1兆位/ 2兆位/ 4兆位（ X8 ）多用途闪存
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
SST39SF010A / 020A / 0405.0V的4Mb （ X8 ）强积金的回忆
初步speci fi cation
产品特点：
组织为128K ×8 / 256K ×8 / 512K ×8
单5.0V读取和写入操作
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流10 mA（典型值）
- 待机电流： 30 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
快速读取访问时间：
- 45和70纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
2秒钟（典型值）的SST39SF010A
4秒（典型值）的SST39SF020A
8秒（典型值）的SST39SF040
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
TTL I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
- 32引脚PDIP
产品说明
该SST39SF010A / 020A / 040顷CMOS多用途
闪存（ MPF）与SST专有的制造，高
高性能CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代比较
的方法。该SST39SF010A / 020A / 040器件写
（编程或擦除）与5.0V电源。该
SST39SF010A / 020A / 040器件符合JEDEC标
准引脚为X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时，
SST39SF010A / 020A / 040器件提供了最大
字节编程20微秒的时间。这些器件使用翻转
位或数据＃投票指示完成计划
操作。为了防止意外写操作，他们有
片上硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用程序，这些设备提供了一个保证
续航能力达10000次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39SF010A / 020A / 040器件适合于应用程序
需要的方便和经济更新阳离子
程序，配置或数据存储器。对于所有系统
的应用程序，它们显著提高性能和
可靠性，同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程过程中ently使用更少的能源比替代方案
本机闪存技术。所消耗的总能量是
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1
所施加的电压的函数，电流和的应用时间
化。因为对于任何给定的电压范围内，则超快闪
技术使用的编程电流更低，并有一个较短的
擦除时间，在任何擦除的总能量消耗或
程序运行低于其他闪存技
吉斯。这些器件还可以提高灵活性，同时降低
成本为程序，数据和配置存储应用程序
阳离子。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39SF010A / 020A / 040顷提供32引脚PLCC和
32引脚TSOP封装。 A 600万， 32引脚PDIP ，也
可用。参见图1 ，图2和3为插脚引线。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
初步speci fi cation
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
查询或翻转位的方法。参见图9为计时
波形。在扇区中写入任何命令
擦除操作将被忽略。
读
在SST39SF010A / 020A / 040的读操作
通过CE＃和OE ＃控制，都具有很低的
系统，以获得从所述输出数据。 CE＃被用于
设备选择。当CE ＃为高电平时，芯片被取消
只有待机功耗。 OE＃为输出
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。该
数据总线处于高阻抗状态，当CE＃或
OE ＃为高电平。请参见读周期时序图（图 -
URE 4 ）了解更多详情。
芯片擦除操作
该SST39SF010A / 020A / 040提供芯片擦除操作
化，从而允许用户将擦除整个存储器
阵列到“1”状态。这是很有用的整个装置时
必须尽快清除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
字节与软件数据保护指令序列
在过去的芯片擦除命令（ 10H ）地址为5555H
字节序列。内部擦除操作开始
第六WE ＃或CE ＃上升沿，以先到为准
第一。在内部擦除操作，唯一有效的读
是翻转位或数据＃查询。请参阅表4的命令
序列，图10为时序图，图18为
的流程图。在芯片级时写入的任何命令
擦除操作将被忽略。
字节编程操作
该SST39SF010A / 020A / 040顷编程在字节级
逐字节的基础。在编程之前，必须确保
的扇区，其中，所述字节正被编程的
存在，是完全erased.The程序操作包括
三个步骤。第一步是三字节序列载荷
软件数据保护。第二步骤是要加载
字节地址和字节的数据。在字节编程
操作时，地址被锁存的下降沿
CE＃或WE＃ ，先到为准最后。该数据是
锁存， CE＃或WE ＃的上升沿，取
先发生。第三步是内部编程操作
这是在第4个WE＃上升沿启动或
CE＃ ，以先到为准。编程操作，一旦
开始，将完成，在20微秒。参见图5和
6 WE＃和CE ＃控制的编程操作时序
图和图15的流程图。在计划
操作时，唯一有效的读操作是数据＃投票和瓶酒
GLE位。在内部编程操作，主机
自由地执行其他任务。任何书面命令
内部编程操作期间将被忽略。
写操作状态检测
该SST39SF010A / 020A / 040提供了两种软件的手段
检测完成写（编程或擦除）的
周期中，为了优化系统写周期时间。该
软件检测包含两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式后的WE＃上升沿这ini-启用
tiates内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
扇区擦除操作
扇区擦除操作可以使系统删除
设备上的一个扇区到扇区的基础。部门架构
是基于4K字节均匀的扇区大小。在扇区
通过执行一个六字节的COM启动擦除操作
软件数据保护与命令装载序列
扇区擦除命令（ 30H）和扇区地址（SA）中
最后一个总线周期。扇区地址被锁存的下降沿继续
荷兰国际集团的6个WE＃脉冲的边缘，而命令（ 30H ）
被锁在6个WE＃脉冲的上升沿。该
第六WE ＃脉冲后内部擦除操作开始。
最终的擦除就可以利用数据＃确定
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39SF010A / 020A / 040顷在内部亲
克操作，任何尝试读取DQ
7
将产生的
配合真实的数据。一旦程序运行
完成后， DQ的
7
将产生真正的数据。该装置是
然后准备下一次操作。在内部擦除
操作中，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生
一个“1”。之后的上升沿数据＃投票是有效的
第四WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于见第
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1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
初步speci fi cation
