16兆位（ 1M ×16位）多用途闪存
SST39VF160Q / SST39VF160
超前信息
产品特点：
组织为1米乘16
2.7V单只读取和写入操作
V
DDQ
电源支持5V的I / O
对于SST39VF160Q
- V
DDQ
不SST39VF160提供
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：15 mA（典型值）
- 待机电流： 3 μA （典型值）
- 自动节能模式： 3 μA （典型值）
小扇区擦除功能（ 512个扇区）
- 统一2K字扇区
块擦除能力（ 32块）
- 统一32K字块
快速读取访问时间：
- 70和90纳秒
产品说明
该SST39VF160Q / VF160设备1M ×16的CMOS
多用途闪存（ MPF）与SST的制造
专有的高性能CMOS超快闪技
术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道 -
荷兰国际集团注入器可实现更高的可靠性和可制造性
与其他方法相比。该
SST39VF160Q / VF160写（编程或擦除）与
2.7V - only供电。该SST39VF160Q / VF160
符合JEDEC标准的引脚排列x16的回忆。
拥有高性能的Word程序时，
SST39VF160Q / VF160器件提供最大的
文字节目的10微秒的时间。整个内存可以
通常被擦除和编程7一字一句
秒，在使用界面功能，如切换
位或数据＃投票指示完成计划
操作。为了防止意外写操作时，
SST39VF160Q / VF160具有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用中，光谱
SST39VF160Q / VF160提供了保证
续航能力达10000次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39VF160Q / VF160设备适合于应用程序
需要方便和经济更新阳离子
的程序，配置或数据存储器。对于所有的系
统的应用， SST39VF160Q / VF160显
着地提高性能和可靠性，同时低级
荷兰国际集团的功耗。该SST39VF160Q / VF160 IN-
易于与程序比在herently使用更少的能源
锁存地址和数据
快速扇区擦除和Word程序：
- 扇区擦除时间： 3毫秒典型
- 块擦除时间： 7毫秒典型
- 芯片擦除时间： 15毫秒典型
- 字编程时间： 7 μs的典型
- 芯片重写时间：7秒
自动写时序
- 内部V
pp
GENERATION
写检测结束
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
-
EEPROM的引脚和指令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 6× 8球TFBGA
其他闪存技术。在总能源
SUMED是所施加电压的函数，电流和
应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则
SuperFlash技术的编程电流小，
具有更短的擦除时间，总的能量消耗
任何擦除或编程操作时小于
其他闪存技术。该SST39VF160Q /
VF160还可以提高灵活性，同时降低了成本
程序，数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和
程序倍，独立耐力的数目
已经发生的周期。因此，该系统
软件或硬件没有被修改或
降额，这一点不同于其他闪存技
与吉斯，其擦除和编程时间增加
累积的读写周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39VF160Q / VF160提供48引脚TSOP和
48引脚TFBGA封装。请参阅图1和图2为
引脚排列。
设备操作
命令用于启动存储器操作
该装置的功能。命令被写入到
器件采用标准的微处理器写序列。
在写入命令时将WE＃置为低电平，同时
CE＃保持低电平。地址总线被锁存的
下降沿WE＃或CE＃ ，最后为准。该
数据总线被锁定在WE＃或CE ＃的上升沿，
以先到为准。
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2
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1998硅存储技术公司的SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ，Inc.的商标强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
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规格若有变更，恕不另行通知。
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16兆位多用途闪存
SST39VF160Q / SST39VF160
超前信息
该SST39VF160Q / VF160也有
自动低
动力
模式，使器件在附近待机模式
数据后已经被访问同一个有效的读操作。
这降低了我
DD
从典型的15主动读取电流
mA至一般为3 μA 。自动低功耗模式减少
典型的我
DD
至1 mA / MHz范围内有效的读电流
读周期时间。器件退出自动低功耗
任何地址变换或控制信号跃迁模式
化用于启动另一个读周期，没有访问时间
点球。
读
该SST39VF160Q的读操作/ VF160所配置
通过CE＃和OE ＃受控，都具有很低的系统
以获得从所述输出数据。 CE＃用于器件
