16兆位/ 32兆位/ 64兆位（ X16 ）多用途闪存+
SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
SST39VF160x /子320x / 640x2.7V 16兆/ 32MB / 64兆（ X16 ） MPF +记忆
数据表
产品特点：
组织为1M X16 ： SST39VF1601 / 1602
2M X16 ： SST39VF3201 / 3202
4M X16 ： SST39VF6401 / 6402
单电压读写操作
– 2.7-3.6V
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：9 mA（典型值）
- 待机电流： 3 μA （典型值）
- 自动节能模式： 3 μA （典型值）
硬件块保护/ WP ＃输入引脚
- 热门块保护（上32K字）
对于SST39VF1602 /六千四百零二分之三千二百零二
- 底部块保护（底部32K字）
对于SST39VF1601 /六千四百〇一分之三千二百〇一
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
块擦除功能
- 统一32K字块
芯片擦除功能
擦除暂停/擦除恢复功能
硬件复位引脚（ RST ＃ ）
安全-ID功能
- SST ： 128位;用户： 128位
快速读取访问时间：
= 70纳秒
= 90纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 40毫秒（典型值）
- 字编程时间： 7 μs（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 翻转位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）为16M和32M
- 48球TFBGA （8毫米X 10毫米）为64M
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST39VF160x / 320x的/ 640X器件X16 1M ，2M
分别为X16和X16 4M ， CMOS多用途
闪存+ （ MPF + ）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性比较
与其他方法。该SST39VF160x / 320x的/ 640X
写（编程或擦除）用2.73.6V电源。
这些器件符合JEDEC标准引脚排列
X16的回忆。
具有高性能的字编程能力，
SST39VF160x /子320x / 640X器件提供了一个典型字
7微秒节目时间。这些器件使用翻转位或
数据＃投票指示完成程序的操作
化。为了防止意外写操作，他们有片
硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用程序，这些设备提供了一个保证
10万次典型的耐力。数据额定保存
在100年以上。
该SST39VF160x /子320x / 640×装置适合于应用程序
需要的方便和经济更新阳离子
程序，配置或数据存储器。对于所有系统
的应用程序，它们显著提高性能和
可靠性，同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程过程中ently使用更少的能源比替代方案
本机闪存技术。所消耗的总能量是
所施加的电压的函数，电流和的应用时间
化。因为对于任何给定的电压范围内，则超快闪
技术使用的编程电流更低，并有一个较短的
擦除时间，在任何擦除的总能量消耗或
程序运行低于其他闪存技
吉斯。这些器件还可以提高灵活性，同时降低
成本为程序，数据和配置存储应用程序
阳离子。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其
擦除和编程累积次数的增加
擦除/编程周期。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
2005硅存储技术公司
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16兆位/ 32兆位/ 64兆位多用途闪存+
SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
数据表
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39VF160x /子320x / 640X提供48引脚TSOP
和48球TFBGA封装。请参阅图1和图2为
引脚分配。
第一。编程操作，一旦启动，将是的COM
在10μs内pleted 。参见图4和图5为WE＃和CE ＃
控制的编程操作时序图和图
19流程图。在编程操作时，只
有效的读操作是数据＃查询和翻转位。在
内部编程操作，主机可以自由地执行额外
tional任务。内部亲中发出的任何命令
克操作将被忽略。在命令
序， WP ＃应静态地保持高或低。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
该SST39VF160x / 320x的/ 640X也有
自动低
动力
模式，使器件在附近待命
数据后模式已被浏览了有效的阅读
操作。这降低了我
DD
从积极的读取电流
通常为9 mA至一般为3 μA 。自动低功耗模式
降低了典型I
DD
到2的范围内有效的读电流
的读周期毫安/ MHz的。器件退出自动低
电源模式与任何地址变换或控制信号
过渡用于启动另一个读周期，没有
访问时间损失。注意，该器件不会进入
上电后用CE ＃持有自动低功耗模式
稳定低，直到第一个地址变换或CE＃为
驱动为高电平。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39VF160x / 320x的/ 640X提供了两个见第
器，擦除和块擦除模式。部门架构
是基于对2K字均匀扇区大小。该块 -
擦除模式是基于32K字的均一的块大小。
通过执行六开始扇区擦除操作
与扇区擦除命令字节的命令序列
（30H ），并在最后一个总线周期扇区地址（SA） 。该
通过执行一个6字节的启动块擦除操作
用块擦除命令的命令序列（ 50H ）
和块地址（ BA ）在最后一个总线周期。部门或
块地址被锁存第六的下降沿
WE＃脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存，
第六WE ＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序
荷兰国际集团的波形和图23的流程图。所有的COM
在扇区擦除或块擦除操作期间发出mands
将被忽略。当WP＃为低电平时，任何企图以部门
（块擦除）擦除受保护的块将被忽略。中
命令序列， WP ＃应静态地保持
高还是低。
读
在SST39VF160x / 320x的/ 640X的读取操作
通过CE＃和OE ＃控制，都具有很低的
系统，以获得从所述输出数据。 CE＃被用于
设备选择。当CE＃为高电平时，芯片是dese-
lected只有待机功耗。 OE ＃是
