8兆位（ X8 ）多用途闪存
SST39LF080 / SST39VF080
SST39LF / VF0803.0 & 2.7V 8Mb的（ X8 ）强积金的回忆
EOL数据表
产品特点：
组织为1M ×8
单电压读写操作
- 3.0-3.6V的SST39LF080
- 2.7-3.6V的SST39VF080
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
（在14 MHz时的典型值）
- 工作电流：12 mA（典型值）
- 待机电流： 4 μA （典型值）
- 自动节能模式： 4 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
块擦除功能
- 统一64千字节块
快速读取访问时间：
- 55纳秒的SST39LF080
- 70和90纳秒的SST39VF080
锁存地址和数据
快速擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
15秒（典型值） SST39LF / VF080
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 40引脚TSOP （ 10毫米x10 20毫米）
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
产品说明
该SST39LF / VF080设备1M ×8 CMOS多陈建
造成闪存（ MPF）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST39LF080写（编程或
擦除）与3.0-3.6V电源。该SST39VF080
写（编程或擦除）用2.73.6V电源。
它们符合JEDEC标准的引脚排列X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时， SST39LF /
VF080设备提供14典型字节编程时间
微秒。该器件使用翻转位或数据＃查询，从而提供与
美食在完成计划操作。为了保护
防止误写入，他们有片上硬件和
软件数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用范围，
这些器件提供有保证的典型
续航能力达10000次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39LF / VF080设备适合于应用
需要亲的方便和经济更新
克，配置或数据存储器。对于所有的系统应用程序
阳离子，它们显著提高性能和
可靠性，同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程过程中ently使用更少的能源比替代方案
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
本机闪存技术。所消耗的总能量是
所施加的电压的函数，电流和的应用时间
化。因为对于任何给定的电压范围内，则超快闪
技术使用的编程电流更低，并有一个较短的
擦除时间，在任何擦除的总能量消耗或
程序运行低于其他闪存技
吉斯。它们还可以提高灵活性，同时降低了成本
程序，数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39LF / VF080提供40引脚TSOP和48-
球TFBGA封装。请参阅图1和图2为销
分配。
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设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
该SST39LF / VF080也有
自动低功耗
模式，使器件在附近待机模式后，
数据已经被浏览了有效的读操作。这
降低了我
DD
从通常为15 mA到读操作工作电流
通常为4 μA 。自动低功耗模式，降低了典型
CAL我
DD
以1毫安/ MHz范围内有效的读电流
读周期时间。器件退出自动低功耗
任何地址变换或控制信号转换模式
用于启动另一个读周期，没有访问时间
点球。注意，该器件不会进入自动低
上电后用CE ＃功耗模式稳步低，直到举行
第一个地址变换或CE ＃驱动为高电平。
操作时，主机可以自由地执行其他任务。任何
内部编程操作期间发出的命令
将被忽略。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39LF / VF080提供两个扇区擦除
和块擦除模式。扇区结构是基于
上的4 K字节均匀扇区大小。块擦除模式
是基于对64 K字节均一的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列块擦除命令（ 50H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序
荷兰国际集团的波形。在扇区中发出的任何命令
或块擦除操作将被忽略。
读
该SST39LF的读操作/ VF080被控制
通过CE＃和OE ＃ ，既要低，以便系统
获得的输出数据。 CE＃用于设备selec-
化。当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只
待机功耗。 OE＃为输出控制和
用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线是在
高阻抗状态，当CE＃或OE ＃为高电平。
请参考更多详细信息的读周期时序图
（图3） 。
芯片擦除操作
该SST39LF / VF080提供了全片擦除操作，
这允许用户将擦除整个存储器阵列，以
的“1”状态。此，当整个装置必须是有用
快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列，图8为时序图，
和图19的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
字节编程操作
该SST39LF / VF080被编程在逐字节
的基础。在编程之前，扇区所在的字节
存在必须完全擦除。程序操作
完成三个步骤。第一步是三字节
软件数据保护负载序列。第二个
步骤是装载字节地址和字节的数据。在字节级
程序运行时，地址锁存在下降沿
边缘CE＃或WE＃ ，最后为准。该
数据被锁存， CE＃或WE＃上升沿
以先到为准。第三步是内部亲
克而操作之后的上升沿开始
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。该计划
操作时，一旦启动，将在20 μs内完成。
参见图4和图5为WE ＃和CE＃控制程序
操作时序图，图16的流程图。
在编程操作期间，唯一有效的读操作
数据＃查询和翻转位。在内部编程
写操作状态检测
该SST39LF / VF080提供了两种软件方法来检测
在完成写的（编程或擦除）周期，以
优化系统写周期时间。软件
检测包括两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
）和
切换位（ DQ
6
） 。写操作结束检测模式
后的WE ＃的上升沿，从而启动所述使能
内部编程或擦除操作。
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非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
数据保护
该SST39LF / VF080同时提供硬件和软件
洁具功能，以防止意外的非易失性数据
写道。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39LF / VF080是在内部编程
操作中，任何尝试读取DQ
7
将产生的COM
二进制补码的真实数据。一旦程序操作
完成后， DQ
7
将产生真正的数据。请注意，即使
虽然DQ
7
可有有效的数据紧随
在内部写操作完成后，将剩余的
数据输出仍然可能是无效的：在整个有效数据
数据总线将出现在后续读
1微秒的时间间隔后循环。在内部擦除操作
化，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，数据＃投票是利培后有效
荷兰国际集团的6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲边沿。参见图6
数据＃查询时序图和图17的流程图。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39LF / VF080提供了JEDEC核准软
洁具的数据保护方案的所有数据修改操作
系统蒸发散，即编程和擦除。任何编程操作
需要包含三字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。该SST39LF / VF080设备
与软件数据保护永久发货
启用。请参阅表4为特定的软件命令
码。在SDP命令序列，无效的COM
指令都会中止器件T内阅读模式
RC 。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位后的第四个上升沿有效。
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块级或芯片擦除，切换位后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。参见图7为切换
位的时序图和图17为一个流程图。
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39LF / VF080还包含CFI信息
描述了器件的特性。为了进入
CFI查询模式，系统必须加载三个字节
序列，类似于软件ID进入命令。该
此命令加载98H的最后一个字节周期（ CFI查询
命令），以解决5555H 。一旦设备进入
CFI查询模式下，系统可以读取在CFI的数据
到7所述的系统必须在表5中给出的地址
写入CFI退出命令返回到读取模式
CFI查询模式。
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产品标识
产品标识方式将设备识别为
SST39LF080或SST39VF080和制造商为SST。
这种模式可以由软件操作来访问。
用户可以使用该软件产品标识操作
化时，使用来识别部分（即，使用设备ID ）
多个制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅
表4对软件的操作，图11中的软件
ID进入和读取时序图和图18的
软件ID进入命令序列流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39LF/VF080
0001H
D8H
T1.3 1146
产品标识模式退出/
CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，它返回到设备的读操作。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/
一个内部计划中CFI退出命令被忽略或
擦除操作。参见表4软件命令
码，图13为时序波形和图18的
流程图。
数据
BFH
0000H
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
X解码器
超快闪
内存
内存
地址
地址缓冲器&门锁
y解码器
CE＃
OE ＃
WE＃
DQ7 - DQ0
1146 B1.2
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
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