8兆位/ 16兆位（ X16 ）多用途闪存
SST39LF800 / SST39LF160 / SST39VF800 / SST39VF160
数据表
产品特点：
组织为512K X16 / X16 1M
单电压读写操作
- 3.0-3.6V的SST39LF800 / 160
- 2.7-3.6V的SST39VF800 / 160
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：15 mA（典型值）
- 待机电流： 4 μA （典型值）
- 自动节能模式： 4 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
块擦除功能
- 统一32K字块
快速读取访问时间：
- 55纳秒的SST39LF800 / 160
- 70和90纳秒的SST39VF800 / 160
锁存地址和数据
快速擦除和字编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
8秒（典型值） SST39LF / VF800
15秒（典型值） SST39LF / VF160
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 44引脚SOIC （ 500mil ）
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TFBGA （8毫米X 10毫米）
功耗。他们本能地使用更少的能源
擦除和编程比其他闪存技时
nologies 。所消耗的总能量是一个函数
施加的电压，电流和应用的时间。自
对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术
使用编程电流更低，且具有更短的擦除
时间，在任何擦除的总能量消耗或
程序运行低于其他闪存技
nologies 。这些器件还可以提高灵活性，同时
降低成本的程序，数据，和配置
存储的应用程序。
SuperFlash技术提供固定的擦除和
程序倍，独立擦除的数目/
已发生的项目周期。因此，系
统软件或硬件没有被修改
或降额，这一点不同于其他闪存技
与nologies ，其擦除和编程时间增加
累积的擦除/编程周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39LF800 / 160和SST39VF800 / 160提供的
44引脚SOIC ， 48引脚TSOP和48引脚TFBGA封装
老少皆宜。参见图1 ，图2和3为引出线。
设备操作
命令用于启动存储器操作
该装置的功能。命令被写入到
器件采用标准的微处理器写序列。
在写入命令时将WE＃置为低电平，同时
1
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产品说明
该SST39LF800 / 160和SST39VF800 / 160设备
是512K X16 / X16 1M CMOS多用途闪存
（ MPF）与SST专有的，高perfor-制造
曼斯CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代比较
的方法。该SST39LF800 / 160写（编程或
擦除）与3.0-3.6V电源。该SST39VF800 /
160写（编程或擦除）与电源2.7-3.6V
供应量。这些器件符合JEDEC标准
引脚为X16的回忆。
具有高性能的字编程能力，
SST39LF800 / 160和SST39VF800 / 160器件亲
韦迪14 μsec.These一个典型字编程时间
器件使用翻转位或数据＃投票指示
编程操作的完成。为了防止
无意中写的，他们有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用范围，
这些器件提供了一个保证续航能力
10000次。数据保留的额定功率为大于
100年。
该SST39LF800 / 160和SST39VF800 / 160设备
适合用于需要的应用程序方便和
程序，配置或数据的经济更新
内存。对于所有的系统应用程序，它们显著
提高性能和可靠性，同时降低
2000硅存储技术， Inc.The SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ，Inc.的商标强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
399-02 2/00
规格若有变更，恕不另行通知。
1
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8兆位/ 16兆位多用途闪存
SST39LF800 / SST39LF160 / SST39VF800 / SST39VF160
数据表
CE＃保持低电平。地址总线被锁存的
下降沿WE＃或CE＃ ，最后为准。该
数据总线被锁定在WE＃或CE ＃的上升沿，
以先到为准。
该SST39LF800 / 160和SST39VF800 / 160也有
该
自动低功耗
模式，使器件在附近
数据后待机模式下被访问具有有效
读操作。这降低了我
DD
读操作工作电流
从通常为15 mA至通常为4 μA 。自动低功耗
模式降低了典型I
DD
到有源读取电流
1 mA范围/读取周期时间兆赫。器件退出
自动低功耗模式与任何地址变换或
控制用于启动另一个读周期的信号转换，
没有访问时间损失。
读
该SST39LF800的/读操作160和
SST39VF800 / 160通过CE＃和OE ＃控制，无论是
必须是低的系统，以获得从所述数据
输出。 CE＃用于器件选择。当CE＃为
高，芯片被取消选中，只有备用电源
消耗掉。 OE＃为输出控制，用于栅极
从输出管脚的数据。数据总线处于高阻抗
ANCE状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。参阅
了解更多详细信息（图4）周期时序图。
字编程操作
该SST39LF800 / 160和SST39VF800 / 160顷亲
编程就一个字，用字的基础。程序操作
灰包括三个步骤。第一步是三字节
软件数据保护负载序列。第二个
第一步是加载的字地址，字数据。在
字编程操作时，地址锁存
任CE ＃或WE ＃的下降沿，以先到为准
最后。该数据被锁存，在CE＃的上升沿或
WE＃ ，以先到为准。第三步是在内部
这是以后的上升沿启动程序操作
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。亲
克操作，一旦启动，将在20完成
微秒。参见图5和图6为WE ＃和CE＃控制
编程操作时序图和图17
流程图。在编程操作期间，唯一有效的
读操作是数据＃查询和翻转位。在内部
程序运行时，主机可以自由地执行其他
任务。内部编程过程中发出的任何命令
操作将被忽略。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39LF800 / 160和SST39VF800 /
160提供两种扇区擦除和块擦除模式。该
扇区结构是基于2均匀扇区大小
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KWord的。块擦除模式基于统一的块
的32K字的大小。启动扇区擦除操作
通过执行以部门一个6字节的命令序列
在过去的擦除命令（ 30H）和扇区地址（SA）
总线周期。由EX-发起的块擦除操作
ecuting有块擦除一个6字节的命令序列
命令（ 50H ）和块地址（ BA ）的末班车
周期。扇区或块地址被锁存在下降
边缘的6个WE＃脉冲，而命令（ 30H或
50H ）被锁定在6个WE＃脉冲的上升沿。
内部擦除操作开始后的第6个WE ＃
脉搏。期终止擦除操作，可确定
通过数据＃查询或翻转位的方法。看
图10和图11为时序波形。任何命令
在扇区擦除或块擦除操作期间发出的