输出控制，并从所述输出用于门控数据
销。数据总线是在高阻抗状态
CE＃或OE ＃为高电平。请参见读周期时序
图作进一步的详细信息（图3）。
擦除暂停/擦除恢复命令
在擦除暂停操作暂时挂起
部门或块擦除操作从而使数据能够
从任何存储单元读取或程序数据到任何
行业/未暂停擦除操作块。
该操作通过发出一个字节的命令执行
序列擦除暂停命令（ B0H ） 。该
设备会自动通常在20进入阅读模式
微秒后擦除暂停命令已发出。
有效数据可从没有任何部门或块被读
暂停擦除操作。阅读地址
擦除暂停扇区/块将输出中的位置
DQ
2
触发和DQ
6
在“1”。而在擦除暂停
模式，允许除了一个字编程操作
扇区或块中选择擦除暂停。
字编程操作
该SST39VF160x / 320x的/ 640X编程上
字由字的基础。在编程之前，扇区
这里所说的存在必须完全擦除。该计划
操作完成三个步骤。第一步是
软件数据保护的3字节装入序列。
第二步骤是要加载的字地址，字数据。
在字编程操作时，地址是
锁存，无论是CE＃下降沿或WE ＃ ，而─
发生过去年。该数据被锁存的上升沿
CE＃或WE＃ ，以先到为准。第三步是
这是后启动内部编程操作
第四WE ＃或CE ＃上升沿，以先到为准
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SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
数据表
要恢复扇区擦除或具有块擦除操作
被暂停的系统必须发出擦除恢复
命令。该操作通过发出一个字节执行
与擦除恢复命令命令序列（ 30H ）
在最后一个字节序列的任何地址。
荷兰国际集团在完成内部写操作时，
剩余的数据输出仍然可能是无效的：在有效数据
整个数据总线将出现在后续读
1微秒的时间间隔后循环。在内部擦除操作
ATION ，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，数据＃查询后有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图6
数据＃查询时序图和图20为一个流程图。
芯片擦除操作
该SST39VF160x / 320x的/ 640X提供了全片擦除操作
ATION ，它允许用户将擦除整个存储器
阵列到“1”状态。这是很有用的整个装置时
必须尽快清除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列
（10H） ，在地址5555H中的最后一个字节序列。该
擦除操作开始与第六的上升沿
WE＃或CE ＃ ，以先到为准。在擦除
操作时，唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。
看该命令序列表6 ，图9为时序
荷兰国际集团图，图23为流程图。所有的COM
全片擦除操作期间发出的要求主要
忽略不计。当WP＃为低电平时，任何试图芯片擦除操作会
被忽略。在命令序列期间， WP＃应
静态地保持为高电平或低电平。
翻转位（ DQ6和DQ2 ）
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
将产生交变'1'
和'0' ，即0. 1至切换当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。对于扇区擦除，块或片擦除，翻转位（ DQ
6
)
是后6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿有效。
DQ
6
将被设置为'1'，如果执行读操作，尝试对
擦除暂停的扇区/块。如果程序运行已以启动
tiated在没有选择的扇区/块擦除暂停
模式， DQ
6
将切换。
另外一个触发位可在DQ
2
，它可以是
与DQ配合使用
6
检查是否一个特定的
部门正在积极擦除或擦除暂停。表1
列出了详细的状态位信息。切换位
（ DQ
2
）是经过的最后一个WE ＃ （或CE ＃上升沿有效）
脉冲写入操作。参见图7翻转位时序
图，图20为一个流程图。
表1 ：W
RITE
O
PERATION
S
TATUS
状态
正常
标准
操作计划
标准
抹去
使用擦除
暂停
模式
从阅读
擦除暂停
扇区/块
从阅读
非擦除暂停
扇区/块
节目
写操作状态检测
该SST39VF160x / 320x的/ 640X提供了两种软件
方法来检测完成的写（编程或
擦除）循环中，为了优化系统写周期
时间。软件检测包含两个状态位：数据＃
投票（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。对了，写结束
检测模式后的WE ＃的上升沿使能
启动内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃ Poll-
荷兰国际集团或翻转位的读操作可以同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了预
泄杂散抑制，如果一个错误的结果发生时，该
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
DQ
7
DQ
7
#
0
1
DQ
6
切换
切换
1
DQ
2
无切换
切换
切换
数据
数据
数据
DQ
7
#
切换
不适用
T1.0 1223
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39VF160x /子320x / 640×都在内部
程序操作，任何尝试读取DQ
7
会产生
真数据的补码。一旦编程操作
值，我们完成了， DQ
7
将产生真正的数据。注意
即使DQ
7
可有有效数据立即采取后续
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注意：
DQ
7
和DQ
2
阅读时需要一个有效的地址
状态信息。
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SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
数据表
数据保护
该SST39VF160x / 320x的/ 640X提供硬件和
软件功能，以保护免受意外非易失性数据
写道。
硬件复位（ RST ＃ ）
在RST ＃引脚提供了复位的硬件方法
设备读取阵列的数据。当RST ＃引脚保持低电平
对于至少吨
RP ，
任何正在进行的操作将终止，而
返回到读取模式。如果没有内部编程/擦除
操作过程中， T的最小周期
RHR
is
后RST ＃所需的驱动为高电平前有效的阅读能
发生（参见图15） 。
已中断的擦除或编程操作
需要设备恢复正常后才能重新开始
操作模式，以确保数据的完整性。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39VF160x / 320x的/ 640X提供JEDEC
对所有数据已批准的软件的数据保护方案
修改操作，即编程和擦除。任何亲
克操作需要包含一个3字节
序列。三个字节装入序列用于启动
