512千位（ X8 ）多用途闪存
SST39SF512
SST39SF5125.0V 512KB （ X8 ）强积金内存
数据表
产品特点：
组织为64K ×8
单4.5-5.5V读写操作
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
（在14 MHz时的典型值）
- 工作电流10 mA（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
快速读取访问时间：
= 70纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字节编程
- 扇区擦除时间： 7毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 15毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 20 μs（典型值）
- 芯片重写时间：2秒（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
TTL I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
- 32引脚PDIP
产品说明
该SST39SF512是CMOS多用途闪存（ MPF）
与SST专有的高性能制造
CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元设计
和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和
制造与其他方法相比。
该SST39SF512设备写（编程或擦除）与
4.5-5.5V供电。该SST39SF512设备符合
JEDEC标准引脚排列X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时，
SST39SF512设备提供的最大字节编程
30微秒的时间。这些器件使用翻转位或数据＃
投票指示完成程序操作。对
防止意外写，他们对芯片硬件
洁具和软件数据保护方案。设计，
制，以及用于广泛的应用范围测试
系统蒸发散，这些器件提供有保证的典型
续航能力为10万次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39SF512设备适合于应用
需要程序方便和经济的升级，
配置或数据存储器。对于所有系统应用，
它们显著提高性能和可靠性，同时
降低功耗。他们天生少用
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
技术。所消耗的总能量是的函数
2003硅存储技术公司
S71149-05-000
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
所施加的电压，施加电流和时间。自
对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术
使用编程电流更低，并具有擦除时间更短，
在任何擦除或编程所消耗的总能量
操作低于其他闪存技术。这些
器件还可以提高灵活性，同时降低了成本
程序，数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39SF512均提供32引脚PLCC ， 32引脚TSOP
,
和600万， 32引脚PDIP封装。参见图1，2，
和3引脚分配。
512 Kbit的多用途闪存
SST39SF512
数据表
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
第六WE ＃脉冲后内部擦除操作开始。
擦除的结束可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。参见图9为计时
波形。在扇区中写入任何命令
擦除操作将被忽略。
芯片擦除操作
该SST39SF512提供芯片擦除操作，从而
允许用户擦除整个存储器阵列的“1”
状态。此，当整个装置必须迅速地是有用
删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
字节与软件数据保护指令序列
在过去的芯片擦除命令（ 10H ）地址为5555H
字节序列。擦除操作开始上升
第六WE ＃或CE ＃ ，先到为准边缘。能很好地协同
荷兰国际集团的擦除操作，唯一有效的阅读是翻转位或
数据＃投票。请参阅表4的命令序列，
图10为时序图，和图18的液流 -
图。在编写过程中的任何命令，芯片擦除操作
化都将被忽略。
读
该SST39SF512的读操作是由控制
CE＃和OE ＃ ，既要低的系统，以获得
从输出数据。 CE＃用于器件选择。
当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只待机
功率消耗。 OE＃为输出控制，并用于
从门控输出引脚的数据。数据总线是在高
阻抗状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。请参阅
了解更多详情的读周期时序图（图4） 。
字节编程操作
该SST39SF512被编程在逐字节
的基础。在编程之前，扇区所在的字节
存在必须完全擦除。程序操作
完成三个步骤。第一步是三字节
软件数据保护负载序列。第二个
步骤是装载字节地址和字节的数据。在字节级
程序运行时，地址锁存在下降沿
边缘CE＃或WE＃ ，最后为准。该
数据被锁存， CE＃或WE＃上升沿
以先到为准。第三步是内部亲
克而操作之后的上升沿开始
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。该计划
操作时，一旦启动，将完成，在30微秒。
参见图5和图6为WE ＃和CE＃控制程序
操作时序图，图15的流程图。
在编程操作期间，唯一有效的读操作
数据＃查询和翻转位。在内部编程
操作时，主机可以自由地执行其他任务。任何
在内部编程操作期间写入命令
将被忽略。
写操作状态检测
该SST39SF512提供了两种软件方法来检测
在完成写的（编程或擦除）周期，
命令对系统进行优化的写周期时间。软件
检测包括两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
）和
切换位（ DQ
6
） 。写操作结束检测模式
后的WE ＃的上升沿，从而启动所述使能
编程或擦除周期。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以
无论使用哪种DQ冲突
7
或者DQ
6
。为了防止spuri-
OU的排斥反应，如果一个错误的结果发生时，软件
日常应包括循环读取某些地区访问
和灰的附加两（2）倍。如果两个读数都是有效的，
然后该设备已完成写周期，否则
拒绝是有效的。
扇区擦除操作
扇区擦除操作可以使系统删除
设备上的一个扇区到扇区的基础。部门架构
是基于4K字节均匀的扇区大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
软件数据保护与命令装载序列
扇区擦除命令（ 30H）和扇区地址（SA）中
最后一个总线周期。扇区地址被锁存的下降沿继续
荷兰国际集团的6个WE＃脉冲的边缘，而命令（ 30H ）
被锁在6个WE＃脉冲的上升沿。该
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512 Kbit的多用途闪存
SST39SF512
数据表
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39SF512是在内部编程操作
化，任何尝试读取DQ
7
将产生的补
的真实数据。一旦程序操作完成后，
DQ
7
将产生真正的数据。请注意，即使想DQ
7
可能有立即的有效数据完成以下
在内部写操作的，其余数据输出
可能仍然是无效的：在整个数据总线上的有效数据将
出现在后的后续读周期
间隔1微秒。在内部擦除操作，任何
试图读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部
擦除操作完成时， DQ的
7
将产生一个'1'。该
之后的第4个WE ＃上升沿数据＃投票是有效的（或
CE＃ ）脉冲编程操作。对于部门或削片
擦除后的上升沿数据＃投票是有效的
6个WE＃ （或CE ＃）脉冲。参见图7为数据＃投票
时序图和图16的流程图。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39SF512提供了JEDEC核准的软件
数据保护计划的所有数据修改操作，
即，编程和擦除。任何程序运行需要
包含的一系列的三字节序列。该三
字节装入序列用于启动程序操作
化，提供防止意外写最佳保护
操作，例如，在系统上电或加电
下来。任何擦除操作需要包含的六
字节装入序列。该SST39SF512设备出厂
与软件数据保护永久启用。
请参阅表4为特定的软件命令代码。能很好地协同
荷兰国际集团SDP命令序列，无效命令会中止
该设备读取模式， T内
RC 。
产品标识
该产品识别方式识别该设备作为
SST39SF512和SST39SF010和制造商为
SST 。这种模式可以由软件操作来访问。
用户可以使用该软件产品标识操作
化时，使用来识别部分（即，使用设备ID ）
多个制造商在同一个插座上。有关详细信息，
表4对软件的操作，图11为软件标识
输入和读取时序图和图17的ID
进入命令序列流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39SF512
0001H
B4H
T1.3 1149
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变0
和1 ，即，切换0和1之间的翻转位将
以“ 1”。当内部编程或擦除操作
化完成后，触发将停止。该装置是再
准备下一次操作。切换位后有效
第四WE ＃ （或CE ＃ ）脉冲程序上升沿能操作
通报BULLETIN 。对于部门或芯片擦除后，触发位是有效的
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图8
对于翻转位时序图和图16的流程图。
数据
BFH
0000H
数据保护
该SST39SF512同时提供硬件和软件为特色的
Tures的保护非易失性数据免受意外写操作。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于2.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，它返回到设备的读操作。
请注意，该软件复位命令被忽略
在内部编程或擦除操作。见表4
软件命令代码，图12为时序波形
表格和图17为一个流程图。
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