8兆位（ 512K ×16位）多用途闪存
SST39VF800Q / SST39VF800
超前信息
产品特点：
组织为512 ; K X 16
单2.7-3.6V读写操作
V
DDQ
电源支持5V的I / O
对于SST39VF800Q
- V
DDQ
不SST39VF800提供
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：15 mA（典型值）
- 待机电流： 3 μA （典型值）
- 自动节能模式： 3 μA （典型值）
小扇区擦除功能（ 256个扇区）
- 统一2K字扇区
块擦除能力（ 16块）
- 统一32K字块
快速读取访问时间：
- 70和90纳秒
产品说明
该SST39VF800Q / VF800设备是512K ×16
CMOS多用途闪存（ MPF）与制造
SST专有的高性能CMOS超快闪
技术。分裂栅单元设计和厚氧化
隧穿注入器可实现更高的可靠性和
制造与其他方法相比。
该SST39VF800Q / VF800写（编程或擦除）
用2.7-3.6V电源。该SST39VF800Q /
VF800符合JEDEC标准的引脚排列X16
回忆。
拥有高性能的Word程序时，
SST39VF800Q / VF800设备提供了一个典型字
14微秒的节目时间。整个内存可以典型
美云进行擦除和编程的字的字中8
秒，在使用界面功能，如切换
位或数据＃投票指示完成计划
操作。为了防止意外写操作时，
SST39VF800Q / VF800具有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用中，光谱
SST39VF800Q / VF800提供了保证
续航能力达10000次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39VF800Q / VF800设备适合于应用程序
需要方便和经济更新阳离子
的程序，配置或数据存储器。对于所有的系
统的应用， SST39VF800Q / VF800显
着地提高性能和可靠性，同时低级
荷兰国际集团的功耗。该SST39VF800Q / VF800 IN-
锁存地址和数据
快速扇区擦除和Word程序：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：8秒（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
写检测结束
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 6× 8球TFBGA
擦除和编程比在herently使用更少的能源
其他闪存技术。在总能源
SUMED是所施加电压的函数，电流和
应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则
SuperFlash技术的编程电流小，
具有更短的擦除时间，总的能量消耗
任何擦除或编程操作时小于
其他闪存技术。该SST39VF800Q /
VF800还可以提高灵活性，同时降低了成本
程序，数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和
程序倍，独立擦除的数目/
已发生的项目周期。因此，系
统软件或硬件没有被修改
或降额，这一点不同于其他闪存技
与nologies ，其擦除和编程时间增加
累积的擦除/编程周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39VF800Q / VF800提供48引脚TSOP和
48引脚TFBGA封装。请参阅图1和图2为
引脚排列。
设备操作
命令用于启动存储器操作
该装置的功能。命令被写入到
器件采用标准的微处理器写序列。
在写入命令时将WE＃置为低电平，同时
CE＃保持低电平。地址总线被锁存的
下降沿WE＃或CE＃ ，最后为准。该
数据总线被锁定在WE＃或CE ＃的上升沿，
以先到为准。
1
2
3
4
5
6
7
8
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10
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15
16
1999硅存储技术， Inc.The SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ，Inc.的商标强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
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规格若有变更，恕不另行通知。
1
8兆位多用途闪存
SST39VF800Q / SST39VF800
超前信息
该SST39VF800Q / VF800也有
自动低
动力
模式，使器件在附近待机模式
数据后已经被访问同一个有效的读操作。
这降低了我
DD
从典型的15主动读取电流
mA至一般为3 μA 。自动低功耗模式减少
典型的我
DD
至1 mA / MHz范围内有效的读电流
读周期时间。器件退出自动低功耗
任何地址变换或控制信号跃迁模式
化用于启动另一个读周期，没有访问时间
点球。
读
该SST39VF800Q的读操作/ VF800所配置
通过CE＃和OE ＃受控，都具有很低的系统
以获得从所述输出数据。 CE＃用于器件
选择。当CE＃为高电平时，芯片被取消选中，
只有待机功耗。 OE＃为输出控制
并用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线
处于高阻抗状态，当CE＃或OE ＃为高电平。
请参考更多详细信息的读周期时序图
（图3） 。
字编程操作
该SST39VF800Q / VF800编程在字处理
由字的基础。在编程操作包括三个
步骤。第一步是为三字节序列载荷
软件数据保护。第二步骤是要加载字
地址和文字数据。在Word程序操作
化，该地址被锁存，下降沿或者
CE ＃或WE ＃ ，最后的为准。该数据被锁存
任CE ＃或WE ＃上升沿，以先到为准
第一。第三步是内部编程操作这
在第4个WE ＃或CE ＃上升沿开始，
以先到为准。编程操作，一旦initi-
ated ，将在20 μs内完成。请参阅图4和图5
对于WE＃和CE ＃控制的编程操作时序
图和图16为流程图。在亲
克操作，唯一有效的读操作是数据＃投票和
触发位。在内部编程操作，主机
可以自由地执行其他任务。发出的任何命令
内部程序运行过程中被忽略。
扇区/块擦除操作
扇区/块擦除操作可以使系统
擦除一个扇区到扇区的装置（或块逐块）
的基础。该SST39VF800Q / VF800提供小型部门
擦除和块擦除模式。部门架构