选择。当CE＃为高电平时，芯片被取消选中，
只有待机功耗。 OE＃为输出控制
并用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线
处于高阻抗状态，当CE＃或OE ＃为高电平。
请参考更多详细信息的读周期时序图
（图3） 。
字编程操作
该SST39VF160Q / VF160编程在字处理
由字的基础。在编程操作包括三个
步骤。第一步是为三字节序列载荷
软件数据保护。第二步骤是要加载字
地址和文字数据。在Word程序操作
化，该地址被锁存，下降沿或者
CE ＃或WE ＃ ，最后的为准。该数据被锁存
任CE ＃或WE ＃上升沿，以先到为准
第一。第三步是内部编程操作这
在第4个WE ＃或CE ＃上升沿开始，
以先到为准。编程操作，一旦initi-
ated ，将在10μs内完成。请参阅图4和图5
对于WE＃和CE ＃控制的编程操作时序
图和图15的流程图。在亲
克操作，唯一有效的读操作是数据＃投票和
触发位。在内部编程操作，主机
可以自由地执行其他任务。发出的任何命令
内部程序运行过程中被忽略。
扇区/块擦除操作
扇区/块擦除操作可以使系统
擦除一个扇区到扇区的装置（或块逐块）
的基础。该SST39VF160Q / VF160提供小型部门
擦除和块擦除模式。部门架构
基于对2K字均匀扇区大小。块擦除
模式是基于32K字的均一的块大小。该
通过执行一个六字节级启动扇区擦除操作
与扇区擦除命令的命令序列（ 30H ）
和扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。地址
线A11 -A19用于确定扇区地址。
通过执行六开始的块擦除操作
1998硅存储技术公司
用块擦除命令字节的命令序列
（ 50H ），并在最后一个总线周期块地址（ BA ） 。该
地址线A15- A19用于确定该块
地址。扇区或块地址被锁存的
属于6个WE＃脉冲的边缘，而命令
（ 30H或50H ）被锁存的6个WE＃上升沿
脉搏。内部擦除操作开始后第六
WE＃脉冲。擦除操作结束才能确定
通过数据＃查询或翻转位的方法。看
图8和9为定时波形。任何命令
该部门或块擦除操作期间发出的
忽略不计。
芯片擦除操作
该SST39VF160Q / VF160提供芯片擦除操作
化，从而允许用户将擦除整个存储器阵列
到“1”状态。这是有用的，当整个装置必须
快速擦除。
通过执行一个六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列
（10H） ，在地址5555H中的最后一个字节序列。该
擦除操作开始与第六的上升沿
WE＃或CE ＃ ，以先到为准。在擦除
操作时，唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。
看该命令序列表4 ，图8为定时
图，图19为流程图。任何命令
芯片擦除操作期间发出的被忽略。
写操作状态检测
该SST39VF160Q / VF160提供了两种软件的手段
检测完成写（编程或擦除）的
周期中，为了优化系统写周期时间。该
软件检测包含两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写检测结束
模式后的WE＃上升沿使这
启动内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以
无论使用哪种DQ冲突
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，该软件例行程序
齿应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39VF160Q / VF160是在内部亲
克操作，任何尝试读取DQ
7
将产生的
配合真实的数据。一旦程序运行
完成后， DQ的
7
将产生真正的数据。该装置是
2
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16兆位多用途闪存
SST39VF160Q / SST39VF160
超前信息
然后准备下一次操作。在内部擦除
操作中，任何尝试读取DQ7将产生一个'0'。一旦
完成内部擦除操作， DQ7将亲
达斯一个'1'。该数据＃查询后上升沿有效
第四WE ＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。为
部门或芯片擦除，数据＃查询后有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图6
数据＃查询时序图和图17的流程图。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1的
和0 ，即1和0之间的切换位切换将
以“ 1”。当内部编程或擦除操作
化完成后， DQ6位将停止翻转。该装置
然后准备好用于下一操作。切换位是有效的
经过4个WE ＃ （或CE ＃）脉冲的上升沿
程序操作。对于部门或芯片擦除时，切换
位后6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿有效。
参见图7翻转位时序图和图18
为一个流程图。
数据保护
该SST39VF160Q / VF160同时提供硬件和
软件功能以防止不经意的非易失性数据
耳鼻喉科写道。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于
5纳秒不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39VF160Q / VF160提供了JEDEC核准
对于所有数据修改软件数据保护方案
