8兆位（ X8 ）多用途闪存
SST39VF088
EOL数据表
产品特点：
组织为1M ×8
单电压读写操作
– 2.7-3.6V
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：12 mA（典型值）
- 待机电流： 4 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
块擦除功能
- 统一64千字节块
快速读取访问时间：
- 70和90纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字节编程
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：15秒（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
产品说明
OB
S
2007硅存储技术公司
S71227-05-EOL
2/07
1
该SST39VF088装置是1M ×8的CMOS多用途
闪存（ MPF）与SST专有的制造，高
高性能CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代比较
的方法。该SST39VF088写（编程或擦除）
用2.7-3.6V电源。它符合JEDEC标
准引脚为X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时，
SST39VF088器件提供了一个典型的字节编程时间
14微秒。该器件使用翻转位或数据＃查询到
表示完成计划操作。为了保护
防止误写入，他们有片上硬件和
软件数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用，这些光谱
器件提供10,000保证续航能力
周期。数据保留的额定功率为100年以上。
该SST39VF088装置适合于应用
需要程序方便和经济的升级，
配置或数据存储器。对于所有系统应用，
它们显著提高性能和可靠性，同时
降低功耗。他们天生少用
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
技术。所消耗的总能量是的函数
所施加的电压，施加电流和时间。自
OL
ET
对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术
使用编程电流更低，并具有擦除时间更短，
在任何擦除或编程所消耗的总能量
操作低于其他闪存技术。他们
还可以提高灵活性，同时降低成本的方案，
数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39VF088是48引脚TSOP封装提供。看
图1为引脚分配。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
E
8兆位多用途闪存
SST39VF088
EOL数据表
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
在SST39VF088的读操作是由控制
CE＃和OE ＃ ，既要低的系统，以获得
从输出数据。 CE＃用于器件选择。
当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只待机
功率消耗。 OE＃为输出控制，并用于
从门控输出引脚的数据。数据总线是在高
阻抗状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。请参阅
了解更多详情的读周期时序图（图2 ） 。
字节编程操作
OB
S
扇区/块擦除操作
2007硅存储技术公司
该SST39VF088被编程在逐字节的基础。
在编程之前，扇区所在的字节存在一定
完全擦除。程序操作完成
三个步骤。第一步是3字节装入序列
软件数据保护。第二步骤是要加载
字节地址和字节的数据。在字节编程
操作时，地址被锁存的下降沿
CE＃或WE＃ ，先到为准最后。该数据是
锁存， CE＃或WE ＃的上升沿，取
先发生。第三步是内部编程操作
这是在第4个WE＃上升沿启动或
CE＃ ，以先到为准。编程操作，一旦
开始，将在20 μs内完成。参见图3和
4 WE＃和CE ＃控制的编程操作时序
图和图13为流程图。在计划
操作时，唯一有效的读操作是数据＃投票和瓶酒
GLE位。在内部编程操作，主机
自由地执行其他任务。发出的任何命令
内部程序运行过程中被忽略。
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39VF088同时提供扇区擦除
和块擦除模式。扇区结构是基于
上的4 K字节均匀扇区大小。块擦除模式
是基于对64 K字节均一的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 50H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
2
OL
ET
芯片擦除操作
读
该SST39VF088提供了全片擦除操作，该操作
允许用户擦除整个存储器阵列的“1”的
状态。此，当整个装置必须迅速地是有用
删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址AAAH 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列，图7为定时图，
和图16的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
写操作状态检测
该SST39VF088提供了两种软件方法来检测
在完成写的（编程或擦除）周期，以
优化系统写周期时间。软件
检测包括两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
）和
切换位（ DQ
6
） 。写操作结束检测模式
后的WE ＃的上升沿，从而启动所述使能
内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
E
序列块擦除命令（ 30H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。参见图8和9为时序
荷兰国际集团的波形。在扇区中发出的任何命令
或块擦除操作将被忽略。
S71227-05-EOL
2/07
8兆位多用途闪存
SST39VF088
EOL数据表
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39VF088是在内部程序操作
化，任何尝试读取DQ
7
将产生的补
的真实数据。一旦程序操作完成后，
DQ
7
将产生真正的数据。请注意，即使DQ
7
可能有立即的有效数据完成以下
