8兆位（ X16 ）多用途闪存
SST39WF800A
SST39WF800A1.8V为8MB（ X16 ）强积金内存
数据表
产品特点：
组织为512K X16
单电压读写操作
– 1.65-1.95V
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：5 mA（典型值）
- 待机电流： 5 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
块擦除功能
- 统一32K字块
快速读取访问时间
= 90纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字编程
- 扇区擦除时间： 36毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 36毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 140毫秒（典型值）
- 字编程时间： 28 μs（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
- 48球WFBGA （ 5× 6毫米）微型封装
- 48球XFLGA （ 5× 6毫米）微型封装
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST39WF800A装置是512K x16的CMOS多
通用闪存（ MPF）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST39WF800A写（亲
克或擦除）与1.65-1.95V电源。这
器件符合JEDEC标准引脚分配
X16的回忆。
特色
高性能
字编程，
该
SST39WF800A设备提供了一个典型字编程
28微秒的时间。该设备采用翻转位或数据＃ Poll-
荷兰国际集团检测完成计划或擦除操作
化。为了防止意外写操作，它具有片
硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用，该器件提供了一个保证典型
续航能力为10万次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39WF800A装置适合于应用
需要程序方便和经济的升级，
配置或数据存储器。对于所有系统应用，
它显著提高了性能和可靠性，同时
降低功耗。它本质上使用更少的能源
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擦除和编程比其他闪存技时
吉斯。当编程闪存设备，总能量
消耗是所施加电压的函数，电流和
应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则
SuperFlash技术的编程电流小，
具有更短的擦除时间，总的能量过程中消耗
任何擦除或编程操作小于替代
闪存技术。这些器件还可以提高灵活性
同时降低成本为程序，数据和配置
存储的应用程序。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
以满足表面安装的要求， SST39WF800A
48球TFBGA封装和48球，还提供微
套餐。参见图3和图2的引脚分配。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
8兆位多用途闪存
SST39WF800A
数据表
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39WF800A同时提供扇区擦除
和块擦除模式。扇区结构是基于
上的2K字均匀的扇区大小。块擦除模式
是一种基于32K字的均匀的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列块擦除命令（ 50H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序
荷兰国际集团的波形。在扇区中发出的任何命令
或块擦除操作将被忽略。
读
该SST39WF800A的读操作是由控制
CE＃和OE ＃ ，既要低的系统，以获得
从输出数据。 CE＃用于器件选择。
当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只待机
功率消耗。 OE＃为输出控制，并用于
从门控输出引脚的数据。数据总线是在高
阻抗状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。请参阅
了解更多详情的读周期时序图（图4） 。
字编程操作
该SST39WF800A被编程在字的字
的基础。在编程之前，扇区所在的字
存在必须完全擦除。程序操作
完成三个步骤。第一步是三字节
软件数据保护负载序列。第二个
第一步是加载的字地址，字数据。在
字编程操作时，地址锁存的
任CE ＃或WE ＃下降沿，最后的为准。
该数据被锁存，在CE＃的上升沿或
WE＃ ，以先到为准。第三步是在内部
这是以后的上升沿启动程序操作
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。亲
克操作，一旦启动，将在40完成
微秒。参见图5和图6为WE＃和CE ＃控制的亲
克操作时序图，图15为液流 -
图表。在编程操作期间，仅有的有效读
是数据＃查询和翻转位。在内部亲
克操作，主机可以自由地执行其他任务。
内部编程过程中发出的任何命令操作
化被忽略。
芯片擦除操作
该SST39WF800A提供了全片擦除操作，
这允许用户将擦除整个存储器阵列，以
的“1”状态。此，当整个装置必须是有用
快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列，图8为时序图，
和图18的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
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SST39WF800A
数据表
写操作状态检测
该SST39WF800A提供了两种软件方法来
检测完成后写（编程或擦除）周期，
为了优化系统写周期时间。该软
洁具的检测包括两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式之后的WE ＃的上升沿，这ini-启用
tiates内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
数据保护
该SST39WF800A提供硬件和软件
功能，以防止非易失性数据免受意外写操作。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.0V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39WF800A提供了JEDEC核准软
洁具的数据保护方案的所有数据修改操作
系统蒸发散，即编程和擦除。任何编程操作
需要包含三字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。这组设备是随
软件数据保护永久启用。看
表4为特定的软件命令代码。中
SDP命令序列，无效命令会中止
设备T内读取模式
RC
。 DQ的内容
15
-
DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
但任何其他值，在任何的SDP
命令序列。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39WF800A是在内部编程操作
ATION ，任何尝试读取DQ
7
将产生的完井
换货的真实数据。一旦程序操作
完成后， DQ
7
将产生真正的数据。请注意，即使
虽然DQ
7
可有有效的数据紧随
在内部写操作完成后，将剩余的
数据输出仍然可能是无效的：在整个有效数据
数据总线将出现在后续读
1微秒的时间间隔后循环。在内部擦除操作
ATION ，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，数据＃查询后有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图7为
数据＃查询时序图和图16的流程图。
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39WF800A还包含CFI信息
描述了器件的特性。为了进入
CFI查询模式，系统必须写三个字节
顺序相同与98H软件ID进入命令
（ CFI查询命令），以解决5555H中的最后一个字节
序列。参见图11的时序图。一旦
器件进入CFI查询模式，系统可以读取
在通过7.在表5中给出的地址的CFI数据
系统必须写入CFI退出命令返回到阅读
模式从CFI查询模式。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位后的第四个上升沿有效。
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，切换位后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。参见图0-1为瓶酒
GLE位时序图和图16的流程图。
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SST39WF800A
数据表
X解码器
超快闪
内存
内存地址
地址缓冲器&门锁
y解码器
CE＃
OE ＃
WE＃
DQ15 - DQ0
1258 B1.0
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
图1 ：功能框图
TOP VIEW （球朝下）
SST39WF800A
6
A2
A4
A3
A5
A6
A7
A18
A17
NC
NC
NC
WE＃
NC
NC
A9
A10
A8
A11
A13
A12
A14
A15
5
A1
4
A0
3
CE＃
DQ8 DQ10
OE ＃ DQ9
NC
NC
DQ4 DQ11 A16
DQ5 DQ6 DQ7
1258 48 WFBGA M2Q P020
2
V
SS
1
DQ0 DQ1 DQ2 DQ3
V
DD
DQ12 DQ13 DQ14 DQ15 V
SS
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
图2 ：引脚分配48球WFBGA和48球XFLGA
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