32兆位（ X16 ）多用途闪存
SST39VF320
SST39VF3202.7V 32Mb的（ X16 ）强积金内存
初步规格
产品特点：
组织为2M X16
单2.7-3.6V读写操作
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：9 mA（典型值）
- 待机电流： 3 μA （典型值）
- 自动节能模式： 3 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
块擦除功能
- 统一32K字块
快速读取访问时间
= 70纳秒
= 90纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字编程
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 40毫秒（典型值）
- 字编程时间： 7 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
15秒（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
产品说明
该SST39VF320器件2M x16的CMOS多陈建
造成闪存（ MPF）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST39VF320写（编程或
擦除）与2.73.6V电源。
具有高性能的字编程能力，
SST39VF320器件提供了一个典型字编程
7微秒的时间。该器件使用翻转位或数据＃查询
指示完成程序操作。为了保护
防止误写入，这些器件具有片上硬件
洁具和软件数据保护方案。设计，
制，以及用于广泛的应用范围测试
中，请在SST39VF320提供有保证的典型
CAL耐力100,000次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
的SST39VF320设备适合于应用
需要程序方便和经济的升级，
配置或数据存储器。对于所有系统应用，
在SST39VF320显著提高性能和
可靠性，同时降低功耗。该
SST39VF320擦除过程中会本能地使用更少的能源，
程序比其他闪存技术。总
消耗的能量是所施加电压的函数，电流
租金和应用时间。因为对于任何给定的电压
范围， SuperFlash技术使用更少的电流亲
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克，并且具有擦除时间更短，总的能源消
SUMED任何擦除或编程操作时小于
其他闪存技术。该器件还可以提高
的灵活性，同时降低了成本，程序，数据和反对
成形存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39VF320提供48引脚TSOP和48球
TFBGA封装。参见图1和图2的引脚排列。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
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SST39VF320
初步规格
该SST39VF320也有
自动低功耗
模式
这使该装置中的数据后，邻近待机模式
已被浏览了有效的读操作。这
降低了我
DD
从通常为9 mA至有效的读电流
一般为3 μA 。自动低功耗模式，降低了典型
CAL我
DD
到2毫安/ MHz范围内有效的读电流
读周期时间。器件退出自动低功耗
任何地址变换或控制信号转换模式
用于启动另一个读周期，没有访问时间
点球。注意，该器件不会进入自动低
上电后用CE ＃功耗模式稳步低，直到举行
第一个地址变换或CE ＃驱动为高电平。
是一种基于32K字的均匀的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列块擦除命令（ 50H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序
荷兰国际集团的波形。在扇区中发出的任何命令
或块擦除操作将被忽略。
读
在SST39VF320的读操作是由控制
CE＃和OE ＃ ，既要低的系统，以获得
从输出数据。 CE＃用于器件选择。
当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只待机
功率消耗。 OE＃为输出控制，并用于
从门控输出引脚的数据。数据总线是在高
阻抗状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。请参阅
了解更多详情的读周期时序图（图3 ） 。
芯片擦除操作
该SST39VF320提供了全片擦除操作，该操作
允许用户擦除整个存储器阵列的“1”的
状态。此，当整个装置必须迅速地是有用
删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列，图8为时序图，
和图19的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
字编程操作
的SST39VF320被编程在字的字
的基础。在编程之前，扇区所在的字
存在必须完全擦除。程序操作
完成三个步骤。第一步是三字节
软件数据保护负载序列。第二个
第一步是加载的字地址，字数据。在
字编程操作时，地址锁存的
任CE ＃或WE ＃下降沿，最后的为准。
该数据被锁存，在CE＃的上升沿或
WE＃ ，以先到为准。第三步是在内部
这是以后的上升沿启动程序操作
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。亲
克操作，一旦启动，将在10完成
微秒。参见图4和图5为WE＃和CE ＃控制的亲
克操作时序图，图16为液流 -
图表。在编程操作期间，仅有的有效读
是数据＃查询和翻转位。在内部亲
克操作，主机可以自由地执行其他任务。
内部编程过程中发出的任何命令操作
化被忽略。
写操作状态检测
该SST39VF320提供了两种软件方法来检测
在完成写的（编程或擦除）周期，
命令对系统进行优化的写周期时间。软件
检测包括两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
）和
切换位（ DQ
6
） 。写操作结束检测模式
后的WE ＃的上升沿，从而启动所述使能
内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39VF320提供两个扇区擦除
和块擦除模式。扇区结构是基于
上的2K字均匀的扇区大小。块擦除模式
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数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39VF320是在内部编程操作
化，任何尝试读取DQ
7
将产生的补
的真实数据。一旦程序操作完成后，
DQ
7
将产生真正的数据。请注意，即使DQ
7
可能有立即的有效数据完成以下
在内部写操作的，其余数据输出
可能仍然是无效的：在整个数据总线上的有效数据将
出现在后的后续读周期
间隔1微秒。在内部擦除操作，任何
试图读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部
擦除操作完成时， DQ的
7
将产生一个'1'。该
之后的第4个WE ＃上升沿数据＃投票是有效的（或
CE＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，块或
芯片擦除，数据＃查询后上升沿有效
第六WE ＃ （或CE ＃）脉冲。参见图6数据＃投票
时序图和图17的流程图。
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要包含
的6字节的序列。这组设备都运
与软件数据保护永久启用。
请参阅表4为特定的软件命令代码。
在SDP命令序列，无效命令会
中止装置T内读模式
RC
。的内容
DQ
15
-DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
的，但在任何为任何其他值，
SDP命令序列。
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39VF320还包含CFI信息
描述了器件的特性。为了
进入CFI查询模式，系统必须加载
3字节的序列，类似的软件ID进入的COM
命令。此命令加载98H的最后一个字节周期（ CFI
查询命令）来解决5555H 。一旦设备
进入CFI查询模式，系统可以读取CFI
通过7.在表5中给出的地址数据
系统必须写入CFI退出命令返回到
读取CFI查询模式模式。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。之后的上升沿触发位是有效的
第四WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于见第
tor- ，块或片擦除，翻转位之后是有效的
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图7为
翻转位时序图和图17的流程图。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST39VF320和制造商为SST。此模式
可以通过软件操作来访问。用户可使用
软件产品标识操作来识别
使用多个时，一部分（即使用设备ID ）
制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表
4软件操作，图11为软件ID
进入和读取时序图，图18为
软件ID进入命令序列流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39VF320
0001H
2783H
T1.1 1143
数据保护
该SST39VF320提供硬件和软件为特色的
Tures的保护非易失性数据免受意外写操作。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
数据
00BFH
0000H
产品标识模式退出/
CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，将设备返回到读取模式。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/
S71143-02-000
11/03
软件数据保护（ SDP ）
该SST39VF320提供了JEDEC核准软
洁具的数据保护方案的所有数据修改能操作
ations ，即编程和擦除。任何编程操作
需要包含三字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
2003硅存储技术公司
3
QQ：2880707522 复制