编程操作，提供最佳的保护
意外的写操作，如系统中
上电或断电。任何擦除操作要求
夹杂的6字节的序列。这些设备运
与软件数据保护永久启用。
请参阅表6为特定的软件命令代码。能很好地协同
荷兰国际集团SDP命令序列，无效命令会中止
该器件T内阅读模式
RC 。
DQ的内容
15
-
DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
但任何其他值，在任何的SDP
命令序列。
硬件块保护
在SST39VF1602 /六千四百零二分之三千二百零二支持顶部硬件块
保护，保护的顶部32K字块
装置。在SST39VF1601 /六千四百〇一分之三千二百〇一底部支撑
硬件块保护，可以保护底部32
该装置的KWord的块。引导块地址范围
在表2中编程和擦除操作说明
被阻止的32K字当WP＃为低。如果WP＃为
向左浮动，它是在内部保持通过上拉电阻高，
而引导块不受保护，使计划和
擦除块的操作。
表2 ： B
OOT
B
LOCK
A
地址H1
R
安格斯
产品
底部引导块，
SST39VF1601/3201/6401
热门引导块
SST39VF1602
SST39VF3202
SST39VF6402
0F8000H-0FFFFFH
1F8000H-1FFFFFH
3F8000H-3FFFFFH
T2.0 1223
地址范围
000000H-007FFFH
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39VF160x / 320x的/ 640X还包含CFI Infor公司
息来描述该装置的特性。在
为了进入CFI查询模式，系统必须写入
3字节的序列，相同的产品ID进入命令
与98H （ CFI查询命令）来解决5555H在
最后一个字节序列。一旦设备进入CFI查询
模式时，系统可以读取的地址的CFI数据
10.通过表7给出的系统必须写
CFI退出命令返回到从CFI阅读模式
查询方式。
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SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
数据表
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST39VF1601 ， SST39VF1602 ， SST39VF3201 ，
SST39VF3202 ， SST39VF6401 ， SST39VF6402和
制造商为SST。这种模式可以被访问的软
洁具操作。用户可以使用该软件产品
识别操作来识别部分（即使用
在相同的使用多个制造商时，设备ID ）
插座。有关详细信息，请参阅表6为软件操作，
图11为软件ID进入和读取时序dia-
克图21为软件ID进入命令
程序流程图。
表3 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39VF1601
SST39VF1602
SST39VF3201
SST39VF3202
SST39VF6401
SST39VF6402
0001H
0001H
0001H
0001H
0001H
0001H
234BH
234AH
235BH
235AH
236BH
236AH
T3.2 1223
安全ID
该SST39VF160x / 320x的/ 640X器件提供了256位
安全ID空间。安全ID空间被分成两个
128位段 - 一个工厂编程段和
一个用户程序段。第一段是亲
编程并锁定SST一个随机的128位编号
误码率。用户段保留未编程的
如所希望的顾客进行编程。
编程安全ID的用户段，用户
必须使用安全ID字编程命令。对
检测结束了，写了SEC的ID ，可以读取翻转位。办
不要使用数据＃投票。一旦完成，安全ID
应使用用户安全ID计划锁定功能被锁定。
这将禁用该空间中的任何未来的腐败。注意
不管安全ID是否被锁定，既不
秒ID段可以被擦除。
安全ID空间可以通过执行一个三查询
字节的命令序列，进入安全ID命令
（ 88H ）地址5555H中的最后一个字节序列。要退出
这种模式下，退出安全ID命令应该被执行。
请参考表6的更多细节。
数据
BFH
0000H
产品标识模式退出/
CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，将设备返回到读取模式。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/
一个内部计划中CFI退出命令被忽略或
擦除操作。参见表6软件命令
码，图13为时序波形，图21和图
22的流程图。
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SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
SST39VF160x /子320x / 640x2.7V 16兆/ 32MB / 64兆（ X16 ） MPF +记忆
初步规格
产品特点：
组织为1M X16 ： SST39VF1601 / 1602
2M X16 ： SST39VF3201 / 3202
4M X16 ： SST39VF6401 / 6402
单电压读写操作
– 2.7-3.6V
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：9 mA（典型值）
- 待机电流： 3 μA （典型值）
- 自动节能模式： 3 μA （典型值）
硬件块保护/ WP ＃输入引脚
- 热门块保护（上32K字）
对于SST39VF1602 /六千四百零二分之三千二百零二
- 底部块保护（底部32K字）
对于SST39VF1601 /六千四百〇一分之三千二百〇一
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
块擦除功能
- 统一32K字块
芯片擦除功能
擦除暂停/擦除恢复功能
硬件复位引脚（ RST ＃ ）
安全-ID功能
- SST ： 128位;用户： 128位
快速读取访问时间：
= 70纳秒
= 90纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 40毫秒（典型值）
- 字编程时间： 7 μs（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 翻转位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）为16M和32M
- 48球TFBGA （8毫米X 10毫米）为64M
产品说明
该SST39VF160x / 320x的/ 640X器件X16 1M ，2M
分别为X16和X16 4M ， CMOS多用途
闪存+ （ MPF + ）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性比较
与其他方法。该SST39VF160x / 320x的/ 640X
写（编程或擦除）用2.73.6V电源。