在内部写操作的，其余数据输出
可能仍然是无效的：在整个数据总线上的有效数据将
出现在后的后续读周期
间隔1微秒。在内部擦除操作，任何
试图读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部
擦除操作完成时， DQ的
7
将产生一个'1'。该
之后的第4个WE ＃上升沿数据＃投票是有效的（或
CE＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，块或
芯片擦除，数据＃查询后上升沿有效
第六WE ＃ （或CE ＃）脉冲。参见图5为数据＃投票
时序图和图14的流程图。
数据保护
该SST39VF088提供硬件和软件
功能，以防止意外的非易失性数据
写道。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位后的第四个上升沿有效。
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块级或芯片擦除，切换位后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。参见图6切换
位的时序图和图14为一个流程图。
OB
S
2007硅存储技术公司
S71227-05-EOL
2/07
OL
3
ET
软件数据保护（ SDP ）
该SST39VF088提供了JEDEC核准的软件
数据保护计划的所有数据修改操作，
即，编程和擦除。任何程序运行需要
包含一个3字节的序列。三字节
装入序列用于启动编程操作，
提供防止意外写操作的最佳保护
系统蒸发散，例如，在系统上电或断电。
任何擦除操作需要包含六个字节
序列。该SST39VF088器件出厂时的
软件数据保护永久启用。请参阅表
4，用于在特定的软件命令代码。在SDP
命令序列，无效命令会中止
设备T内读取模式
RC 。
E
8兆位多用途闪存
SST39VF088
EOL数据表
产品标识
该产品识别方式识别该设备作为
SST39VF088和制造商为SST。此模式可
可以通过软件来操作的访问。用户可以使用
软件产品标识操作来识别一部分
（即，使用设备ID ），当使用多个manufactur-
ERS在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表4的软件
操作时，图10为软件ID进入和读取
对于软件ID进入时序图和图15
命令序列流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39VF088
0001H
D8H
0000H
数据
BFH
产品标识模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，它返回到设备的读操作。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出
内部编程或擦除命令时被忽略
操作。参见表4软件命令代码和
图15为一个流程图。
T1.0 1227
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
OL
X解码器
地址缓冲器&门锁
控制逻辑
内存
地址
OB
S
OE ＃
WE＃
2007硅存储技术公司
CE＃
ET
超快闪
内存
y解码器
I / O缓冲器和数据锁存器
DQ7 - DQ0
E
1227 B1.0
S71227-05-EOL
2/07
4
8兆位（ X8 ）多用途闪存
SST39VF088
SST39VF0882.7V为8MB（ X8 ）强积金内存
初步规格
产品特点：
组织为1M ×8
单电压读写操作
– 2.7-3.6V
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：12 mA（典型值）
- 待机电流： 4 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
块擦除功能
- 统一64千字节块
快速读取访问时间：
- 70和90纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字节编程
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：15秒（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
产品说明
该SST39VF088装置是1M ×8的CMOS多用途
闪存（ MPF）与SST专有的制造，高
高性能CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代比较
的方法。该SST39VF088写（编程或擦除）
用2.7-3.6V电源。它符合JEDEC标
准引脚为X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时，
SST39VF088器件提供了一个典型的字节编程时间
14微秒。该器件使用翻转位或数据＃查询到
表示完成计划操作。为了保护
防止误写入，他们有片上硬件和
软件数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用，这些光谱
器件提供10,000保证续航能力
周期。数据保留的额定功率为100年以上。
该SST39VF088装置适合于应用
需要程序方便和经济的升级，
配置或数据存储器。对于所有系统应用，
它们显著提高性能和可靠性，同时
降低功耗。他们天生少用
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
技术。所消耗的总能量是的函数
所施加的电压，施加电流和时间。自
2003硅存储技术公司
S71227-04-000
11/03
1
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术
使用编程电流更低，并具有擦除时间更短，
在任何擦除或编程所消耗的总能量
操作低于其他闪存技术。他们
还可以提高灵活性，同时降低成本的方案，
数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39VF088是48引脚TSOP封装提供。看
图1为引脚分配。
8兆位多用途闪存
SST39VF088
初步规格
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
读
在SST39VF088的读操作是由控制
CE＃和OE ＃ ，既要低的系统，以获得
从输出数据。 CE＃用于器件选择。
当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只待机
功率消耗。 OE＃为输出控制，并用于
从门控输出引脚的数据。数据总线是在高
