512千位/ 1兆位/ 2兆位（ X8 ）多用途闪存
SST39SF512A / SST39SF010A / SST39SF020A
数据表
产品特点：
组织为64K ×8 / 128K ×8 / 256K ×8
单5.0V读取和写入操作
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流10 mA（典型值）
- 待机电流： 30 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
快速读取访问时间：
- 45和70纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
1秒（典型值）的SST39SF512A
2秒钟（典型值）的SST39SF010A
4秒（典型值）的SST39SF020A
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
TTL I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
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产品说明
该SST39SF512A / 010A / 020A的CMOS多陈建
造成闪存（ MPF）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性比较
与其他方法。该SST39SF512A / 010A /
020A设备写（编程或擦除）与5.0V电源
供应量。该SST39SF512A / 010A / 020A器件符合
JEDEC标准引脚排列X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时，
SST39SF512A / 010A / 020A器件提供了最大
字节编程20微秒的时间。这些器件使用翻转
位或数据＃投票指示完成计划
操作。为了防止意外写操作，他们有
片上硬件和软件数据保护
计划。设计，制造和测试了一个宽
的应用范围，这些器件还具有
保证续航能力达10000次。数据保留
额定功率为100年以上。
该SST39SF512A / 010A / 020A设备适合于
需要方便和经济updat-应用
荷兰国际集团计划，配置或数据存储器。对于所有
系统的应用程序，它们显著改善perfor-
曼斯和可靠性，同时降低功耗。
他们擦除和编程过程中会本能地使用更少的能源
比其他闪存技术。在总能源
SUMED是所施加的电压，电流和时间的函数
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的应用。因为对于任何给定的电压范围内，则
SuperFlash技术的编程电流小，
具有更短的擦除时间，总的能量过程中消耗
任何擦除或编程操作小于替代
闪存技术。这些器件还可以提高灵活性
同时降低成本为程序，数据和配置
存储的应用程序。
SuperFlash技术提供固定的擦除和
程序倍，独立擦除的数目/
已发生的项目周期。因此，系
统软件或硬件没有被修改
或降额，这一点不同于其他闪存技
与nologies ，其擦除和编程时间增加
累积的擦除/编程周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39SF512A / 010A / 020A提供32引脚TSOP
和32引脚PLCC封装。 A 600万， 32引脚PDIP是
也可提供。参见图1 ，图2和3为引出线。
设备操作
命令用于启动存储器操作
该装置的功能。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ，Inc.的商标强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
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512千位/ 1兆位/ 2 Mbit的多用途闪存
SST39SF512A / SST39SF010A / SST39SF020A
数据表
读
该SST39SF512A的读操作/ 010A / 020A是
通过CE＃和OE ＃控制，都具有很低的
系统，以获得从所述输出数据。 CE＃被用于
设备选择。当CE＃为高电平时，芯片是dese-
lected只有待机功耗。 OE ＃是
输出控制，并从所述输出用于门控数据
销。数据总线处于高阻抗状态时，无论
CE ＃或OE ＃为高电平。请参考图4，用于读出周期
时序图。
字节编程操作
该SST39SF512A / 010A / 020A编程上
逐字节的基础。在编程操作由
三个步骤。第一步是三字节序列载荷
软件数据保护。第二步骤是要加载
字节地址和字节的数据。在字节编程
操作时，地址被锁存的下降沿
CE＃或WE＃ ，先到为准最后。该数据是
锁存， CE＃或WE ＃的上升沿，取
先发生。第三步是内部编程操作
这是在第4个WE＃上升沿启动或
CE＃ ，以先到为准。编程操作，一旦
开始，将完成，在20微秒。参见图5和
6 WE＃和CE ＃控制的编程操作时序
图和图15的流程图。在计划
操作时，唯一有效的读操作是数据＃轮询和切换
位。在内部编程操作，主机是免费的
执行其他任务。在写任何命令
内部编程操作将被忽略。
扇区擦除操作
扇区擦除操作使系统删除
上一个扇区到扇区的基础设备。部门
体系结构是基于4K字节均匀的扇区大小。
通过执行一个启动扇区擦除操作
软件数据6字节的命令序列负载
保护与扇区擦除命令（ 30H ）和部门
地址（SA ）在最后一个总线周期。扇区地址是
锁存第六WE＃脉冲的下降沿，而
命令（ 30H ）被锁存的上升沿
6个WE ＃脉冲。内部擦除操作开始
后6个WE ＃脉冲。在最终的擦除可
通过数据＃查询或翻转位确定
的方法。参见图9的时序波形。所有的COM
在扇区擦除操作期间写入指令都会
忽略不计。
芯片擦除操作
该SST39SF512A / 010A / 020A提供芯片擦除OP-
关合作，从而允许用户将擦除整个存储器
阵列到“1”的状态。这是有用的，当整个
设备必须快速擦除。
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通过执行六发起的芯片擦除操作
字节与软件数据保护指令序列
芯片擦除命令（10H ），在地址5555H
最后一个字节序列。擦除操作开始与
第六WE ＃或CE ＃上升沿，以先到为准
第一。在擦除操作，唯一有效的读操作
翻转位或数据＃查询。请参阅表4的命令
序列，图10为时序图，图18为
的流程图。在芯片级时写入的任何命令
擦除操作将被忽略。
写操作状态检测
该SST39SF512A / 010A / 020A提供了两种软件
方法来检测完成的写（编程或
擦除）循环中，为了优化系统写周期
时间。软件检测包含两个状态位：
数据＃投票（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。该终了
写检测模式之后的上升沿使能
WE＃ ，其中启动编程或擦除周期。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃
查询或翻转位的读可以是同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了
防止杂散抑制，如果错误的结果发生，
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39SF512A / 010A / 020A是在内部
程序操作，任何尝试读取DQ
7
会产生
真数据的补码。一旦程序
操作完成后， DQ的
7
将产生真正的数据。该
设备然后准备进行下一次操作。在内部
擦除操作，任何尝试读取DQ
7
会产生一个
'0'。一旦内部擦除操作完成时， DQ的
7
将产生一个'1'。该数据＃查询后上涨有效
第四WE＃ （或CE ＃ ）脉冲程序操作的优势。
对于扇区或全片擦除，之后数据＃投票是有效的
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。见图
7对数据＃查询时序图，图16
流程图。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变0
和1的，即0和1之间的切换位切换将
以“ 1”。当内部编程或擦除操作
完成时，触发将停止。该设备就准备好
为下一次操作。切换位后上涨有效
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512千位/ 1兆位/ 2 Mbit的多用途闪存
SST39SF512A / SST39SF010A / SST39SF020A
数据表
第四WE＃ （或CE ＃ ）脉冲程序操作的优势。
对于扇区或全片擦除，翻转位之后是有效的
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图8
翻转位时序图和图16的流程图。
数据保护
该SST39SF512A / 010A / 020A提供硬件
和软件功能，以保护从非易失性数据
意外写入。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于
5纳秒不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于2.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃高
将禁止写操作。这样可以防止意外的
在上电或掉电写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39SF512A / 010A / 020A提供JEDEC AP-
所有的数据证明了软件数据保护方案
修改操作，即编程和擦除。任何亲
克操作需要包含的三个系列
字节序列。三个字节装入序列用于
启动编程操作，提供最佳保护
化防止意外的写入操作，例如，在
系统上电或断电。任何擦除操作
需要包含六个字节装入序列。该
SST39SF512A / 010A / 020A器件随
软件数据保护永久启用。看
表4为特定的软件命令代码。中
SDP命令序列，无效命令会中止
该设备读取模式， T内
RC
.
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
超快闪
内存
产品标识
产品标识方式将设备识别为
在SST39SF512A ， SST39SF010A和SST39SF020A
和制造商为SST。这种模式可以被访问
由硬件或软件的操作。硬件操作
化，通常使用由程序员来识别
正确的算法为SST39SF512A / 010A / 020A 。
用户可能希望使用该软件产品标识
操作识别部分（即，使用的设备代码）
在同一插座中使用多个厂家的时候。