这些器件符合JEDEC标准引脚排列
X16的回忆。
具有高性能的字编程能力，
SST39VF160x /子320x / 640X器件提供了一个典型字
7微秒节目时间。这些器件使用翻转位或
数据＃投票指示完成程序的操作
化。为了防止意外写操作，他们有片
硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用程序，这些设备提供了一个保证
10万次典型的耐力。数据额定保存
在100年以上。
该SST39VF160x /子320x / 640×装置适合于应用程序
需要的方便和经济更新阳离子
程序，配置或数据存储器。对于所有系统
的应用程序，它们显著提高性能和
可靠性，同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程过程中ently使用更少的能源比替代方案
本机闪存技术。所消耗的总能量是
所施加的电压的函数，电流和的应用时间
化。因为对于任何给定的电压范围内，则超快闪
技术使用的编程电流更低，并有一个较短的
擦除时间，在任何擦除的总能量消耗或
程序运行低于其他闪存技
吉斯。这些器件还可以提高灵活性，同时降低
成本为程序，数据和配置存储应用程序
阳离子。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其
擦除和编程累积次数的增加
擦除/编程周期。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
2003硅存储技术公司
S71223-03-000
11/03
1
16兆位/ 32兆位/ 64兆位多用途闪存+
SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
初步规格
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39VF160x /子320x / 640X提供48引脚TSOP
和48球TFBGA封装。请参阅图1和图2为
引脚分配。
第一。编程操作，一旦启动，将是的COM
在10μs内pleted 。参见图4和图5为WE＃和CE ＃
控制的编程操作时序图和图
19流程图。在编程操作时，只
有效的读操作是数据＃查询和翻转位。在
内部编程操作，主机可以自由地执行额外
tional任务。内部亲中发出的任何命令
克操作将被忽略。在命令
序， WP ＃应静态地保持高或低。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
该SST39VF160x / 320x的/ 640X也有
自动低
动力
模式，使器件在附近待命
数据后模式已被浏览了有效的阅读
操作。这降低了我
DD
从积极的读取电流
通常为9 mA至一般为3 μA 。自动低功耗模式
降低了典型I
DD
到2的范围内有效的读电流
的读周期毫安/ MHz的。器件退出自动低
电源模式与任何地址变换或控制信号
过渡用于启动另一个读周期，没有
访问时间损失。注意，该器件不会进入
上电后用CE ＃持有自动低功耗模式
稳定低，直到第一个地址变换或CE＃为
驱动为高电平。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39VF160x / 320x的/ 640X提供了两个见第
器，擦除和块擦除模式。部门架构
是基于对2K字均匀扇区大小。该块 -
擦除模式是基于32K字的均一的块大小。
通过执行六开始扇区擦除操作
与扇区擦除命令字节的命令序列
（30H ），并在最后一个总线周期扇区地址（SA） 。该
通过执行一个6字节的启动块擦除操作
用块擦除命令的命令序列（ 50H ）
和块地址（ BA ）在最后一个总线周期。部门或
块地址被锁存第六的下降沿
WE＃脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存，
第六WE ＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序
荷兰国际集团的波形和图23的流程图。所有的COM
在扇区擦除或块擦除操作期间发出mands
将被忽略。当WP＃为低电平时，任何企图以部门
（块擦除）擦除受保护的块将被忽略。中
命令序列， WP ＃应静态地保持
高还是低。
读
在SST39VF160x / 320x的/ 640X的读取操作
通过CE＃和OE ＃控制，都具有很低的
系统，以获得从所述输出数据。 CE＃被用于
设备选择。当CE＃为高电平时，芯片是dese-
lected只有待机功耗。 OE ＃是
输出控制，并从所述输出用于门控数据
销。数据总线是在高阻抗状态
CE＃或OE ＃为高电平。请参见读周期时序
图作进一步的详细信息（图3）。
擦除暂停/擦除恢复命令
在擦除暂停操作暂时挂起
部门或块擦除操作从而使数据能够
从任何存储单元读取或程序数据到任何
行业/未暂停擦除操作块。
该操作通过发出一个字节的命令执行
序列擦除暂停命令（ B0H ） 。该
设备会自动通常在20进入阅读模式
微秒后擦除暂停命令已发出。
有效数据可从没有任何部门或块被读
暂停擦除操作。阅读地址
擦除暂停扇区/块将输出中的位置
DQ
2
触发和DQ
6
在“1”。而在擦除暂停
模式，允许除了一个字编程操作
扇区或块中选择擦除暂停。
字编程操作
该SST39VF160x / 320x的/ 640X编程上
字由字的基础。在编程之前，扇区
这里所说的存在必须完全擦除。该计划
操作完成三个步骤。第一步是
软件数据保护的3字节装入序列。
第二步骤是要加载的字地址，字数据。
在字编程操作时，地址是
锁存，无论是CE＃下降沿或WE ＃ ，而─
发生过去年。该数据被锁存的上升沿
CE＃或WE＃ ，以先到为准。第三步是
这是后启动内部编程操作
第四WE ＃或CE ＃上升沿，以先到为准
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16兆位/ 32兆位/ 64兆位多用途闪存+
SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
初步规格
要恢复扇区擦除或具有块擦除操作
被暂停的系统必须发出擦除恢复
命令。该操作通过发出一个字节执行
与擦除恢复命令命令序列（ 30H ）
在最后一个字节序列的任何地址。
荷兰国际集团在完成内部写操作时，
剩余的数据输出仍然可能是无效的：在有效数据
整个数据总线将出现在后续读
1微秒的时间间隔后循环。在内部擦除操作
ATION ，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，数据＃查询后有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图6
数据＃查询时序图和图20为一个流程图。
芯片擦除操作
该SST39VF160x / 320x的/ 640X提供了全片擦除操作
ATION ，它允许用户将擦除整个存储器
阵列到“1”状态。这是很有用的整个装置时
必须尽快清除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列
