64兆位（ X16 ）多用途闪存+
SST39VF6401B / SST39VF6402B
SST39VF640xB2.7V 64兆（ X16 ） MPF +记忆
数据表
产品特点：
组织为4M X16
单电压读写操作
– 2.7-3.6V
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：9 mA（典型值）
- 待机电流： 3 μA （典型值）
- 自动节能模式： 3 μA （典型值）
硬件块保护/ WP ＃输入引脚
- 热门块保护（上32K字）
对于SST39VF6402B
- 底部块保护（底部32K字）
对于SST39VF6401B
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
块擦除功能
- 统一32K字块
芯片擦除功能
擦除暂停/擦除恢复功能
硬件复位引脚（ RST ＃ ）
安全-ID功能
- SST ： 128位;用户： 128位
快速读取访问时间：
= 70纳秒
= 90纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 40毫秒（典型值）
- 字编程时间： 7 μs（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 翻转位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚分配
- 软件命令序列的兼容性
- 地址格式为11位，A
10
-A
0
- 块擦除第六总线写周期为30H。
- 扇区擦除第六总线写周期是50H
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TFBGA （8毫米X 10毫米）
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
配置或数据存储器。对于所有系统应用，
它们显著提高性能和可靠性，同时
降低功耗。他们天生少用
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
技术。所消耗的总能量是的函数
所施加的电压，施加电流和时间。自
对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术
使用编程电流更低，并具有擦除时间更短，
在任何擦除或编程所消耗的总能量
操作低于其他闪存技术。这些
器件还可以提高灵活性，同时降低了成本
程序，数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39VF640xB器件采用48引脚TSOP和
48球TFBGA封装。请参阅图1和图2为销
分配。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
产品说明
该SST39VF640xB设备是4M x16的CMOS多
目的闪存+ （ MPF + ）与SST的亲制造
专有的，高性能CMOS SuperFlash技术。
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST39VF640xB写（亲
克或擦除）用2.73.6V电源。这些
器件符合JEDEC标准引脚分配
X16的回忆。
具有高性能的字编程能力，
SST39VF640xB设备提供了一个典型字编程
7微秒的时间。这些器件使用翻转位或数据＃ Poll-
荷兰国际集团表示完成计划操作。要亲
TECT防止误写入，他们有片上硬件
和软件数据保护方案。设计，制造
factured ，并测试了广泛的应用范围，
这些器件提供了一个保证典型endur-
ANCE 10万次。数据保留的额定功率为更大
超过100年。
该SST39VF640xB设备适合于应用
需要程序方便和经济的升级，
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数据表
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
该SST39VF640xB也有
自动低功耗
模式，使器件在附近待机模式后，
数据已经被浏览了有效的读操作。这
降低了我
DD
从通常为9 mA至有效的读电流
一般为3 μA 。自动低功耗模式，降低了典型
CAL我
DD
到2毫安/ MHz范围内有效的读电流
读周期时间。器件退出自动低功耗
任何地址变换或控制信号转换模式
用于启动另一个读周期，没有访问时间
点球。注意，该设备不进入自动低
上电后用CE ＃功耗模式稳定保持低电平，
直到第一次地址变换或CE ＃驱动为高电平。
内部编程过程中发出的任何命令操作
化被忽略。在命令序列期间， WP ＃
应静态地保持高或低。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39VF640xB提供两个扇区擦除
和块擦除模式。扇区结构是基于
上的2K字均匀的扇区大小。块擦除模式
是一种基于32K字的均匀的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 50H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列块擦除命令（ 30H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 50H或30H ）被锁在
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序
荷兰国际集团的波形和图23的流程图。所有的COM
在扇区擦除或块擦除操作期间发出mands
将被忽略。当WP＃为低电平时，任何企图以部门