有关详细信息，请参阅表3对硬件的操作或表4
软件的操作，如图11的软件ID进入
和读取的ID输入时序图和图17
命令序列流程图。
T
ABLE
1: P
RODUCT
I
DENTIFICATION
T
ABLE
地址
制造商ID
器件ID
SST39SF512A
SST39SF010A
SST39SF020A
0001H
0001H
0001H
B4 ^ h
B5 ^ h
B6 ^ h
509 PGM T1.0
1
2
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4
5
数据
BF
0000H
6
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14
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出退出ID命令序列， plished这
返回设备的读操作。请注意
在一个内部软件复位命令被忽略
编程或擦除操作。见表4软件
命令代码，图12为时序波形图
17为一个流程图。
X解码器
内存地址
地址缓冲器&锁存器
y解码器
CE＃
OE ＃
WE＃
DQ7 - DQ0
509 ILL B1.1
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控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
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512千位/ 1兆位/ 2 Mbit的多用途闪存
SST39SF512A / SST39SF010A / SST39SF020A
数据表
SST39SF020A SST39SF010A SST39SF512A
A11
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A17
WE＃
VDD
NC
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A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE＃
VDD
NC
A16
A15
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A7
A6
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A9
A8
A13
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NC
WE＃
VDD
NC
NC
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A7
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SST39SF512A SST39SF010A SST39SF020A
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31
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28
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20
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18
17
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
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OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
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A2
A3
509 ILL F01.1
标准引脚
顶视图
死亡最多
F
IGURE
1: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
TSOP （采用8mm x 14毫米）
SST39SF020A SST39SF010A SST39SF512A
SST39SF512A SST39SF010A SST39SF020A
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
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A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
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VSS
NC
A16
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A12
A7
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DQ0
DQ1
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VSS
NC
NC
A15
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A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
32-Pin
6
PDIP
7
8
顶视图
9
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11
12
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16
32
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VDD
WE＃
NC
A14
A13
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A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
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DQ5
DQ4
DQ3
VDD
WE＃
NC
A14
A13
A8
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A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
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VDD
WE＃
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
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F
IGURE
2: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
PDIP
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512千位/ 1兆位/ 2 Mbit的多用途闪存
SST39SF512A / SST39SF010A / SST39SF020A
数据表
SST39SF512A SST39SF010A SST39SF020A
WE＃
VDD
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A16
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NC
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SST39SF512A SST39SF010A SST39SF020A
WE＃
WE＃
VDD
A12
A15
A16
NC
VDD
A12
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NC
NC
SST39SF020A SST39SF010A SST39SF512A
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DQ0
SST39SF020A SST39SF010A SST39SF512A
5
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NC
NC
A14
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OE ＃
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CE＃
DQ7
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A8
A9
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OE ＃
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CE＃
DQ7
A14
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A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
4
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6
7
32引脚PLCC
顶视图
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14 15 16 17 18 19 20
DQ1
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VSS
509 ILL F02b.1
DQ1
DQ2
VSS
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A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
PLCC
2000硅存储技术公司
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