操作，即编程和擦除。任何程序操作
化需要包含三个字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节序列。该SST39VF160Q / VF160设备
与软件数据保护永久发货
启用。请参阅表4为特定的软件命令
码。在SDP命令序列，无效的COM
指令都会中止器件T内阅读模式
RC
。该
DQ内容
15
-DQ
8
是“不关心”过程中的任何SDP
命令序列。
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39VF160Q / VF160还包含CFI信息
灰来描述器件的特性。为了
进入CFI查询模式，系统必须写3个字节
顺序相同与98H产品ID进入命令
（ CFI查询命令），以解决5555H中的最后一个字节
序列。一旦设备进入CFI查询模式下，
系统可以在表中给出的地址读出的CFI数据
5至8的系统必须写入复位命令
返回从CFI查询模式读取模式。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST39VF160Q ， SST39VF160和制造商为
SST 。这种模式可以由硬件或软被访问
洁具操作。通常使用的硬件操作
由程序员来识别正确的算法为
SST39VF160Q / VF160 。用户可能希望使用软
洁具产品识别动作识别部
（即，使用该设备的代码），当使用多个制造
商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表3
硬件操作或表4中的软件操作，
图9为软件ID进入和读取时序图
图18为ID输入命令序列需要流量
图。
T
ABLE
1: P
RODUCT
I
DENTIFICATION
T
ABLE
地址
制造商代码
器件代码
0000H
0001H
数据
00BFH
2782H
329 PGM T1.1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
产品标识模式退出/ CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发布软件退出ID命令plished SE-
quence ，它返回到设备的读操作。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。
请注意，该软件复位
内部编程或擦除命令时被忽略
操作。参见表4软件命令代码，
图13为时序波形和图18的液流 -
图。
V
DDQ
- I / O电源
此功能仅适用于SST39VF160Q 。这
引脚用作电源引脚的输入/输出缓冲器。
应该连接到V
DD
（ 2.7V - 3.6V ），在3.0V - only系统。
它应该连接到一个5.0V ± 10 ％ （ 4.5V - 5.5V ）电源
在混合电压系统环境中闪光
内存有与5V系统芯片相连。该
V
DDQ
销上未SST39VF160提供的，相反，它是一个
无连接引脚。
3
329-09 11/98
1998硅存储技术公司
16兆位多用途闪存
SST39VF160Q / SST39VF160
超前信息
T
ABLE
2: P
IN
D
ESCRIPTION
符号
引脚名称
A
19
-A
0
地址输入
功能
提供的内存地址。在扇区擦除一个
19
-A
11
地址线
将选择的行业。在块擦除
19
-A
15
地址线用于选择
块。
要在读周期输出数据和接收过程中写入的输入数据
周期。数据在写周期期间内部锁存。的输出是在
三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE＃为低。
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作。
提供3伏电源（ 2.7-3.6V ）
提供输入/输出缓冲力量。应当要么连接到V
DD
（ 2.7 - 3.6V ）为3V I / O或一个5.0V （ 4.5V - 5.5V ）电源
支持5V的I / O 。 （不提供SST39VF160设备上，取而代之的则是一个NC ）
未连接引脚。
329 PGM T2.6
1
2
3
4
5
6
7
DQ
15
-DQ
0
数据输入/输出
CE＃
OE ＃
WE＃
V
DD
V
DDQ
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
I / O电源
VSS
NC
地
无连接
T
ABLE
3: O
PERATION
M
副执行秘书办公室
S
选举
模式
CE＃
OE ＃
读
V
IL
V
IL
节目
V
IL
V
IH
抹去
V
IL
V
IH
待机
写禁止
写禁止
产品标识
硬件模式
软件模式
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
X
V
IL
X
V
IL
V
IL
WE＃
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IH
V
IH
V
IH
A9
A
IN
A
IN
X
X
X
X
V
H
A
IN
DQ
D
OUT
D
IN
X
高Z
高Z / D
OUT
高Z / D
OUT
制造商代码（ 00BF ）
设备代码（ 2782 ）
地址
A
IN
A
IN
扇区或块地址，
XXh时对芯片擦除
X
X
X
A
19
- A
1
= V
IL
, A
0
= V
IL
A
19
- A
1
= V
IL
, A
0
= V
IH
见表4
329 PGM T3.2
8
9
10
11
12
13
14
15
16
1998硅存储技术公司