（10H） ，在地址5555H中的最后一个字节序列。该
擦除操作开始与第六的上升沿
WE＃或CE ＃ ，以先到为准。在擦除
操作时，唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。
看该命令序列表6 ，图9为时序
荷兰国际集团图，图23为流程图。所有的COM
全片擦除操作期间发出的要求主要
忽略不计。当WP＃为低电平时，任何试图芯片擦除操作会
被忽略。在命令序列期间， WP＃应
静态地保持为高电平或低电平。
翻转位（ DQ6和DQ2 ）
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
将产生交变'1'
和'0' ，即0. 1至切换当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。对于扇区擦除，块或片擦除，翻转位（ DQ
6
)
是后6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿有效。
DQ
6
将被设置为'1'，如果执行读操作，尝试对
擦除暂停的扇区/块。如果程序运行已以启动
tiated在没有选择的扇区/块擦除暂停
模式， DQ
6
将切换。
另外一个触发位可在DQ
2
，它可以是
与DQ配合使用
6
检查是否一个特定的
部门正在积极擦除或擦除暂停。表1
列出了详细的状态位信息。切换位
（ DQ
2
）是经过的最后一个WE ＃ （或CE ＃上升沿有效）
脉冲写入操作。参见图7翻转位时序
图，图20为一个流程图。
表1 ：W
RITE
O
PERATION
S
TATUS
状态
正常
标准
操作计划
标准
抹去
使用擦除
暂停
模式
从阅读
擦除暂停
扇区/块
从阅读
非擦除暂停
扇区/块
节目
写操作状态检测
该SST39VF160x / 320x的/ 640X提供了两种软件
方法来检测完成的写（编程或
擦除）循环中，为了优化系统写周期
时间。软件检测包含两个状态位：数据＃
投票（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。对了，写结束
检测模式后的WE ＃的上升沿使能
启动内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃ Poll-
荷兰国际集团或翻转位的读操作可以同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了预
泄杂散抑制，如果一个错误的结果发生时，该
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
DQ
7
DQ
7
#
0
1
DQ
6
切换
切换
1
DQ
2
无切换
切换
切换
数据
数据
数据
DQ
7
#
切换
不适用
T1.0 1223
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39VF160x /子320x / 640×都在内部
程序操作，任何尝试读取DQ
7
会产生
真数据的补码。一旦编程操作
值，我们完成了， DQ
7
将产生真正的数据。注意
即使DQ
7
可有有效数据立即采取后续
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注意：
DQ
7
和DQ
2
阅读时需要一个有效的地址
状态信息。
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16兆位/ 32兆位/ 64兆位多用途闪存+
SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
初步规格
数据保护
该SST39VF160x / 320x的/ 640X提供硬件和
软件功能，以保护免受意外非易失性数据
写道。
硬件复位（ RST ＃ ）
在RST ＃引脚提供了复位的硬件方法
设备读取阵列的数据。当RST ＃引脚保持低电平
对于至少吨
RP ，
任何正在进行的操作将终止，而
返回到读取模式。如果没有内部编程/擦除
操作过程中， T的最小周期
RHR
is
后RST ＃所需的驱动为高电平前有效的阅读能
发生（参见图15） 。
已中断的擦除或编程操作
需要设备恢复正常后才能重新开始
操作模式，以确保数据的完整性。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39VF160x / 320x的/ 640X提供JEDEC
对所有数据已批准的软件的数据保护方案
修改操作，即编程和擦除。任何亲
克操作需要包含一个3字节
序列。三个字节装入序列用于启动
编程操作，提供最佳的保护
意外的写操作，如系统中
上电或断电。任何擦除操作要求
夹杂的6字节的序列。这些设备运
与软件数据保护永久启用。
请参阅表6为特定的软件命令代码。能很好地协同
荷兰国际集团SDP命令序列，无效命令会中止
该器件T内阅读模式
RC 。
DQ的内容
15
-
DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
但任何其他值，在任何的SDP
命令序列。
硬件块保护
在SST39VF1602 /六千四百零二分之三千二百零二支持顶部硬件块
保护，保护的顶部32K字块
装置。在SST39VF1601 /六千四百〇一分之三千二百〇一底部支撑
硬件块保护，可以保护底部32
该装置的KWord的块。引导块地址范围
在表2中编程和擦除操作说明
被阻止的32K字当WP＃为低。如果WP＃为
向左浮动，它是在内部保持通过上拉电阻高，
而引导块不受保护，使计划和
擦除块的操作。
表2 ： B
OOT
B
LOCK
A
地址H1
R
安格斯
产品
底部引导块，
SST39VF1601/3201/6401
热门引导块
SST39VF1602
SST39VF3202
SST39VF6402
0F8000H-0FFFFFH
1F8000H-1FFFFFH
3F8000H-3FFFFFH
T2.0 1223
地址范围
000000H-007FFFH
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39VF160x / 320x的/ 640X还包含CFI Infor公司
息来描述该装置的特性。在
为了进入CFI查询模式，系统必须写入
3字节的序列，相同的产品ID进入命令
与98H （ CFI查询命令）来解决5555H在
最后一个字节序列。一旦设备进入CFI查询
模式时，系统可以读取的地址的CFI数据
10.通过表7给出的系统必须写
CFI退出命令返回到从CFI阅读模式
查询方式。
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16兆位/ 32兆位/ 64兆位多用途闪存+
SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
初步规格
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST39VF1601 ， SST39VF1602 ， SST39VF3201 ，