基于对2K字均匀扇区大小。块擦除
模式是基于32K字的均一的块大小。该
通过执行一个六字节级启动扇区擦除操作
与扇区擦除命令的命令序列（ 30H ）
和扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。地址
线A11 -A18用于确定扇区地址。
通过执行六开始的块擦除操作
1999硅存储技术公司
用块擦除命令字节的命令序列
（ 50H ），并在最后一个总线周期块地址（ BA ） 。该
地址线A15 -A18用于确定该块
地址。扇区或块地址被锁存的
属于6个WE＃脉冲的边缘，而命令
（ 30H或50H ）被锁存的6个WE＃上升沿
脉搏。内部擦除操作开始后第六
WE＃脉冲。擦除操作结束才能确定
通过数据＃查询或翻转位的方法。看
图9和图10为时序波形。任何命令
该部门或块擦除操作期间发出的
忽略不计。
芯片擦除操作
该SST39VF800Q / VF800提供芯片擦除操作
化，从而允许用户将擦除整个存储器阵列
到“1”状态。这是有用的，当整个装置必须
快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列
（10H） ，在地址5555H中的最后一个字节序列。该
擦除操作开始与第六的上升沿
WE＃或CE ＃ ，以先到为准。在擦除
操作时，唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。
看该命令序列表4 ，图8为定时
图，图19为流程图。任何命令
芯片擦除操作期间发出的被忽略。
写操作状态检测
该SST39VF800Q / VF800提供了两种软件的手段
检测完成写（编程或擦除）的
周期中，为了优化系统写周期时间。该
软件检测包含两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写检测结束
模式后的WE＃上升沿使这
启动内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以
无论使用哪种DQ冲突
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，该软件例行程序
齿应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39VF800Q / VF800是在内部亲
克操作，任何尝试读取DQ
7
将产生的
配合真实的数据。一旦程序运行
完成后， DQ的
7
将产生真正的数据。该装置是
2
343-04 2/99
8兆位多用途闪存
SST39VF800Q / SST39VF800
超前信息
然后准备下一次操作。在内部擦除
操作中，任何尝试读取DQ7将产生一个'0'。一旦
完成内部擦除操作， DQ7将亲
达斯一个'1'。该数据＃查询后上升沿有效
第四WE ＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。为
界，阻止或片擦除，数据＃查询后有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图6
为一个数据＃查询时序图，图17
流程图。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1的
和0 ，即0。 1至切换当内部
编程或擦除操作完成时， DQ6位将
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位后的第四个上升沿有效。
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于行业，
块或片擦除，切换位后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。参见图7为切换
位的时序图和图17为一个流程图。
数据保护
该SST39VF800Q / VF800同时提供硬件和
软件功能以防止不经意的非易失性数据
耳鼻喉科写道。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于
5纳秒不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39VF800Q / VF800提供了JEDEC核准
对于所有数据修改软件数据保护方案
操作，即编程和擦除。任何程序操作
化需要包含三个字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。该SST39VF800Q / VF800设备
与软件数据保护永久发货
启用。请参阅表4为特定的软件命令
码。在SDP命令序列，无效的COM
指令都会中止器件T内阅读模式
RC
。该
DQ内容
15
-DQ
8
是“不关心”过程中的任何SDP
命令序列。
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39VF800Q / VF800还包含CFI信息
灰来描述器件的特性。为了
进入CFI查询模式，系统必须写三
字节序列，同时与产品ID进入命令
98H （ CFI查询命令）来解决5555H在最后
字节序列。一旦设备进入CFI查询
模式下，该系统可以在给定的地址读出的CFI数据
在表5至7系统必须写入CFI退出
命令返回到从CFI查询阅读模式
模式。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST39VF800Q ， SST39VF800和制造商为
SST 。该模式可以通过硬件或软件进行访问
操作。对硬件的操作通常由一个
程序员，以确定正确的算法为
SST39VF800Q / VF800 。用户可能希望使用软
洁具产品识别动作识别部
（即，使用该设备的代码），当使用多个制造
商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表3
硬件操作或表4中的软件操作，
图11为软件ID进入和读取时序
图和图18的ID进入命令序列
流程图。
T
ABLE
1: P
RODUCT
I
DENTIFICATION
T
ABLE
地址
制造商代码
器件代码
0000H
0001H
数据
00BFH
2781H
343 PGM T1.0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
产品标识模式退出/ CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished SE-
quence ，它返回到设备的读操作。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/ CFI