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16兆位（ X16 ）多用途闪存
SST39LF160 / SST39VF160
SST39LF / VF1603.0 & 2.7V 16Mb的（ X16 ）强积金的回忆
数据表
产品特点：
组织为1M X16
单电压读写操作
- 3.0-3.6V的SST39LF160
- 为2.7-3.6V SST39VF160
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
- 工作电流：15 mA（典型值）
- 待机电流： 4 μA （典型值）
- 自动节能模式： 4 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
快速读取访问时间
- 55纳秒的SST39LF160
- 70和90纳秒的SST39VF160
锁存地址和数据
快速擦除和字编程
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：15秒（典型值）
SST39LF/VF160
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
产品说明
该SST39LF / VF160设备1M x16的CMOS多
通用闪存（ MPF）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST39LF160写（编程或
擦除）与3.0-3.6V电源。该SST39VF160
写（编程或擦除）用2.73.6V电源。
这些器件符合JEDEC标准引脚排列X16
回忆。
具有高性能的字编程能力， SST39LF /
VF160设备提供14典型字编程时间
μsec.These器件使用翻转位或数据＃轮询，从而提供与
美食在完成计划操作。为了保护
防止误写入，他们有片上硬件和
软件数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用，这些光谱
器件提供10,000保证续航能力
周期。数据保留的额定功率为100年以上。
该SST39LF / VF160设备适合于应用
需要亲的方便和经济更新
克，配置或数据存储器。对于所有的系统应用程序
阳离子，它们显著提高性能和
可靠性，同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程过程中ently使用更少的能源比替代方案
本机闪存技术。所消耗的总能量是
所施加的电压的函数，电流和的应用时间
化。因为对于任何给定的电压范围内，则超快闪
2001硅存储技术公司
S71145-02-000 6/01
399
1
技术使用的编程电流更低，并有一个较短的
擦除时间，在任何擦除的总能量消耗或
程序运行低于其他闪存技
吉斯。这些器件还可以提高灵活性，同时降低
成本为程序，数据和配置存储应用程序
阳离子。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39LF / VF160提供48引脚TSOP和48球
TFBGA封装。参见图1引脚。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
16兆位多用途闪存
SST39LF160 / SST39VF160
数据表
该SST39LF / VF160也有
自动低功耗
模式，使器件在附近待机模式后，
数据已经被浏览了有效的读操作。这
降低了我
DD
从通常为15 mA到读操作工作电流
通常为4 μA 。自动低功耗模式，降低了典型
CAL我
DD
以1毫安/ MHz范围内有效的读电流
读周期时间。器件退出自动低功耗
任何地址变换或控制信号转换模式
用于启动另一个读周期，没有访问时间
点球。注意，该器件不会进入自动低
上电后用CE ＃功耗模式稳步低，直到举行
第一个地址变换或CE ＃驱动为高电平。
上的2K字均匀的扇区大小。块擦除模式
是一种基于32K字的均匀的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列块擦除命令（ 50H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。参见图8和9为时序
荷兰国际集团的波形。在扇区中发出的任何命令
或块擦除操作将被忽略。
读
该SST39LF的读操作/ VF160被控制
通过CE＃和OE ＃ ，既要低，以便系统
获得的输出数据。 CE＃用于设备selec-
化。当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只
待机功耗。 OE＃为输出控制和
用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线是在
高阻抗状态，当CE＃或OE ＃为高电平。
请参考更多详细信息的读周期时序图
（图2） 。
芯片擦除操作
该SST39LF / VF160提供了全片擦除操作，
这允许用户将擦除整个存储器阵列，以
的“1”状态。此，当整个装置必须是有用
快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列，图7为定时图，
和图18的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
字编程操作
该SST39LF / VF160被编程在字的字
的基础。在编程之前，必须确保该仲
器，其中正被编程的字存在，是
完全擦除。在编程操作包括三个
步骤。第一步是为三字节序列载荷
软件数据保护。第二步骤是要加载字
地址和文字数据。在字编程操作
化，该地址被锁存，下降沿或者