tor-或全片擦除，数据＃查询后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。参见图7为数据＃
轮询的时序图和图16为一个流程图。
产品标识
该产品识别方式识别该设备作为
SST39SF040 ， SST39SF010A ，或SST39SF020A和
制造商为SST。这种模式可以用软件来访问
洁具操作。用户可能希望使用该软件的精良
UCT识别操作来识别部分（即使用
在相同的使用多个制造商时，设备ID ）
插座。有关详细信息，请参阅表3对硬件的操作或
表4对软件的操作，图11为软件标识
输入和读取时序图和图17的ID
进入命令序列流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39SF010A
SST39SF020A
SST39SF040
0001H
0001H
0001H
B5H
B6H
B7H
T1.2 398
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变0
和1 ，即，切换0和1之间。当内部
编程或擦除操作完成后，触发将
停止。该设备然后准备进行下一次操作。该
之后的第4个WE ＃上升沿触发位是有效的（或
CE＃ ）脉冲编程操作。对于扇区或削片
擦除，切换位之后第六个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃）脉冲。参见图8的翻转位时序dia-
克和图16为一个流程图。
数据
BFH
0000H
数据保护
该SST39SF010A / 020A / 040同时提供硬件和
软件功能以防止不经意的非易失性数据
耳鼻喉科写道。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于2.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出退出ID命令序列， plished这
返回设备的读操作。请注意
在一个内部软件复位命令被忽略
编程或擦除操作。见表4软件的COM
命令代码，图12为时序波形图17
为一个流程图。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39SF010A / 020A / 040提供的JEDEC
对所有数据已批准的软件的数据保护方案
修改操作，即编程和擦除。任何亲
克操作需要包含的三个系列
字节序列。三个字节装入序列用于
启动编程操作，提供最佳的保护
防止意外写操作，如系统中
上电或断电。任何擦除操作要求
包含六个字节装入序列。该SST39SF010A /
020A / 040设备附带的软件数据亲
tection永久启用。请参阅表4的具体
软件命令代码。在SDP命令
序，无效命令会中止器件读取
模式， T内
RC
.
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1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
初步speci fi cation
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
X解码器
超快闪
内存
内存地址
地址缓冲器&锁存器
y解码器
CE＃
OE ＃
WE＃
DQ7 - DQ0
398 ILL B1.2
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
SST39SF040
WE＃
WE＃
WE＃
VDD
A12
A15
A16
A18
SST39SF020A
VDD
A12
A15
A16
SST39SF010A
VDD
A12
A15
A16
NC
SST39SF040 SST39SF020A SST39SF010A
NC
SST39SF010A SST39SF020A
A17
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
SST39SF020A SST39SF010A
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
SST39SF040
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
32引脚PLCC
顶视图
21
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
398 ILL F02.3
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ5
SST39SF040
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
图1 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
PLCC
2001硅存储技术公司
DQ6
VSS
DQ6
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4
1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
初步speci fi cation
SST39SF040 SST39SF020A
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE＃
VDD
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE＃
VDD
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
SST39SF010A
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE＃
VDD
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
SST39SF010A
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
SST39SF020A
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
389 ILL F01.1
SST39SF040
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
标准引脚
顶视图
死亡最多
图2 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
TSOP （ 8
MM
X
14
MM
)
SST39SF040 SST39SF020A SST39SF010A
SST39SF010A SST39SF020A
SST39SF040
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
32-pin
6
PDIP
7
8
顶视图
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VDD
WE＃
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VDD
WE＃
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VDD
WE＃
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
398 ILL F02a.2
图3 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
PDIP
2001硅存储技术公司
S71147-02-000 5/01
398
5
QQ：2880707522 复制
