16兆位（ X16 ）多用途闪存
SST39LF160 / SST39VF160
数据表
产品特点：
组织为1M X16
单电压读写操作
- 3.0-3.6V的SST39LF160
- 为2.7-3.6V SST39VF160
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：15 mA（典型值）
- 待机电流： 4 μA （典型值）
- 自动节能模式： 4 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
块擦除功能
- 统一32K字块
快速读取访问时间：
- 55纳秒的SST39LF160
- 70和90纳秒的SST39VF160
锁存地址和数据
快速擦除和字编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
15秒（典型值） SST39LF / VF160
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TFBGA （采用8mm x 10毫米和6× 8毫米）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
产品说明
该SST39LF / VF160设备1M x16的CMOS多
通用闪存（ MPF）与SST的propri-制造
etary ，高性能CMOS SuperFlash技术。
分裂栅单元设计和厚氧化物隧道
喷油器实现更高的可靠性和可制造性的COM
相比与其他方法。该SST39LF160写
（编程或擦除）以3.0-3.6V的电源。该
SST39VF160写（编程或擦除）与2.7-3.6V
电源。这些器件符合JEDEC标
准引脚为X16的回忆。
具有高性能的字编程能力，
SST39LF / VF160设备提供了一个典型字亲
克时14 μsec.These器件使用翻转位或
数据＃投票指示完成计划
操作。为了防止意外写操作，他们有
片上硬件和软件数据保护
计划。设计，制造和测试了一个宽
的应用范围，这些器件还具有
保证续航能力达10000次。数据保留
额定功率为100年以上。
该SST39LF / VF160设备适合于应用
需要亲的方便和经济更新
克，配置或数据存储器。对于所有系统
的应用程序，它们显著提高性能和
可靠性，同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程比在ently使用更少的能源
其他闪存技术。在总能源
2000硅存储技术公司
399-2 11/00
S71145
SUMED是所施加电压的函数，电流和
应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则
SuperFlash技术的编程电流小，
具有更短的擦除时间，总的能量消耗
任何擦除或编程操作时小于
其他闪存技术。这些器件还IM-
证明的灵活性，同时降低了成本，程序，数据
和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和
程序倍，独立擦除的数目/
已发生的项目周期。因此，系
统软件或硬件没有被修改或
降额，这一点不同于其他闪存技
与吉斯，其擦除和编程时间增加
累积的擦除/编程周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39LF / VF160提供48引脚TSOP和48球
TFBGA封装。参见图1和图2的引脚排列。
设备操作
命令用于启动存储器操作
该装置的功能。命令被写入到
器件采用标准的微处理器写序列。
命令是在保持写WE＃置低
CE＃低。地址总线被锁存，下降沿
的WE＃或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线是
锁存WE＃或CE ＃的上升沿，取
先发生。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ，Inc.的商标强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
1
16兆位多用途闪存
SST39LF160 / SST39VF160
数据表
该SST39LF / VF160也有
自动低功耗
模式，使器件在附近待机模式后，
数据已经被浏览了有效的读操作。这
降低了我
DD
从通常为15 mA到读操作工作电流
通常为4 μA 。自动低功耗模式，降低了
典型的我
DD
以1毫安/ MHz范围内有效的读电流
读周期时间。器件退出自动低功耗模式
所使用的任何地址变换或控制信号转换
启动另一个读周期中，没有获得一次罚球。
需要注意的是该设备不进入自动低功耗模式
上电后用CE＃稳定保持低电平，直到第
地址变换或CE ＃驱动为高电平。
读
该SST39LF的读操作/ VF160是由控制
CE＃和OE ＃ ，既要低的系统，以获得
从输出数据。 CE＃用于器件选择。
当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只待机
功率消耗。 OE＃为输出控制，并用于
从门控输出引脚的数据。数据总线是在高
阻抗状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。请参阅
了解更多详情的读周期时序图（图4） 。
字编程操作
该SST39LF / VF160被编程在字的字
的基础。在编程操作包括三个步骤。该
第一步是软件数据的3字节装入序列
保护。第二步骤是要加载的字地址
字数据。在字编程操作，用户管理员
衣服被锁止在任CE＃下降沿或
WE＃ ，最后的为准。该数据被锁存的
上涨的CE＃或WE＃边沿，以先到为准。
