512千位/ 1兆位（ X8 ）多用途闪存
SST39SF512 / SST39SF010
SST39SF512 / 0105.0V 512KB / 1Mb的（ X8 ）强积金的回忆
数据表
产品特点：
组织为64K ×8 / 128K ×8
单5.0V读取和写入操作
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：20 mA（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
快速读取访问时间：
= 70纳秒
= 90纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 7毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 15毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 20 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
2秒钟（典型值）的SST39SF512
3秒（典型值）的SST39SF010
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
TTL I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
- 32引脚PDIP
产品说明
该SST39SF512 / 010号为CMOS多用途闪存
（ MPF）与SST专有的，高perfor-制造
曼斯CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元
设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更可靠
交替比较能力和制造
的方法。 / 010器件写SST39SF512 （亲
克或擦除）与5.0V - only供电。该
SST39SF512 / 010器件符合JEDEC标准
引脚为X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时，
SST39SF512 / 010器件提供了最大字节亲
克时间为30微秒。这些器件使用翻转位或
数据＃投票指示完成程序的操作
化。为了防止意外写操作，他们有片
硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用程序，这些设备提供了一个保证
续航能力达10000次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39SF512 / 010器件适合于应用
需要亲的方便和经济更新
克，配置或数据存储器。对于所有的系统应用程序
阳离子，它们显著提高性能和
可靠性，同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程过程中ently使用更少的能源比替代方案
本机闪存技术。所消耗的总能量是
所施加的电压的函数，电流和的应用时间
化。因为对于任何给定的电压范围内，则超快闪
技术使用的编程电流更低，并有一个较短的
擦除时间，在任何擦除的总能量消耗或
程序运行低于其他闪存技
吉斯。这些器件还可以提高灵活性，同时降低
成本为程序，数据和配置存储应用程序
阳离子。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39SF512 / 010号在32引脚PLCC封装，
32引脚TSOP和600万， 32引脚PDIP也可以。
,
参见图1 ，图2和3为插脚引线。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
2001硅存储技术公司
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
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SST39SF512 / SST39SF010
数据表
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
芯片擦除操作
该SST39SF512 / 010提供了全片擦除操作，
这允许用户将擦除整个存储器阵列，以
在“1”状态。此，当整个装置必须是有用
快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
字节与软件数据保护指令序列
在过去的芯片擦除命令（ 10H ）地址为5555H
字节序列。擦除操作开始上升
第六WE ＃或CE ＃ ，先到为准边缘。能很好地协同
荷兰国际集团的擦除操作，唯一有效的阅读是翻转位或
数据＃投票。请参阅表4的命令序列，
图10为时序图，和图18的液流 -
图。在编写过程中的任何命令，芯片擦除操作
化都将被忽略。
读
在SST39SF512 / 010的读操作控制
通过CE＃和OE ＃ ，既要低，以便系统
获得的输出数据。 CE＃用于设备selec-
化。当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只
待机功耗。 OE＃为输出控制和
用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线是在
高阻抗状态，当CE＃或OE ＃为高电平。
请参考更多详细信息的读周期时序图
（图4） 。
字节编程操作
该SST39SF512 / 010号被编程在逐字节
的基础。在编程操作包括三个步骤。该
第一步是软件数据的三字节序列负载
保护。第二步骤是要加载的字节地址和
字节的数据。在字节编程操作，
地址锁存，无论是CE＃下降沿或
WE＃ ，最后的为准。该数据被锁存的利培
荷兰国际集团的CE＃或WE＃边沿，以先到为准。该
第三步是内部编程操作，这是initi-
后ated的第4个WE ＃或CE ＃ ，上升沿，而─
先出现。编程操作，一旦启动，将
完成，在30微秒。参见图5和6为WE＃
和CE ＃控制的编程操作时序图
图15的流程图。在程序操作
化，唯一有效的读操作是数据＃查询和翻转位。
在内部编程操作，主机可以自由地
执行其他任务。在写任何命令
内部编程操作将被忽略。
写操作状态检测
该SST39SF512 / 010提供了两种软件方法来
检测完成后写（编程或擦除）周期，
为了优化系统写周期时间。该软
洁具的检测包括两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式之后的WE ＃的上升沿，这ini-启用
tiates编程或擦除周期。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
扇区擦除操作
扇区擦除操作可以使系统删除
设备上的一个扇区到扇区的基础。部门架构
是基于4K字节均匀的扇区大小。在扇区
通过执行一个六字节的COM启动擦除操作
软件数据保护与命令装载序列
扇区擦除命令（ 30H）和扇区地址（SA）中
最后一个总线周期。扇区地址被锁存的下降沿继续
荷兰国际集团的6个WE＃脉冲的边缘，而命令（ 30H ）
被锁在6个WE＃脉冲的上升沿。该
第六WE ＃脉冲后内部擦除操作开始。
擦除的结束可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。参见图9为计时
波形。在扇区中写入任何命令
擦除操作将被忽略。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39SF512 / 010顷在内部编程
操作中，任何尝试读取DQ
7
将产生的COM
二进制补码的真实数据。一旦程序操作
完成后， DQ
7
将产生真正的数据。该装置是再
准备下一次操作。在内部擦除操作
化，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃）脉冲的程序操作。对于部门或
芯片擦除，数据＃查询后上升沿有效
第六WE ＃ （或CE ＃）脉冲。参见图7为数据＃投票
时序图和图16的流程图。
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切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变0
和1 ，即，切换0和1之间的翻转位将
以“ 1”。当内部编程或擦除操作
化完成后，触发将停止。该装置是再
准备下一次操作。切换位后有效
第四WE ＃ （或CE ＃ ）脉冲程序上升沿能操作
通报BULLETIN 。对于部门或芯片擦除后，触发位是有效的
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图8
对于翻转位时序图和图16的流程图。
产品标识
该产品识别方式识别该设备作为
SST39SF512和SST39SF010和制造商为
SST 。这种模式可以由软件操作来访问。
用户可以使用该软件产品标识操作
识别部分（即，使用的设备ID ），当使用
多个制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅
表3用于硬件操作或表4的软件能操作
ATION ，图11为软件ID进入和读取时序
图，图17为ID输入命令
程序流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39LF/VF512
0001H
0001H
B4H
B5H
T1.1 394
数据保护
该SST39SF512 / 010同时提供硬件和软件
洁具功能，以防止意外的非易失性数据
写道。
数据
BFH
0000H
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于2.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
SST39LF/VF010
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，它返回到设备的读操作。
请注意，该软件复位命令被忽略
在内部编程或擦除操作。见表4
软件命令代码，图12为时序波形
表格和图17为一个流程图。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39SF512 / 010提供了JEDEC核准软
洁具的数据保护方案的所有数据修改操作
系统蒸发散，即编程和擦除。任何编程操作
需要包含的一系列的三字节序列。
三个字节装入序列用于启动副校
克操作，提供从不经意的最佳保护
耳鼻喉科写操作，例如，在系统上电或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节装入序列。该SST39SF512设备
与软件数据保护永久发货
启用。请参阅表4为特定的软件命令
码。在SDP命令序列，无效的COM
指令都会中止设备读取模式， T内
RC
.
2001硅存储技术公司
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