SST39VF3202 ， SST39VF6401 ， SST39VF6402和
制造商为SST。这种模式可以被访问的软
洁具操作。用户可以使用该软件产品
识别操作来识别部分（即使用
在相同的使用多个制造商时，设备ID ）
插座。有关详细信息，请参阅表6为软件操作，
图11为软件ID进入和读取时序dia-
克图21为软件ID进入命令
程序流程图。
表3 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39VF1601
SST39VF1602
SST39VF3201
SST39VF3202
SST39VF6401
SST39VF6402
0001H
0001H
0001H
0001H
0001H
0001H
234BH
234AH
235BH
235AH
236BH
236AH
T3.2 1223
安全ID
该SST39VF160x / 320x的/ 640X器件提供了256位
安全ID空间。安全ID空间被分成两个
128位段 - 一个工厂编程段和
一个用户程序段。第一段是亲
编程并锁定SST一个随机的128位编号
误码率。用户段保留未编程的
如所希望的顾客进行编程。
编程安全ID的用户段，用户
必须使用安全ID字编程命令。对
检测结束了，写了SEC的ID ，可以读取翻转位。办
不要使用数据＃投票。一旦完成，安全ID
应使用用户安全ID计划锁定功能被锁定。
这将禁用该空间中的任何未来的腐败。注意
不管安全ID是否被锁定，既不
秒ID段可以被擦除。
安全ID空间可以通过执行一个三查询
字节的命令序列，进入安全ID命令
（ 88H ）地址5555H中的最后一个字节序列。要退出
这种模式下，退出安全ID命令应该被执行。
请参考表6的更多细节。
数据
BFH
0000H
产品标识模式退出/
CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，将设备返回到读取模式。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/
一个内部计划中CFI退出命令被忽略或
擦除操作。参见表6软件命令
码，图13为时序波形，图21和图
22的流程图。
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16兆位/ 32兆位/ 64兆位（ X16 ）多用途闪存+
SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
SST39VF160x /子320x / 640x2.7V 16兆/ 32MB / 64兆（ X16 ） MPF +记忆
初步规格
产品特点：
组织为1M X16 ： SST39VF1601 / 1602
2M X16 ： SST39VF3201 / 3202
4M X16 ： SST39VF6401 / 6402
单电压读写操作
– 2.7-3.6V
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：9 mA（典型值）
- 待机电流： 3 μA （典型值）
- 自动节能模式： 3 μA （典型值）
硬件块保护/ WP ＃输入引脚
- 热门块保护（上32K字）
对于SST39VF1602 /六千四百零二分之三千二百零二
- 底部块保护（底部32K字）
对于SST39VF1601 /六千四百〇一分之三千二百〇一
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
块擦除功能
- 统一32K字块
芯片擦除功能
擦除暂停/擦除恢复功能
硬件复位引脚（ RST ＃ ）
安全-ID功能
- SST ： 128位;用户： 128位
快速读取访问时间：
= 70纳秒
= 90纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 40毫秒（典型值）
- 字编程时间： 7 μs（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 翻转位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）为16M和32M
- 48球TFBGA （8毫米X 10毫米）为64M
产品说明
该SST39VF160x / 320x的/ 640X器件X16 1M ，2M
分别为X16和X16 4M ， CMOS多用途
闪存+ （ MPF + ）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性比较
与其他方法。该SST39VF160x / 320x的/ 640X
写（编程或擦除）用2.73.6V电源。
这些器件符合JEDEC标准引脚排列
X16的回忆。
具有高性能的字编程能力，
SST39VF160x /子320x / 640X器件提供了一个典型字
7微秒节目时间。这些器件使用翻转位或
数据＃投票指示完成程序的操作
化。为了防止意外写操作，他们有片
硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用程序，这些设备提供了一个保证
10万次典型的耐力。数据额定保存
在100年以上。
该SST39VF160x /子320x / 640×装置适合于应用程序
需要的方便和经济更新阳离子
程序，配置或数据存储器。对于所有系统
的应用程序，它们显著提高性能和
可靠性，同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程过程中ently使用更少的能源比替代方案
本机闪存技术。所消耗的总能量是
所施加的电压的函数，电流和的应用时间
化。因为对于任何给定的电压范围内，则超快闪
技术使用的编程电流更低，并有一个较短的
擦除时间，在任何擦除的总能量消耗或
程序运行低于其他闪存技
吉斯。这些器件还可以提高灵活性，同时降低
成本为程序，数据和配置存储应用程序
阳离子。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其
擦除和编程累积次数的增加
擦除/编程周期。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
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16兆位/ 32兆位/ 64兆位多用途闪存+
SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
初步规格
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39VF160x /子320x / 640X提供48引脚TSOP
和48球TFBGA封装。请参阅图1和图2为
引脚分配。
第一。编程操作，一旦启动，将是的COM
在10μs内pleted 。参见图4和图5为WE＃和CE ＃
控制的编程操作时序图和图
19流程图。在编程操作时，只
有效的读操作是数据＃查询和翻转位。在
内部编程操作，主机可以自由地执行额外
