601的读操作/ 1602 CON-
通过CE＃和OE ＃受控，都具有很低的系
统，以获得从所述输出数据。 CE＃被用于
设备选择。当CE＃为高电平时，芯片是dese-
lected只有待机功耗。 OE ＃是
输出控制，并从所述输出用于门控数据
销。数据总线是在高阻抗状态
CE＃或OE ＃为高电平。请参见读周期时序
图作进一步的详细信息（图4）。
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数据表
擦除暂停/擦除恢复命令
在擦除暂停操作暂时挂起
部门或块擦除操作从而使数据能够
从任何存储单元读取或程序数据到任何
行业/未暂停擦除操作块。
该操作通过发出一个字节的命令执行
序列擦除暂停命令（ B0H ） 。该
设备会自动通常在20进入阅读模式
微秒后擦除暂停命令已发出。
有效数据可从没有任何部门或块被读
暂停擦除操作。阅读地址
擦除暂停扇区/块将输出中的位置
DQ
2
触发和DQ
6
在“1”。而在擦除暂停
模式，允许除了一个字编程操作
扇区或块中选择擦除暂停。
要恢复扇区擦除或具有块擦除操作
被暂停的系统必须发出擦除恢复
命令。该操作通过发出一个字节执行
与擦除恢复命令命令序列（ 30H ）
在最后一个字节序列的任何地址。
写操作状态检测
该SST39WF1601 / 1602提供了两种软件方法来
检测完成后写（编程或擦除）周期，
为了优化系统写周期时间。该软
洁具的检测包括两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式之后的WE ＃的上升沿，这ini-启用
tiates内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃ Poll-
荷兰国际集团或翻转位的读操作可以同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了预
泄杂散抑制，如果一个错误的结果发生时，该
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
芯片擦除操作
该SST39WF1601 / 1602提供了全片擦除操作，
这允许用户将擦除整个存储器阵列，以
的“1”状态。此，当整个装置必须是有用
快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列
（10H） ，在地址5555H中的最后一个字节序列。该
擦除操作开始与第六的上升沿
WE＃或CE ＃ ，以先到为准。在擦除
操作时，唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。
看该命令序列表6 ，图10为时序
荷兰国际集团图，图24为流程图。所有的COM
全片擦除操作期间发出的要求主要
忽略不计。当WP＃为低电平时，任何试图芯片擦除操作会
被忽略。在命令序列期间， WP＃应
静态地保持为高电平或低电平。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39WF1601 / 1602顷在内部亲
克操作，任何尝试读取DQ
7
将产生的
配合真实的数据。一旦程序运行
完成后， DQ的
7
将产生真正的数据。请注意，即使
虽然DQ
7
可有有效的数据紧随
在内部写操作完成后，将剩余的
数据输出仍然可能是无效的：在整个有效数据
数据总线将出现在后续读
1微秒的时间间隔后循环。在内部擦除操作
ATION ，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，数据＃查询后有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图7为
数据＃查询时序图和图21的流程图。
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翻转位（ DQ6和DQ2 ）
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
将产生交变'1'
和'0' ，即0. 1至切换当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。对于扇区擦除，块或片擦除，翻转位（ DQ
6
)
是后6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿有效。
DQ
6
将被设置为'1'，如果执行读操作，尝试对
擦除暂停的扇区/块。如果程序运行已以启动
tiated在没有选择的扇区/块擦除暂停
模式， DQ
6
将切换。
另外一个触发位可在DQ
2
，它可以是
与DQ配合使用
6
检查是否一个特定的
部门正在积极擦除或擦除暂停。表1
列出了详细的状态位信息。切换位
（ DQ
2
）是经过的最后一个WE ＃ （或CE ＃上升沿有效）
脉冲写入操作。参见图8的翻转位时序
图，图21为一个流程图。
表1 ：写操作状态
状态
正常
标准
操作计划
标准
抹去
使用擦除
暂停
模式
从阅读
擦除暂停
扇区/块
从阅读
非擦除暂停
扇区/块
节目
硬件块保护
该SST39WF1602支持顶部硬件块保护
化，保护装置的顶部32K字块。
该SST39WF1601支持底层硬件模块亲
tection ，它保护的底部32K字块
装置。引导块地址范围中所描述
表2.编程和擦除操作是防止上
