2兆位/ 4兆位/ 8兆位（ X16 ）多用途闪存
SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
SST39LF / VF200A / 400A / 800A3.0 & 2.7V 2MB / 4MB / 8Mb的（ X16 ）强积金的回忆
数据表
产品特点：
组织为128K X16 / X16 256K / 512K X16
单电压读写操作
- 3.0-3.6V的SST39LF200A / 400A / 800A
- 2.7-3.6V的SST39VF200A / 400A / 800A
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
（在14 MHz时的典型值）
- 工作电流：9 mA（典型值）
- 待机电流： 3 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
块擦除功能
- 统一32K字块
快速读取访问时间
- 45和55纳秒的SST39LF200A
- 55纳秒的SST39LF400A / 800A
- 70纳秒的SST39VF200A / 400A / 800A
锁存地址和数据
快速擦除和字编程
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
2秒钟（典型值） SST39LF / VF200A
4秒（典型值） SST39LF / VF400A
8秒（典型值） SST39LF / VF800A
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
- 48球WFBGA （ 4× 6毫米）
- 48焊球XFLGA （ 4× 6毫米）的4M和8M
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /
800A设备是128K X16 / X16 256K / 512K x16的CMOS
多用途闪存（ MPF）与SST propri-制造
etary ，高性能CMOS SuperFlash技术。
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST39LF200A / 400A / 800A
写（编程或擦除）以3.0-3.6V的电源。
该SST39VF200A / 400A / 800A写（编程或擦除）
用2.7-3.6V电源。这些器件符合
JEDEC标准引脚为X16的回忆。
特色
高性能
字编程，
该
SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /
800A器件提供14典型字编程时间
微秒。该器件使用翻转位或数据＃查询检测
在完成编程或擦除操作。要亲
TECT防止误写入，他们有片上硬件
和软件数据保护方案。设计，制造
factured ，并测试了广泛的应用范围，
这些器件提供了一个保证典型endur-
ANCE 10万次。数据保留的额定功率为更大
超过100年。
该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /
800A设备适合于需要CON-应用
近便和计划经济的升级，组态
化或数据存储器。对于所有系统应用，它们
显著提高性能和可靠性，同时低
化工e圈的功耗。他们本能地使用更少的能源
擦除和编程比其他闪存技时
吉斯。当编程闪存设备，总能量
消耗是所施加电压的函数，电流和
应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则
SuperFlash技术的编程电流小，
具有擦除时间更短，总的能量消耗能很好地协同
荷兰国际集团的任何擦除或编程操作小于替代
闪存技术。这些器件还可以提高灵活性
同时降低成本为程序，数据和组态
灰存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其
擦除和编程累积次数的增加
擦除/编程周期。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
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SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
数据表
为了满足表面贴装的要求， SST39LF200A /
400A / 800A和SST39VF200A / 400A / 800A提供的
48引脚TSOP封装， 48球TFBGA封装为
以及微封装。参见图2 ，图3和4，用于针
分配。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39LF200A / 400A / 800A和
SST39VF200A / 400A / 800A提供两个扇区擦除和
块擦除模式。扇区结构是基于
统一扇区大小的2K字。块擦除模式
基于对32K字的均匀的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列块擦除命令（ 50H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。见图11和12，用于
时序波形。在见第期间发出的任何命令
tor-或块擦除操作将被忽略。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
读
该SST39LF200A的读操作/ 400A / 800A和
SST39VF200A / 400A / 800A通过CE＃和OE ＃控制，
既要低的系统，以获得从所述数据
输出。 CE＃用于器件选择。当CE＃为
高，芯片被取消选中，只有待机功耗所配置
SUMED 。 OE＃为输出控制，用于栅极的数据
从输出引脚。数据总线处于高阻
状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。参考读
对于进一步的细节周期的时序图（图5） 。
芯片擦除操作
该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /
800A提供了全片擦除操作，这使得
用户能够擦除整个存储器阵列的“1”状态。这
是有用的，当整个装置必须迅速删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列中，图10为时序图，
和图21的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
字编程操作
该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /
800A编程就一个字，用字的基础。前
编程，其中单词存在一定的扇区
完全擦除。程序操作完成
三个步骤。第一步是3字节装入序列
软件数据保护。第二步骤是要加载
字地址和文字数据。在字编程
操作时，地址被锁存的下降沿
CE＃或WE＃ ，先到为准最后。该数据是
锁存， CE＃或WE ＃的上升沿，取
先发生。第三步是内部编程操作
这是在第4个WE＃上升沿启动或
CE＃ ，以先到为准。编程操作，一旦
开始，将在20 μs内完成。参见图6和
7 WE＃和CE ＃控制的编程操作时序
图和图18的流程图。在计划
操作时，唯一有效的读操作是数据＃投票和瓶酒
GLE位。在内部编程操作，主机
自由地执行其他任务。发出的任何命令
内部程序运行过程中被忽略。
写操作状态检测
该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /
800A提供了两种软件方法来检测完成
一个写（编程或擦除）循环中，为了优化
系统的写入周期时间。软件检测包含
两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
).