忽略不计。
芯片擦除操作
该SST39LF800 / 160和SST39VF800 / 160提供了
芯片擦除操作，其允许用户擦除
整个存储器阵列的“1”状态。这是非常有用的，当
整个装置必须迅速删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列
（10H） ，在地址5555H中的最后一个字节序列。该
擦除操作开始与第六的上升沿
WE＃或CE ＃ ，以先到为准。在擦除
操作时，唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。
看该命令序列表4 ，图9为定时
图，图20为流程图。任何命令
全片擦除操作期间发出的被忽略。
写操作状态检测
该SST39LF800 / 160和SST39VF800 / 160提供了两种
软件方法来检测完成写的（亲
克或擦除）循环中，为了优化系统写
周期时间。软件检测包含两个状态位：
数据＃投票（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。该终了
写检测模式之后的上升沿使能
WE＃ ，启动内部编程或擦除操作
化。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以
无论使用哪种DQ冲突
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，该软件例行程序
齿应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则
抑制是有效的。
2
399-02 2/00
8兆位/ 16兆位多用途闪存
SST39LF800 / SST39LF160 / SST39VF800 / SST39VF160
数据表
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39LF800 / 160和SST39VF800 / 160在
内部编程操作，任何尝试读取DQ
7
将产生的真实数据的补码。一旦
程序操作完成后， DQ
7
会产生真正的
数据。该设备然后准备进行下一次操作。
在内部擦除操作，任何尝试读取DQ7
会产生一个'0'。一旦内部擦除操作
完成后， DQ7将产生“1” 。该数据＃查询
之后的第4个WE ＃ （或CE ＃ ）的上升沿有效脉冲
程序操作。对于扇区，块或片擦除时，
之后的6个WE＃上升沿数据＃投票是有效的（或
CE＃）脉冲。参见图7为数据＃查询时序图
图18为一个流程图。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1的
和0 ，即0。 1至切换当内部
编程或擦除操作完成时， DQ6位将
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位后的第四个上升沿有效。
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，切换位后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。参见图8的切换
位的时序图和图18为一个流程图。
数据保护
该SST39LF800 / 160和SST39VF800 / 160提供
硬件和软件功能来保护非易失
从意外写入数据。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于
5纳秒不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39LF800 / 160和SST39VF800 / 160提供
JEDEC核准的软件数据保护方案的所有
数据修改操作，即编程和擦除。任何
程序运行需要包含三字节
序列。三个字节装入序列用于启动
编程操作，提供最佳的保护
意外的写操作，如系统中
上电或断电。任何擦除操作要求
列入6字节的序列。这些设备是
与软件数据保护永久发货
启用。请参阅表4为特定的软件命令
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码。在SDP命令序列，无效的COM
指令都会中止器件T内阅读模式
RC
。该
DQ内容
15
-DQ
8
是“不关心”过程中的任何SDP
命令序列。
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39LF800 / 160和SST39VF800 / 160还包含
原讼法庭的信息来描述的特征
装置。为了进入CFI查询模式，系统
必须写3字节的序列，相同的产品ID进入
命令98H （ CFI查询命令）来解决
5555H中的最后一个字节序列。一旦设备进入
CFI查询模式，系统可以读取的数据CFI
到7所述的系统必须在表5中给出的地址
写入CFI退出命令返回到来自阅读模式
CFI查询模式。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST39LF / VF800 ， SST39LF / VF160和制造商
为SST。该模式可以通过硬件访问或
软件操作。对硬件的操作通常是
所使用的编程，以确定正确的算法
该SST39LF800 / 160和SST39VF800 / 160 。用户可以
想使用的软件产品标识操作
识别部分（即使用设备代码）时使用
多个制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅
表3用于硬件操作或表4为软件
操作时，图12为软件ID进入和读取
对于软件ID进入时序图和图19
命令序列流程图。
T
ABLE
1: P
RODUCT
I
DENTIFICATION
T
ABLE
地址
制造商代码
设备代码SST39LF / VF800
设备代码SST39LF / VF160
0000H
0001H
0001H
数据
00BFH
2781H
2782H
399 PGM T1.0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
产品标识模式退出/ CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished SE-
quence ，它返回到设备的读操作。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/ CFI
内部程序中的退出命令被忽略或
擦除操作。参见表4软件命令代码，
图14为定时波形和图19的流程图。
3
399-02 2/00
8兆位/ 16兆位多用途闪存
SST39LF800 / SST39LF160 / SST39VF800 / SST39VF160
数据表
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
X解码器
EEPROM
电池阵列
内存地址
地址缓冲器&门锁
y解码器
CE＃
OE ＃
WE＃
DQ15 - DQ0
399 ILL B1.0
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
SST39LF/VF160
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE＃
NC
NC
NC
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
SST39LF/VF800
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
NC
NC
NC
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
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6
