16兆位（ X16 ）多用途闪存
SST39LF160 / SST39VF160
SST39LF / VF1603.0 & 2.7V 16Mb的（ X16 ）强积金的回忆
数据表
产品特点：
组织为1M X16
单电压读写操作
- 3.0-3.6V的SST39LF160
- 为2.7-3.6V SST39VF160
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
- 工作电流：15 mA（典型值）
- 待机电流： 4 μA （典型值）
- 自动节能模式： 4 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
快速读取访问时间
- 55纳秒的SST39LF160
- 70和90纳秒的SST39VF160
锁存地址和数据
快速擦除和字编程
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：15秒（典型值）
SST39LF/VF160
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
产品说明
该SST39LF / VF160设备1M x16的CMOS多
通用闪存（ MPF）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST39LF160写（编程或
擦除）与3.0-3.6V电源。该SST39VF160
写（编程或擦除）用2.73.6V电源。
这些器件符合JEDEC标准引脚排列X16
回忆。
具有高性能的字编程能力， SST39LF /
VF160设备提供14典型字编程时间
μsec.These器件使用翻转位或数据＃轮询，从而提供与
美食在完成计划操作。为了保护
防止误写入，他们有片上硬件和
软件数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用，这些光谱
器件提供10,000保证续航能力
周期。数据保留的额定功率为100年以上。
该SST39LF / VF160设备适合于应用
需要亲的方便和经济更新
克，配置或数据存储器。对于所有的系统应用程序
阳离子，它们显著提高性能和
可靠性，同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程过程中ently使用更少的能源比替代方案
本机闪存技术。所消耗的总能量是
所施加的电压的函数，电流和的应用时间
化。因为对于任何给定的电压范围内，则超快闪
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技术使用的编程电流更低，并有一个较短的
擦除时间，在任何擦除的总能量消耗或
程序运行低于其他闪存技
吉斯。这些器件还可以提高灵活性，同时降低
成本为程序，数据和配置存储应用程序
阳离子。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39LF / VF160提供48引脚TSOP和48球
TFBGA封装。参见图1引脚。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
16兆位多用途闪存
SST39LF160 / SST39VF160
数据表
该SST39LF / VF160也有
自动低功耗
模式，使器件在附近待机模式后，
数据已经被浏览了有效的读操作。这
降低了我
DD
从通常为15 mA到读操作工作电流
通常为4 μA 。自动低功耗模式，降低了典型
CAL我
DD
以1毫安/ MHz范围内有效的读电流
读周期时间。器件退出自动低功耗
任何地址变换或控制信号转换模式
用于启动另一个读周期，没有访问时间
点球。注意，该器件不会进入自动低
上电后用CE ＃功耗模式稳步低，直到举行
第一个地址变换或CE ＃驱动为高电平。
上的2K字均匀的扇区大小。块擦除模式
是一种基于32K字的均匀的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列块擦除命令（ 50H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。参见图8和9为时序
荷兰国际集团的波形。在扇区中发出的任何命令
或块擦除操作将被忽略。
读
该SST39LF的读操作/ VF160被控制
通过CE＃和OE ＃ ，既要低，以便系统
获得的输出数据。 CE＃用于设备selec-
化。当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只
待机功耗。 OE＃为输出控制和
用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线是在
高阻抗状态，当CE＃或OE ＃为高电平。
请参考更多详细信息的读周期时序图
（图2） 。
芯片擦除操作
该SST39LF / VF160提供了全片擦除操作，
这允许用户将擦除整个存储器阵列，以
的“1”状态。此，当整个装置必须是有用
快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列，图7为定时图，
和图18的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
字编程操作
该SST39LF / VF160被编程在字的字
的基础。在编程之前，必须确保该仲
器，其中正被编程的字存在，是
完全擦除。在编程操作包括三个
步骤。第一步是为三字节序列载荷
软件数据保护。第二步骤是要加载字
地址和文字数据。在字编程操作
化，该地址被锁存，下降沿或者
CE ＃或WE ＃ ，最后的为准。该数据被锁存
任CE ＃或WE ＃上升沿，以先到为准
第一。第三步是内部编程操作这
在第4个WE ＃或CE ＃上升沿开始，
以先到为准。编程操作，一旦initi-
ated ，将在20 μs内完成。参见图3和4
对于WE＃和CE ＃控制的编程操作时序dia-
克和图15的流程图。在计划
操作时，唯一有效的读操作是数据＃投票和瓶酒
GLE位。在内部编程操作，主机
自由地执行其他任务。发出的任何命令
内部程序运行过程中被忽略。
写操作状态检测
该SST39LF / VF160提供了两种软件方法来
检测完成后写（编程或擦除）周期，
为了优化系统写周期时间。该软
洁具的检测包括两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式之后的WE ＃的上升沿，这ini-启用
tiates内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
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扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39LF / VF160提供两个扇区擦除
和块擦除模式。扇区结构是基于
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数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39LF / VF160是在内部编程
操作中，任何尝试读取DQ
7
将产生的COM
二进制补码的真实数据。一旦程序操作
完成后， DQ
7
将产生真正的数据。该装置是再
准备下一次操作。在内部擦除操作
化，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，数据＃投票是利培后有效
荷兰国际集团的6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲边沿。参见图5
数据＃查询时序图和图16的流程图。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39LF / VF160提供了JEDEC核准软
洁具的数据保护方案的所有数据修改操作
系统蒸发散，即编程和擦除。任何编程操作
需要包含三字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。这些设备随
软件数据保护永久启用。请参阅表
4，用于在特定的软件命令代码。在SDP
命令序列，无效命令会中止
设备T内读取模式
RC
。 DQ的内容
15
-DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
但任何其他值，在任何的SDP的COM
命令序列。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位后的第四个上升沿有效。
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，切换位后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。参见图6切换
位的时序图和图16为一个流程图。
数据保护
该SST39LF / VF160提供硬件和软件
功能，以防止非易失性数据免受意外写操作。
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数据表
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39LF160和SST39VF160还包含CFI
信息来描述器件的特性。
为了进入CFI查询模式，系统必须
写3字节的序列，相同的产品ID进入
命令98H （ CFI查询命令）来解决
5555H中的最后一个字节序列。一旦设备进入
CFI查询模式，系统可以读取的数据CFI
到7所述的系统必须在表5中给出的地址
写入CFI退出命令返回到读取模式
CFI查询模式。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39LF/VF160
0001H
2782H
T1.2 399
数据
00BFH
0000H
产品标识模式退出/
CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，它返回到设备的读操作。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/
一个内部计划中CFI退出命令被忽略或
擦除操作。参见表4软件命令
码，图12为时序波形和图17的
流程图。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST39LF / VF160和制造商为SST。此模式
可以通过软件操作来访问。用户可使用
软件产品标识操作来识别
一部分（即使用设备ID ），当使用多个制造
商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表4
软件的操作，图10为软件ID条目和
读时序图，图17为软件ID
进入命令序列流程图。
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