写操作结束检测模式后上升启用
边WE＃ ，启动内部编程或擦除
操作。
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数据表
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
数据保护
该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /
800A提供了硬件和软件功能来亲
从意外写TECT非易失性数据。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A /
400A / 800A的内部程序操作，任何
试图读取DQ
7
将产生的补
真正的数据。一旦程序操作完成后， DQ
7
将产生真正的数据。请注意，即使DQ
7
五月
有效数据立即完成的下面
内部写操作，其余数据输出可
仍然是无效的：在整个数据总线上的有效数据将出现
在间隔之后的后续读周期
1微秒。在内部擦除操作，任何尝试读取
DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部擦除操作
完成后， DQ的
7
将产生一个'1'。该数据＃查询
之后的第4个WE ＃ （或CE ＃ ）的上升沿有效脉冲
程序操作。对于扇区，块或片擦除时，
之后的6个WE＃上升沿数据＃投票是有效的（或
CE＃）脉冲。参见图8为数据＃查询时序图
图19为一个流程图。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /
800A提供了JEDEC核准的软件数据保护
对于所有数据修改操作化计划，即计划
和擦除。任何程序运行需要列入
三字节序列。这三个字节装入序列
用于启动编程操作，提供最佳
保护防止意外写操作，例如，在
在系统上电或断电。任何擦除操作
需要包含六个字节序列。本组
设备附带的软件数据保护per-
manently启用。请参阅表4为特定的软件
命令代码。在SDP命令序列，无效
命令会中止器件内TRC阅读模式。
DQ的内容
15
-DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
外，无其它
值，在任何SDP命令序列。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位后的第四个上升沿有效。
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，切换位后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。图9显示切换
位的时序图和图19为一个流程图。
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /
800A还包含CFI信息来形容煤焦
该装置的Cucumis Sativus查阅全文。为了进入CFI查询
模式下，系统必须写3字节的序列，同
与98H软件ID进入命令（ CFI查询的COM
命令），以解决5555H中的最后一个字节序列。一旦
该器件进入CFI查询模式，系统可以
在经过9在表5中给出的地址读出的CFI数据。
该系统必须写入CFI退出命令返回到
读取CFI查询模式模式。
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数据表
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST39LF / VF200A ， SST39LF / VF400A和SST39LF /
VF800A和制造商为SST。该模式可以是
通过软件操作进行访问。用户可以使用
软件产品标识操作来识别一部分
（即，使用的设备ID ），使用多个时
制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表4
软件的操作，图13为软件ID进入
和读取时序图，图20为软件
ID进入命令序列流程图。
表1 ：产品标识
地址
制造商ID
器件ID
SST39LF/VF200A
SST39LF/VF400A
SST39LF/VF800A
0001H
0001H
0001H
2789H
2780H
2781H
T1.3 1117
产品标识模式退出/
CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，将设备返回到读取模式。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/
一个内部计划中CFI退出命令被忽略或
擦除操作。参见表4软件命令
码，图15为时序波形，图20为一
流程图。
数据
00BFH
0000H
X解码器
超快闪
内存
内存地址
地址缓冲器&门锁
y解码器
CE＃
OE ＃
WE＃
DQ15 - DQ0
1117 B1.2
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
图1 ：功能框图
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数据表
SST39LF / VF800A SST39LF / VF400A SST39LF / VF200A
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
NC
NC
NC
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
NC
NC
NC
NC
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
SST39LF / VF200A SST39LF / VF400A SST39LF / VF800A
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
NC
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VDD
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
A16
NC
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VDD
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
A16
NC
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VDD
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
标准引脚
顶视图
死亡最多
1117 48 - TSOP P01.2
图2 ：引脚分配为48引脚TSOP
TOP VIEW （球朝下）
SST39LF/VF200A
6
5
4
3
2
1
A13 A12 A14
A9
A8
A10
NC
NC
A6
A2
A15 A16 NC DQ15 VSS
A11 DQ7 DQ14 DQ13 DQ6
NC DQ5 DQ12 VDD DQ4
1117 48 - TFBGA P02_2.0
WE＃ NC
NC
A7
A3
NC
NC
A4
NC DQ2 DQ10 DQ11 DQ3
A5
A1
DQ0 DQ8 DQ9 DQ1
A0 CE ＃ OE ＃ VSS
A
TOP VIEW （球朝下）
B
C
D
E
F
G
H
TOP VIEW （球朝下）
SST39LF/VF400A
SST39LF/VF800A
6
5
4
3
2
1
A13 A12 A14
A9
A8
A10
NC
NC
A6
A2
A15 A16 NC DQ15 VSS
A11 DQ7 DQ14 DQ13 DQ6
NC DQ5 DQ12 VDD DQ4
1117 48 - TFBGA P02_4.0
6
5
4
3
2
1
A13 A12 A14
A9
A8
A10
NC
A18
A6
A2
A15 A16 NC DQ15 VSS
A11 DQ7 DQ14 DQ13 DQ6
NC DQ5 DQ12 VDD DQ4
1117 48 - TFBGA P02_8.0
WE＃ NC
NC
A7
A3
NC
A17
A4
WE＃ NC
NC
A7
A3
NC
A17
A4
NC DQ2 DQ10 DQ11 DQ3
A5
A1
DQ0 DQ8 DQ9 DQ1
A0 CE ＃ OE ＃ VSS
NC DQ2 DQ10 DQ11 DQ3
A5
A1
DQ0 DQ8 DQ9 DQ1
A0 CE ＃ OE ＃ VSS
A
B
C
D
E
F
G
H
A
B
C
D
E
F
G
H
图3 ：引脚分配48球TFBGA
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