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13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
SST39LF/VF800
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
NC
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VDD
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
SST39LF/VF160
A16
NC
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VDD
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
标准引脚
顶视图
死亡最多
399 ILL F01.0
F
IGURE
1: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
48-
针
TSOP
TOP VIEW （球朝下）
TOP VIEW （球朝下）
6
5
4
3
2
1
A13
A9
WE＃
NC
A7
A3
A12
A8
NC
NC
A17
A4
A14
A10
NC
A18
A6
A2
A15
A11
NC
NC
A5
A1
A16
NC
DQ15 VSS
6
5
4
3
2
A13
A9
WE＃
NC
A7
A12
A8
NC
NC
A17
A4
A14
A10
NC
A18
A6
A2
A15
A11
A19
NC
A5
A1
A16
NC
DQ15 VSS
DQ7 DQ14 DQ13 DQ6
DQ5 DQ12 VDD DQ4
DQ2 DQ10 DQ11 DQ3
DQ0 DQ8
A0
CE＃
DQ9 DQ1
OE ＃ VSS
DQ7 DQ14 DQ13 DQ6
DQ5 DQ12 VDD DQ4
DQ2 DQ10 DQ11 DQ3
DQ0 DQ8
A0
CE＃
DQ9 DQ1
OE ＃ VSS
1
A3
A B C D E F G H
SST39LF/VF800
399 ILL F02b.0
A B C D E F G H
SST39LF/VF160
399 ILL F02.0
F
IGURE
2: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
48-
球
TFBGA
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8兆位/ 16兆位多用途闪存
SST39LF800 / SST39LF160 / SST39VF800 / SST39VF160
数据表
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
VSS
OE ＃
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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14
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16
17
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19
20
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43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
WE＃
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
NC
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VDD
399 ILL F01a.1
顶视图
死亡最多
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
VSS
OE ＃
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
顶视图
死亡最多
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
WE＃
A19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
NC
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
399 PGM T2.1
SST39LF/VF800
SST39LF/VF160
399 ILL F01b.1
F
IGURE
3: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
44-
针
SOIC
T
ABLE
2: P
IN
D
ESCRIPTION
符号
引脚名称
A
MS
-A
0
地址输入
DQ
15
-DQ
0
CE＃
OE ＃
WE＃
V
DD
VSS
NC
数据输入/输出
功能
提供的内存地址。在扇区擦除
MS
-A
11
地址
线路将选择部门。在块擦除
MS
-A
15
地址线
选择块。
要在读周期输出数据和接收过程中写入的输入数据
周期。数据在写周期期间内部锁存。的输出是在
三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE＃为低。
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作。
为SST39LF800 / 160 3.0-3.6V ：提供电源电压
2.7-3.6V的SST39VF800 / 160
未连接引脚。
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
无连接
注意：一
MS
=最显著地址
A
MS
= A
18
对于SST39LF / VF800和A
19
对于SST39LF / VF160
12
DQ
D
OUT
D
IN
X
高Z
高Z / D
OUT
高Z / D
OUT
制造商代码（ 00BF ）
设备代码（ 1 ）
地址
A
IN
A
IN
扇区或块地址，
XXH芯片擦
X
X
X
A
MS(2)
- A
1
= V
IL
, A
0
= V
IL
A
MS(2)
- A
1
= V
IL
, A
0
= V
IH
见表4
399 PGM T3.0
T
ABLE
3: O
PERATION
M
副执行秘书办公室
S
选举
模式
CE＃
OE ＃
V
IL
读
V
IL
节目
V
IL
V
IH
抹去
V
IL
V
IH
待机
写禁止
产品标识
硬件模式
软件模式
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
X
V
IL
X
V
IL
V
IL
WE＃
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IH
V
IH
V
IH
A9
A
IN
A
IN
X
X
X
X
V
H
A
IN
13
14
15
16
注： （ 1） SST39LF / VF800为SST39LF / VF160设备代码2781和2782
(2) A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
18
对于SST39LF / VF800和A
19
对于SST39LF / VF160
2000硅存储技术公司
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5
399-02 2/00
QQ：2881677436 复制