内部程序中的退出命令被忽略或
擦除操作。参见表4软件命令代码，
图13为定时波形和图18的流程图。
V
DDQ
- I / O电源
此功能仅适用于SST39VF800Q 。这
引脚用作电源引脚的输入/输出缓冲器。它
应该连接到V
DD
（ 2.7-3.6V ），在3.0V - only系统。它
在应连接到5.0V ± 10 ％ （ 4.5-5.5V ）供电
混合电压系统环境下，闪存
已进行接口与5V系统芯片。在V
DDQ
引脚
对SST39VF800没有提供，取而代之的则是一个无连接
引脚。
3
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1999硅存储技术公司
8兆位多用途闪存
SST39VF800Q / SST39VF800
超前信息
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
8,388,608位
EEPROM
电池阵列
X解码器
A18 - A0
地址缓冲器&门锁
y解码器
CE＃
OE ＃
WE＃
DQ15 - DQ0 VDDQ
343 ILL B1.0
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
NC
NC
NC
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
标准引脚
顶视图
死亡最多
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
VDDQ
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VDD
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
343 ILL1.0
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
NC
NC
NC
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
标准引脚
顶视图
死亡最多
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
NC
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VDD
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
343 ILL1a.0
SST39VF800Q
SST39VF800
F
IGURE
1: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
48-
针
TSOP P
ACKAGES
A
B
C
D
E
F
顶部
意见
A
B
C
D
E
F
顶部
意见
1
A3
A7
A17
A6
A5
DQ0
NC
NC
A18
NC
WE＃
NC
NC
NC
A9
A8
A10
A11
A13
1
A3
A7
A17
A6
A5
DQ0
NC
NC
A18
NC
WE＃
NC
NC
NC
A9
A8
A10
A11
A13
A12
A14
A15
A16
NC
2
A4
A12
2
A4
3
A2
A14
3
A2
4
A1
A15
4
A1
5
A0
DQ2 DQ5 DQ7
A16
5
A0
DQ2 DQ5 DQ7
6
7
8
CE＃ DQ8 DQ10 DQ12 DQ14 VDDQ
OE ＃ DQ9 DQ11 VDD DQ13 DQ15
VSS DQ1
DQ3 DQ4 DQ6
VSS
6
CE＃ DQ8 DQ10 DQ12 DQ14
7
8
OE ＃ DQ9 DQ11 VDD DQ13 DQ15
VSS DQ1
DQ3 DQ4 DQ6
VSS
SST39VF800Q
343 ILL2.3
SST39VF800
343 ILL2a.2
F
IGURE
2: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
48-
球
TFBGA
1999硅存储技术公司
4
343-04 2/99
8兆位多用途闪存
SST39VF800Q / SST39VF800
超前信息
T
ABLE
2: P
IN
D
ESCRIPTION
符号
引脚名称
A
18
-A
0
地址输入
功能
提供的内存地址。在扇区擦除一个
18
-A
11
地址线
将选择的行业。在块擦除
18
-A
15
地址线用于选择
块。
要在读周期输出数据和接收过程中写入的输入数据
周期。数据在写周期期间内部锁存。的输出是在
三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE＃为低。
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作。
提供3伏电源（ 2.7-3.6V ）
提供输入/输出缓冲力量。应当要么连接到V
DD
（ 2.7 - 3.6V ）为3V I / O或一个5.0V （ 4.5 - 5.5V ）电源
支持5V的I / O 。 （不提供SST39VF800设备上，取而代之的则是一个NC ）
未连接引脚。
343 PGM T2.0
1
2
3
4
5
6
7
DQ
15
-DQ
0
数据输入/输出
CE＃
OE ＃
WE＃
V
DD
V
DDQ
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
I / O电源
VSS
NC
地
无连接
T
ABLE
3: O
PERATION
M
副执行秘书办公室
S
选举
模式
CE＃
OE ＃
读
V
IL
V
IL
节目
V
IL
V
IH
抹去
V
IL
V
IH
待机
写禁止
产品标识
硬件模式
软件模式
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
X
V
IL
X
V
IL
V
IL
WE＃
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IH
V
IH
V
IH
A9
A
IN
A
IN
X
X
X
X
V
H
A
IN
DQ
D
OUT
D
IN
X
高Z
高Z / D
OUT
高Z / D
OUT
制造商代码（ 00BF ）
设备代码（ 2781 ）
地址
A
IN
A
IN
扇区或块地址，
XXh时对芯片擦除
X
X
X
A
18
- A
1
= V
IL
, A
0
= V
IL
A
18
- A
1
= V
IL
, A
0
= V
IH
见表4
343 PGM T3.0
8
9
10
11
12
13
14
15
16
1999硅存储技术公司
5
343-04 2/99
QQ：2880707522 复制