（块擦除）擦除受保护的块将被忽略。中
命令序列， WP ＃应静态地保持
高还是低。
读
该SST39VF640xB的读操作控制
通过CE＃和OE ＃ ，既要低，以便系统
获得的输出数据。 CE＃用于器件
选择。当CE＃为高电平时，芯片被取消选中，
只有待机功耗。 OE＃为输出CON-
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。该
数据总线处于高阻抗状态，当CE＃或
OE ＃为高电平。是指在读周期时序图
进一步的细节（图3） 。
擦除暂停/擦除恢复命令
在擦除暂停操作暂时挂起
部门或块擦除操作从而使数据能够
从任何存储单元读取或程序数据到任何
行业/未暂停擦除操作块。
该操作通过发出一个字节的命令执行
序列擦除暂停命令（ B0H ） 。该
设备会自动通常在20进入阅读模式
微秒后擦除暂停命令已发出。
有效数据可从没有任何部门或块被读
暂停擦除操作。阅读地址
擦除暂停扇区/块将输出中的位置
DQ
2
触发和DQ
6
在“1”。而在擦除暂停
模式，允许除了一个字编程操作
扇区或块中选择擦除暂停。
要恢复扇区擦除或具有块擦除操作
被暂停的系统必须发出擦除恢复
命令。该操作通过发出一个字节执行
与擦除恢复命令命令序列（ 30H ）
在最后一个字节序列的任何地址。
字编程操作
该SST39VF640xB被编程在字的字
的基础。在编程之前，扇区所在的字
存在必须完全擦除。程序操作
完成三个步骤。第一步是三字节
软件数据保护负载序列。第二个
第一步是加载的字地址，字数据。在
字编程操作时，地址锁存的
任CE ＃或WE ＃下降沿，最后的为准。
该数据被锁存，在CE＃的上升沿或
WE＃ ，以先到为准。第三步是在内部
这是以后的上升沿启动程序操作
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。亲
克操作，一旦启动，将在10完成
微秒。参见图4和图5为WE＃和CE ＃控制的亲
克操作时序图，图19为液流 -
图表。在编程操作期间，仅有的有效读
是数据＃查询和翻转位。在内部亲
克操作，主机可以自由地执行其他任务。
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芯片擦除操作
该SST39VF640xB提供了全片擦除操作，
这允许用户将擦除整个存储器阵列，以
的“1”状态。此，当整个装置必须是有用
快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列
（10H） ，在地址555H中的最后一个字节序列。该
擦除操作开始与第六的上升沿
WE＃或CE ＃ ，以先到为准。在擦除
操作时，唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。
看该命令序列表6 ，图9为时序
荷兰国际集团图，图23为流程图。所有的COM
全片擦除操作期间发出的要求主要
忽略不计。当WP＃为低电平时，任何试图芯片擦除操作会
被忽略。在命令序列期间， WP＃应
静态地保持为高电平或低电平。
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，数据＃查询后有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图6
数据＃查询时序图和图20为一个流程图。
翻转位（ DQ6和DQ2 ）
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
将产生交变'1'
和'0' ，即0. 1至切换当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。对于扇区擦除，块或片擦除，翻转位（ DQ
6
)
是后6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿有效。
DQ
6
将被设置为'1'，如果执行读操作，尝试对
擦除暂停的扇区/块。如果程序运行已以启动
tiated在没有选择的扇区/块擦除暂停
模式， DQ
6
将切换。
另外一个触发位可在DQ
2
，它可以是
与DQ配合使用
6
检查是否一个特定的
部门正在积极擦除或擦除暂停。表1
列出了详细的状态位信息。切换位
（ DQ
2
）是经过的最后一个WE ＃ （或CE ＃上升沿有效）
脉冲写入操作。参见图7翻转位时序
图，图20为一个流程图。
表1 ：W
RITE
O
PERATION
S
TATUS
状态
正常
标准
操作计划
标准
抹去
使用擦除
暂停
模式
从阅读
擦除暂停
扇区/块
从阅读
非擦除暂停
扇区/块
节目
写操作状态检测
该SST39VF640xB提供了两种软件方法来检测
在完成写的（编程或擦除）周期，
命令对系统进行优化的写周期时间。软件
检测包括两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
）和
切换位（ DQ
6
） 。写操作结束检测模式
后的WE ＃的上升沿，从而启动所述使能
内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃ Poll-
荷兰国际集团或翻转位的读操作可以同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了预
泄杂散抑制，如果一个错误的结果发生时，该
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
DQ
7
DQ
7
#
0
1
DQ
6
切换
切换
1
DQ
2
无切换
切换
切换
数据
数据
数据
DQ
7
#
切换
不适用
T1.0 1288
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39VF640xB是在内部编程