阻抗状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。请参阅
了解更多详情的读周期时序图（图2 ） 。
序列块擦除命令（ 30H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。参见图8和9为时序
荷兰国际集团的波形。在扇区中发出的任何命令
或块擦除操作将被忽略。
芯片擦除操作
该SST39VF088提供了全片擦除操作，该操作
允许用户擦除整个存储器阵列的“1”的
状态。此，当整个装置必须迅速地是有用
删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址AAAH 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列，图7为定时图，
和图16的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
字节编程操作
该SST39VF088被编程在逐字节的基础。
在编程之前，扇区所在的字节存在一定
完全擦除。程序操作完成
三个步骤。第一步是3字节装入序列
软件数据保护。第二步骤是要加载
字节地址和字节的数据。在字节编程
操作时，地址被锁存的下降沿
CE＃或WE＃ ，先到为准最后。该数据是
锁存， CE＃或WE ＃的上升沿，取
先发生。第三步是内部编程操作
这是在第4个WE＃上升沿启动或
CE＃ ，以先到为准。编程操作，一旦
开始，将在20 μs内完成。参见图3和
4 WE＃和CE ＃控制的编程操作时序
图和图13为流程图。在计划
操作时，唯一有效的读操作是数据＃投票和瓶酒
GLE位。在内部编程操作，主机
自由地执行其他任务。发出的任何命令
内部程序运行过程中被忽略。
写操作状态检测
该SST39VF088提供了两种软件方法来检测
在完成写的（编程或擦除）周期，以
优化系统写周期时间。软件
检测包括两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
）和
切换位（ DQ
6
） 。写操作结束检测模式
后的WE ＃的上升沿，从而启动所述使能
内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39VF088同时提供扇区擦除
和块擦除模式。扇区结构是基于
上的4 K字节均匀扇区大小。块擦除模式
是基于对64 K字节均一的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 50H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
2003硅存储技术公司
S71227-04-000
11/03
2
8兆位多用途闪存
SST39VF088
初步规格
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39VF088是在内部程序操作
化，任何尝试读取DQ
7
将产生的补
的真实数据。一旦程序操作完成后，
DQ
7
将产生真正的数据。请注意，即使DQ
7
可能有立即的有效数据完成以下
在内部写操作的，其余数据输出
可能仍然是无效的：在整个数据总线上的有效数据将
出现在后的后续读周期
间隔1微秒。在内部擦除操作，任何
试图读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部
擦除操作完成时， DQ的
7
将产生一个'1'。该
之后的第4个WE ＃上升沿数据＃投票是有效的（或
CE＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，块或
芯片擦除，数据＃查询后上升沿有效
第六WE ＃ （或CE ＃）脉冲。参见图5为数据＃投票
时序图和图14的流程图。
数据保护
该SST39VF088提供硬件和软件
功能，以防止意外的非易失性数据
写道。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39VF088提供了JEDEC核准的软件
数据保护计划的所有数据修改操作，
即，编程和擦除。任何程序运行需要
包含一个3字节的序列。三字节
装入序列用于启动编程操作，
提供防止意外写操作的最佳保护
系统蒸发散，例如，在系统上电或断电。
任何擦除操作需要包含六个字节
序列。该SST39VF088器件出厂时的
软件数据保护永久启用。请参阅表
4，用于在特定的软件命令代码。在SDP
命令序列，无效命令会中止
设备T内读取模式
RC 。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位后的第四个上升沿有效。
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块级或芯片擦除，切换位后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。参见图6切换
位的时序图和图14为一个流程图。
2003硅存储技术公司
S71227-04-000
11/03
3
8兆位多用途闪存
SST39VF088
初步规格
产品标识
该产品识别方式识别该设备作为
SST39VF088和制造商为SST。此模式可
可以通过软件来操作的访问。用户可以使用
软件产品标识操作来识别一部分
（即，使用设备ID ），当使用多个manufactur-
ERS在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表4的软件
操作时，图10为软件ID进入和读取
对于软件ID进入时序图和图15
命令序列流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39VF088
0001H
D8H
T1.0 1227
产品标识模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，它返回到设备的读操作。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出
内部编程或擦除命令时被忽略
操作。参见表4软件命令代码和
图15为一个流程图。
数据
BFH
0000H
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
X解码器
超快闪
内存
内存
地址
地址缓冲器&门锁
y解码器
CE＃
OE ＃
WE＃
DQ7 - DQ0
1227 B1.0
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
2003硅存储技术公司
S71227-04-000
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