在32K字当WP＃为低。如果WP ＃悬空，它是
通过一个上拉电阻器，并且所述引导内部保持高
块不受保护，使编程和擦除操作
该系统蒸发散块上。
表2 ：引导块地址范围
产品
底部引导块，
SST39WF1601
热门引导块
SST39WF1602
0F8000H-0FFFFFH
T2.0 1297
地址范围
000000H-007FFFH
DQ
7
DQ
7
#
0
1
DQ
6
切换
切换
1
DQ
2
无切换
切换
切换
硬件复位（ RST ＃ ）
在RST ＃引脚提供了复位的硬件方法
设备读取阵列的数据。当RST ＃引脚保持低电平
对于至少吨
RP ，
任何正在进行的操作将终止，而
返回到读取模式。如果没有内部编程/擦除
操作过程中， T的最小周期
RHR
is
后RST ＃所需的驱动为高电平前有效的阅读能
发生（参见图16） 。
已中断的擦除或编程操作
需要设备恢复正常后才能重新开始
操作模式，以确保数据的完整性。
数据
数据
数据
DQ
7
#
切换
不适用
T1.0 1297
注意：
DQ
7
和DQ
2
阅读时需要一个有效的地址
状态信息。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39WF1601 / 1602提供了JEDEC核准
对于所有数据修改软件数据保护方案
操作，即编程和擦除。任何程序操作
化需要包含三字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。这些设备随
软件数据保护永久启用。请参阅表
6为特定的软件命令代码。在SDP
命令序列，无效命令会中止
设备T内读取模式
RC 。
DQ的内容
15
-DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
但任何其他值，在任何的SDP的COM
命令序列。
数据保护
该SST39WF1601 / 1602同时提供硬件和软件
洁具功能，以防止意外的非易失性数据
写道。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
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数据表
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39WF1601 / 1602包含CFI信息
描述了器件的特性。该
SST39WF1601 / 1602支持原SST CFI查询
模式，实现与现有SST兼容
设备以及一般CFI查询模式。双方将
在随后的段落来解释。
为了进入SST CFI查询模式，系统
必须写入3字节的序列，相同的产物
与98H （ CFI查询命令）来标识项命令
地址5555H中的最后一个字节序列。一旦设备
进入CFI查询模式下，系统可以在读取的CFI数据
到9所述的系统在表7-9中给出的地址
必须写入CFI退出命令返回到阅读模式
从CFI查询模式。
为了进入一般CFI查询模式，系统
必须写与输入命令的一个字节的序列
98H到55H地址。一旦设备进入CFI
查询模式下，系统可以读取在CFI的数据
9.通过系统必须在表7中给出的地址
写入CFI退出命令返回到读取模式
CFI查询模式。
产品标识模式退出/
CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，将设备返回到读取模式。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/
一个内部计划中CFI退出命令被忽略或
擦除操作。参见表6软件命令
码，图14为时序波形，图22和
23的流程图。
安全ID
该SST39WF1601 / 1602器件提供了256位保安
ID空间。安全ID空间被分成两个128位
段 - 一个工厂编程段和一个
用户程序段。第一段是亲
编程并锁定SST一个随机的128位编号
误码率。用户段保留未编程的
如所希望的顾客进行编程。
编程安全ID的用户段，用户
必须使用安全ID字编程命令。对
检测结束了，写了SEC的ID ，可以读取翻转位。办
不要使用数据＃投票。一旦完成，安全ID
应使用用户安全ID计划锁定功能被锁定。
这将禁用该空间中的任何未来的腐败。注意
不管安全ID是否被锁定，既不
秒ID段可以被擦除。
安全ID空间可以通过执行一个三查询
字节的命令序列，进入安全ID命令
（ 88H ）地址5555H中的最后一个字节序列。要退出
这种模式下，退出安全ID命令应该被执行。
请参考表6的更多细节。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST39WF1601 ， SST39WF1602和制造商为
SST 。这种模式可以被存取的软件操作。
用户可以使用该软件产品标识操作
重刑确定的部分（即，使用设备ID ）时，
使用多个厂家在同一个插座上。为
详细信息，请参阅表6为软件操作，图12
软件ID进入和读取时序图和图 -
URE 22的软件ID进入命令序列
流程图。
表3 ：产品标识
地址
制造商ID
器件ID
SST39WF1601
SST39WF1602
0001H
0001H
BF274B
BF274A
T3.0 1297
数据
BFH
0000H
2009硅存储技术公司
S71297-05-000
11/09
5
QQ：2881677436 复制