CE ＃或WE ＃ ，最后的为准。该数据被锁存
任CE ＃或WE ＃上升沿，以先到为准
第一。第三步是内部编程操作这
在第4个WE ＃或CE ＃上升沿开始，
以先到为准。编程操作，一旦initi-
ated ，将在20 μs内完成。参见图3和4
对于WE＃和CE ＃控制的编程操作时序dia-
克和图15的流程图。在计划
操作时，唯一有效的读操作是数据＃投票和瓶酒
GLE位。在内部编程操作，主机
自由地执行其他任务。发出的任何命令
内部程序运行过程中被忽略。
写操作状态检测
该SST39LF / VF160提供了两种软件方法来
检测完成后写（编程或擦除）周期，
为了优化系统写周期时间。该软
洁具的检测包括两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式之后的WE ＃的上升沿，这ini-启用
tiates内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
S71145-02-000 6/01
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扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39LF / VF160提供两个扇区擦除
和块擦除模式。扇区结构是基于
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16兆位多用途闪存
SST39LF160 / SST39VF160
数据表
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39LF / VF160是在内部编程
操作中，任何尝试读取DQ
7
将产生的COM
二进制补码的真实数据。一旦程序操作
完成后， DQ
7
将产生真正的数据。该装置是再
准备下一次操作。在内部擦除操作
化，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，数据＃投票是利培后有效
荷兰国际集团的6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲边沿。参见图5
数据＃查询时序图和图16的流程图。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39LF / VF160提供了JEDEC核准软
洁具的数据保护方案的所有数据修改操作
系统蒸发散，即编程和擦除。任何编程操作
需要包含三字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。这些设备随
软件数据保护永久启用。请参阅表
4，用于在特定的软件命令代码。在SDP
命令序列，无效命令会中止
设备T内读取模式
RC
。 DQ的内容
15
-DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
但任何其他值，在任何的SDP的COM
命令序列。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位后的第四个上升沿有效。
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，切换位后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。参见图6切换
位的时序图和图16为一个流程图。
数据保护
该SST39LF / VF160提供硬件和软件
功能，以防止非易失性数据免受意外写操作。
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16兆位多用途闪存
SST39LF160 / SST39VF160
数据表
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39LF160和SST39VF160还包含CFI
信息来描述器件的特性。
为了进入CFI查询模式，系统必须
写3字节的序列，相同的产品ID进入
命令98H （ CFI查询命令）来解决
5555H中的最后一个字节序列。一旦设备进入
CFI查询模式，系统可以读取的数据CFI
到7所述的系统必须在表5中给出的地址
写入CFI退出命令返回到读取模式
CFI查询模式。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39LF/VF160
0001H
2782H
T1.2 399
数据
00BFH
0000H
产品标识模式退出/
CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，它返回到设备的读操作。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/
一个内部计划中CFI退出命令被忽略或
擦除操作。参见表4软件命令
码，图12为时序波形和图17的
流程图。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST39LF / VF160和制造商为SST。此模式
可以通过软件操作来访问。用户可使用
软件产品标识操作来识别
一部分（即使用设备ID ），当使用多个制造
商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表4
软件的操作，图10为软件ID条目和
读时序图，图17为软件ID
进入命令序列流程图。
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