tional任务。内部亲中发出的任何命令
克操作将被忽略。在命令
序， WP ＃应静态地保持高或低。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
该SST39VF160x / 320x的/ 640X也有
自动低
动力
模式，使器件在附近待命
数据后模式已被浏览了有效的阅读
操作。这降低了我
DD
从积极的读取电流
通常为9 mA至一般为3 μA 。自动低功耗模式
降低了典型I
DD
到2的范围内有效的读电流
的读周期毫安/ MHz的。器件退出自动低
电源模式与任何地址变换或控制信号
过渡用于启动另一个读周期，没有
访问时间损失。注意，该器件不会进入
上电后用CE ＃持有自动低功耗模式
稳定低，直到第一个地址变换或CE＃为
驱动为高电平。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39VF160x / 320x的/ 640X提供了两个见第
器，擦除和块擦除模式。部门架构
是基于对2K字均匀扇区大小。该块 -
擦除模式是基于32K字的均一的块大小。
通过执行六开始扇区擦除操作
与扇区擦除命令字节的命令序列
（30H ），并在最后一个总线周期扇区地址（SA） 。该
通过执行一个6字节的启动块擦除操作
用块擦除命令的命令序列（ 50H ）
和块地址（ BA ）在最后一个总线周期。部门或
块地址被锁存第六的下降沿
WE＃脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存，
第六WE ＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序
荷兰国际集团的波形和图23的流程图。所有的COM
在扇区擦除或块擦除操作期间发出mands
将被忽略。当WP＃为低电平时，任何企图以部门
（块擦除）擦除受保护的块将被忽略。中
命令序列， WP ＃应静态地保持
高还是低。
读
在SST39VF160x / 320x的/ 640X的读取操作
通过CE＃和OE ＃控制，都具有很低的
系统，以获得从所述输出数据。 CE＃被用于
设备选择。当CE＃为高电平时，芯片是dese-
lected只有待机功耗。 OE ＃是
输出控制，并从所述输出用于门控数据
销。数据总线是在高阻抗状态
CE＃或OE ＃为高电平。请参见读周期时序
图作进一步的详细信息（图3）。
擦除暂停/擦除恢复命令
在擦除暂停操作暂时挂起
部门或块擦除操作从而使数据能够
从任何存储单元读取或程序数据到任何
行业/未暂停擦除操作块。
该操作通过发出一个字节的命令执行
序列擦除暂停命令（ B0H ） 。该
设备会自动通常在20进入阅读模式
微秒后擦除暂停命令已发出。
有效数据可从没有任何部门或块被读
暂停擦除操作。阅读地址
擦除暂停扇区/块将输出中的位置
DQ
2
触发和DQ
6
在“1”。而在擦除暂停
模式，允许除了一个字编程操作
扇区或块中选择擦除暂停。
字编程操作
该SST39VF160x / 320x的/ 640X编程上
字由字的基础。在编程之前，扇区
这里所说的存在必须完全擦除。该计划
操作完成三个步骤。第一步是
软件数据保护的3字节装入序列。
第二步骤是要加载的字地址，字数据。
在字编程操作时，地址是
锁存，无论是CE＃下降沿或WE ＃ ，而─
发生过去年。该数据被锁存的上升沿
CE＃或WE＃ ，以先到为准。第三步是
这是后启动内部编程操作
第四WE ＃或CE ＃上升沿，以先到为准
2003硅存储技术公司
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16兆位/ 32兆位/ 64兆位多用途闪存+
SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
初步规格
要恢复扇区擦除或具有块擦除操作
被暂停的系统必须发出擦除恢复
命令。该操作通过发出一个字节执行
与擦除恢复命令命令序列（ 30H ）
在最后一个字节序列的任何地址。
荷兰国际集团在完成内部写操作时，
剩余的数据输出仍然可能是无效的：在有效数据
整个数据总线将出现在后续读
1微秒的时间间隔后循环。在内部擦除操作
ATION ，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，数据＃查询后有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图6
数据＃查询时序图和图20为一个流程图。
芯片擦除操作
该SST39VF160x / 320x的/ 640X提供了全片擦除操作
ATION ，它允许用户将擦除整个存储器
阵列到“1”状态。这是很有用的整个装置时
必须尽快清除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列
（10H） ，在地址5555H中的最后一个字节序列。该
擦除操作开始与第六的上升沿
WE＃或CE ＃ ，以先到为准。在擦除
操作时，唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。
看该命令序列表6 ，图9为时序
荷兰国际集团图，图23为流程图。所有的COM
全片擦除操作期间发出的要求主要
忽略不计。当WP＃为低电平时，任何试图芯片擦除操作会
被忽略。在命令序列期间， WP＃应
静态地保持为高电平或低电平。
翻转位（ DQ6和DQ2 ）
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
将产生交变'1'
和'0' ，即0. 1至切换当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。对于扇区擦除，块或片擦除，翻转位（ DQ
6
)
是后6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿有效。
DQ
6
将被设置为'1'，如果执行读操作，尝试对
擦除暂停的扇区/块。如果程序运行已以启动
tiated在没有选择的扇区/块擦除暂停
模式， DQ
6
将切换。
另外一个触发位可在DQ
2
，它可以是
与DQ配合使用
6
检查是否一个特定的
部门正在积极擦除或擦除暂停。表1
列出了详细的状态位信息。切换位
（ DQ
2
）是经过的最后一个WE ＃ （或CE ＃上升沿有效）
脉冲写入操作。参见图7翻转位时序
图，图20为一个流程图。
表1 ：W
RITE
O
PERATION
S
TATUS
状态
正常
标准
操作计划
标准
抹去
使用擦除
暂停
模式
从阅读
擦除暂停
扇区/块
从阅读
非擦除暂停
扇区/块
节目
写操作状态检测
该SST39VF160x / 320x的/ 640X提供了两种软件
方法来检测完成的写（编程或
擦除）循环中，为了优化系统写周期
时间。软件检测包含两个状态位：数据＃
投票（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。对了，写结束
检测模式后的WE ＃的上升沿使能
启动内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃ Poll-
