1兆位/ 2兆位/ 4兆位（ X8 ）多用途闪存
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
数据表
该SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040是CMOS多用途
闪存（ MPF）设备与SST专有的高性能制造
CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道 -
荷兰国际集团注入器可实现更高的可靠性和可制造性与替代比较
的方法。该SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040写（计划
或擦除）与4.5-5.5V电源，并符合JEDEC标准引脚
对于X8的回忆
特点
组织为128K ×8 / 256K ×8 / 512K ×8
单4.5-5.5V读写操作
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
快速擦除和字节编程
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
低功耗
（在14 MHz时的典型值）
- 工作电流10 mA（典型值）
- 待机电流： 30 μA （典型值）
2秒钟（典型值）的SST39SF010A
4秒（典型值）的SST39SF020A
8秒（典型值）的SST39SF040
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
TTL I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
快速读取访问时间：
= 55 ns的
= 70纳秒
封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
- 32引脚PDIP
锁存地址和数据
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
所有器件均符合RoHS标准
2013硅存储技术公司
www.microchip.com
DS25022B
04/13
1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
数据表
产品说明
该SST39SF010A / 020A / 040顷CMOS多用途闪存（ MPF）与SST的propri-制造
etary ，高性能CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元设计和厚氧化调谐
neling注入器可实现更高的可靠性和可制造性与其他方法相比。该
SST39SF010A / 020A / 040设备写（编程或擦除）以4.5-5.5V的电源。该
SST39SF010A / 020A / 040器件符合JEDEC标准引脚排列X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时， SST39SF010A / 020A / 040设备提供了最大
字节编程20微秒的时间。这些器件使用翻转位或数据＃投票指示则以互补
程序化操作。为了防止意外写操作，他们有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用，这些器件提供10万个周期有保证的典型的耐力。数据
保留的额定功率为100年以上。
该SST39SF010A / 020A / 040器件适合于和适用于需要方便econom-
程序，配置或数据存储器中的iCal更新。对于所有的系统应用程序，它们显著
提高性能和可靠性，同时降低了功耗。他们天生少用
擦除和编程比其他闪存技术时的能量。所消耗的总能量是
函数的所施加的电压，电流和应用的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则
SuperFlash技术的编程电流更低，且具有更短的擦除时间，总能量
在任何擦除消耗或编程操作低于其他闪存技术。这些
器件还可以提高灵活性，同时降低了成本，程序，数据和配置存储
应用程序。
SuperFlash技术提供固定的擦除和编程时间，独立的数
删除/已发生的项目周期。因此，系统软件或硬件不
要修改或降额，这一点不同于其他闪存技术，其擦除和亲
克次上调，累计擦除/编程周期。
为了满足高密度，表面贴装的要求， SST39SF010A / 020A / 040顷提供32引脚
PLCC和32引脚TSOP封装。 A 600万， 32引脚PDIP也可以。参见图2 ，图3和4
对于引脚分配。
2013硅存储技术公司
DS25022B
04/13
2
1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
数据表
框图
X解码器
超快闪
内存
内存地址
地址缓冲器&锁存器
y解码器
CE＃
OE ＃
WE＃
DQ
7
- DQ
0
1147 B1.2
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
图1：
功能框图
2013硅存储技术公司
DS25022B
04/13
3
1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
数据表
引脚分配
SST39SF040
WE＃
WE＃
WE＃
VDD
A12
A15
A16
A18
SST39SF020A
VDD
A12
A15
A16
SST39SF010A
VDD
A12
A15
A16
NC
SST39SF040 SST39SF020A SST39SF010A
NC
SST39SF010A SST39SF020A
A17
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
SST39SF020A SST39SF010A
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
SST39SF040
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
32引脚PLCC
顶视图
21
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
1147 32 - PLCC P2.4
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ5
SST39SF040
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
图2：
引脚分配为32引脚PLCC
2013硅存储技术公司
DQ6
VSS
DQ6
DS25022B
04/13
4
1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
数据表
SST39SF040 SST39SF020A
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE＃
VDD
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE＃
VDD
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
SST39SF010A
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE＃
VDD
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
SST39SF010A
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
SST39SF020A
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
1147 32 - TSOP P1.1
SST39SF040
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
标准引脚
顶视图
死亡最多
图3：
引脚分配为32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
SST39SF040 SST39SF020A SST39SF010A
SST39SF010A SST39SF020A
SST39SF040
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
32-pin
6
PDIP
7
8
顶视图
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VDD
WE＃
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VDD
WE＃
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VDD
WE＃
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
1147 32 - PDIP P3.2
图4：
引脚分配为32引脚PDIP
2013硅存储技术公司
DS25022B
04/13
5
QQ：2881677436 复制