操作中，任何尝试读取DQ
7
将产生的COM
二进制补码的真实数据。一旦程序操作
完成后， DQ
7
将产生真正的数据。请注意，即使
虽然DQ
7
可有有效的数据紧随
在内部写操作完成后，将剩余的
数据输出仍然可能是无效的：在整个有效数据
数据总线将出现在后续读
1微秒的时间间隔后循环。在内部擦除操作
ATION ，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
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注意：
DQ
7
和DQ
2
阅读时需要一个有效的地址
状态信息。
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数据保护
该SST39VF640xB同时提供硬件和软件
功能，以防止非易失性数据免受意外写操作。
硬件复位（ RST ＃ ）
在RST ＃引脚提供了复位的硬件方法
设备读取阵列的数据。当RST ＃引脚保持低电平
对于至少吨
RP ，
任何正在进行的操作将终止，而
返回到读取模式。如果没有内部编程/擦除
操作过程中， T的最小周期
RHR
is
后RST ＃所需的驱动为高电平前有效的阅读能
发生（参见图15） 。
已中断的擦除或编程操作
需要设备恢复正常后才能重新开始
操作模式，以确保数据的完整性。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39VF640xB提供了JEDEC核准软
洁具的数据保护方案的所有数据修改操作
系统蒸发散，即编程和擦除。任何编程操作
需要包含三字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。这些设备随
软件数据保护永久启用。请参阅表
6为特定的软件命令代码。在SDP
命令序列，无效命令会中止
设备T内读取模式
RC 。
DQ的内容
15
-DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
但任何其他值，在任何的SDP的COM
命令序列。
硬件块保护
在SST39VF6402B支持顶部硬件块保护
化，保护装置的顶部32K字块。
在SST39VF6401B支持底层硬件模块亲
tection ，它保护的底部32K字块
装置。引导块地址范围中所描述
表2.编程和擦除操作是防止上
在32K字当WP＃为低。如果WP ＃悬空，它是
通过一个上拉电阻器，并且所述引导内部保持高
块不受保护，使编程和擦除操作
该系统蒸发散块上。
表2 ： B
OOT
B
LOCK
A
地址H1
R
安格斯
产品
底部引导块，
SST39VF6401B
热门引导块
SST39VF6402B
3F8000H-3FFFFFH
T2.0 1288
地址范围
000000H-007FFFH
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39VF640xB还包含CFI信息
描述了器件的特性。为了进入
CFI查询模式，系统必须写三个字节
顺序相同与98H产品ID进入命令
（ CFI查询命令），以解决555H中的最后一个字节
序列。一旦设备进入CFI查询模式，
该系统可以在给定的地址读出的CFI数据
表7 9系统必须写入CFI退出
命令返回到从CFI查询阅读模式
模式。
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产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
该SST39VF6401B和SST39VF6402B ，和说明书
商为SST。该模式可通过访问
软件操作。用户可以使用该软件产品
识别操作来识别部分（即使用
在相同的使用多个制造商时，设备ID ）
插座。有关详细信息，请参阅表6为软件操作，
图11为软件ID进入和读取时序dia-
克图21为软件ID进入命令
程序流程图。
表3 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39VF6401B
SST39VF6402B
0001H
0001H
236DH
236CH
T3.0 1288
安全ID
该SST39VF640xB器件提供了256位的安全ID
空间。安全ID空间被分成两个128位的段
ments - 一个工厂编程段和一个用户
程序段。第一段被编程
并锁定在SST一个随机的128位数字。用户
段保留未编程，供客户亲
克根据需要。
编程安全ID的用户段，用户
必须使用安全ID字编程命令。对
检测结束了，写了SEC的ID ，可以读取翻转位。办
不要使用数据＃投票。一旦完成，安全ID
应使用用户安全ID计划锁定功能被锁定。
这将禁用该空间中的任何未来的腐败。注意
不管安全ID是否被锁定，既不
秒ID段可以被擦除。
安全ID空间可以通过执行一个三查询
字节的命令序列，进入安全ID命令
（ 88H ）地址555H在最后一个字节序列。要退出
这种模式下，退出安全ID命令应该被执行。
请参考表6的更多细节。
数据
BFH
0000H
产品标识模式退出/
CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，将设备返回到读取模式。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/
一个内部计划中CFI退出命令被忽略或
擦除操作。参见表6软件命令
码，图13为时序波形，图21和图
22的流程图。
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QQ：2881677436 复制