荷兰国际集团或翻转位的读操作可以同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了预
泄杂散抑制，如果一个错误的结果发生时，该
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
DQ
7
DQ
7
#
0
1
DQ
6
切换
切换
1
DQ
2
无切换
切换
切换
数据
数据
数据
DQ
7
#
切换
不适用
T1.0 1223
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39VF160x /子320x / 640×都在内部
程序操作，任何尝试读取DQ
7
会产生
真数据的补码。一旦编程操作
值，我们完成了， DQ
7
将产生真正的数据。注意
即使DQ
7
可有有效数据立即采取后续
2003硅存储技术公司
注意：
DQ
7
和DQ
2
阅读时需要一个有效的地址
状态信息。
S71223-03-000
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SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
初步规格
数据保护
该SST39VF160x / 320x的/ 640X提供硬件和
软件功能，以保护免受意外非易失性数据
写道。
硬件复位（ RST ＃ ）
在RST ＃引脚提供了复位的硬件方法
设备读取阵列的数据。当RST ＃引脚保持低电平
对于至少吨
RP ，
任何正在进行的操作将终止，而
返回到读取模式。如果没有内部编程/擦除
操作过程中， T的最小周期
RHR
is
后RST ＃所需的驱动为高电平前有效的阅读能
发生（参见图15） 。
已中断的擦除或编程操作
需要设备恢复正常后才能重新开始
操作模式，以确保数据的完整性。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39VF160x / 320x的/ 640X提供JEDEC
对所有数据已批准的软件的数据保护方案
修改操作，即编程和擦除。任何亲
克操作需要包含一个3字节
序列。三个字节装入序列用于启动
编程操作，提供最佳的保护
意外的写操作，如系统中
上电或断电。任何擦除操作要求
夹杂的6字节的序列。这些设备运
与软件数据保护永久启用。
请参阅表6为特定的软件命令代码。能很好地协同
荷兰国际集团SDP命令序列，无效命令会中止
该器件T内阅读模式
RC 。
DQ的内容
15
-
DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
但任何其他值，在任何的SDP
命令序列。
硬件块保护
在SST39VF1602 /六千四百零二分之三千二百零二支持顶部硬件块
保护，保护的顶部32K字块
装置。在SST39VF1601 /六千四百〇一分之三千二百〇一底部支撑
硬件块保护，可以保护底部32
该装置的KWord的块。引导块地址范围
在表2中编程和擦除操作说明
被阻止的32K字当WP＃为低。如果WP＃为
向左浮动，它是在内部保持通过上拉电阻高，
而引导块不受保护，使计划和
擦除块的操作。
表2 ： B
OOT
B
LOCK
A
地址H1
R
安格斯
产品
底部引导块，
SST39VF1601/3201/6401
热门引导块
SST39VF1602
SST39VF3202
SST39VF6402
0F8000H-0FFFFFH
1F8000H-1FFFFFH
3F8000H-3FFFFFH
T2.0 1223
地址范围
000000H-007FFFH
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39VF160x / 320x的/ 640X还包含CFI Infor公司
息来描述该装置的特性。在
为了进入CFI查询模式，系统必须写入
3字节的序列，相同的产品ID进入命令
与98H （ CFI查询命令）来解决5555H在
最后一个字节序列。一旦设备进入CFI查询
模式时，系统可以读取的地址的CFI数据
10.通过表7给出的系统必须写
CFI退出命令返回到从CFI阅读模式
查询方式。
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SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
初步规格
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST39VF1601 ， SST39VF1602 ， SST39VF3201 ，
SST39VF3202 ， SST39VF6401 ， SST39VF6402和
制造商为SST。这种模式可以被访问的软
洁具操作。用户可以使用该软件产品
识别操作来识别部分（即使用
在相同的使用多个制造商时，设备ID ）
插座。有关详细信息，请参阅表6为软件操作，
图11为软件ID进入和读取时序dia-
克图21为软件ID进入命令
程序流程图。
表3 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39VF1601
SST39VF1602
SST39VF3201
SST39VF3202
SST39VF6401
SST39VF6402
0001H
0001H
0001H
0001H
0001H
0001H
234BH
234AH
235BH
235AH
236BH
236AH
T3.2 1223
安全ID
该SST39VF160x / 320x的/ 640X器件提供了256位
安全ID空间。安全ID空间被分成两个
128位段 - 一个工厂编程段和
一个用户程序段。第一段是亲
编程并锁定SST一个随机的128位编号
误码率。用户段保留未编程的
如所希望的顾客进行编程。
编程安全ID的用户段，用户
必须使用安全ID字编程命令。对
检测结束了，写了SEC的ID ，可以读取翻转位。办
不要使用数据＃投票。一旦完成，安全ID
应使用用户安全ID计划锁定功能被锁定。
这将禁用该空间中的任何未来的腐败。注意
不管安全ID是否被锁定，既不
秒ID段可以被擦除。
安全ID空间可以通过执行一个三查询
字节的命令序列，进入安全ID命令
（ 88H ）地址5555H中的最后一个字节序列。要退出
这种模式下，退出安全ID命令应该被执行。
请参考表6的更多细节。
数据
BFH
0000H
产品标识模式退出/
CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，将设备返回到读取模式。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/
一个内部计划中CFI退出命令被忽略或
擦除操作。参见表6软件命令
码，图13为时序波形，图21和图
22的流程图。
2003硅存储技术公司
S71223-03-000
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QQ：2881677436 复制