第三步是在内部编程操作是
在第4个WE ＃或CE ＃上升沿开始，
以先到为准。编程操作，一旦initi-
ated ，将在20 μs内完成。请参阅图5和图6为
WE＃和CE ＃控制的编程操作时序dia-
克和图17为流程图。在计划
操作时，唯一有效的读操作是数据＃轮询和切换
位。在内部编程操作，主机是免费的
执行其他任务。期间发出的任何命令
内部编程操作都将被忽略。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39LF / VF160提供两个扇区擦除
和块擦除模式。扇区结构是基于
统一扇区大小的2K字。块擦除模式
基于对32K字的均匀的块大小。扇区擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列扇区擦除命令（ 30H ）和部门
地址（SA ）在最后一个总线周期。块擦除
2000硅存储技术公司
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列块擦除命令（ 50H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。请参阅图10和11为
时序波形。在见第期间发出的任何命令
tor-或块擦除操作将被忽略。
芯片擦除操作
该SST39LF / VF160提供了全片擦除操作，
这允许用户将擦除整个存储器阵列，以
的“1”状态。此，当整个装置必须是有用
快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。见表4
为命令序列，图9为时序图，
和图20的流程图。发出的任何命令
全片擦除操作过程中被忽略。
写操作状态检测
该SST39LF / VF160提供了两种软件方法来检测
在完成写的（编程或擦除）周期，以
优化系统写周期时间。软件
检测包括两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
）和
切换位（ DQ
6
） 。写操作结束检测模式
后的WE ＃的上升沿，从而启动所述使能
内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以
无论使用哪种DQ冲突
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则
抑制是有效的。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39LF / VF160是在内部编程
操作中，任何尝试读取DQ
7
将产生的
配合真实的数据。一旦程序运行
完成后， DQ的
7
将产生真正的数据。该装置是再
准备下一次操作。在内部擦除操作
2
S71145
399-2 11/00
16兆位多用途闪存
SST39LF160 / SST39VF160
数据表
化，任何尝试读取DQ7将产生一个'0' 。一旦
完成内部擦除操作， DQ7将产生
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，数据＃查询后有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图7为
数据＃查询时序图和图18的流程图。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1的
和0 ，即0。 1至切换当内部
编程或擦除操作完成时， DQ6位将
停止切换。该设备然后准备进行下一次
操作。之后的上升沿触发位是有效的
第四WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。为
以部门，块或片擦除，翻转位是有效的后
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图8
对于翻转位时序图和图18的流程图。
数据保护
该SST39LF / VF160提供硬件和软件
功能，以防止非易失性数据免受意外写操作。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于
5纳秒不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃高
将禁止写操作。这样可以防止意外的
在上电或掉电写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39LF / VF160提供了JEDEC核准软
洁具的数据保护方案的所有数据修改操作
系统蒸发散，即编程和擦除。任何编程操作
需要包含三字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。这些设备随
软件数据保护永久启用。请参阅表
4，用于在特定的软件命令代码。在SDP
命令序列，无效命令会中止
设备T内读取模式
RC
。 DQ的内容
15
-DQ
8
是“不关心”过程中的任何SDP命令序列。
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39LF160和SST39VF160还包含CFI
信息来描述器件的特性。在
为了进入CFI查询模式，系统必须写入
3字节的序列，相同的产品ID进入命令
与98H （ CFI查询命令）来解决5555H在最后
字节序列。一旦设备进入CFI查询
模式下，该系统可以在给定的地址读出的CFI数据
在表5至7系统必须写入CFI退出
命令返回到从CFI查询模式阅读模式。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行的
SST39LF / VF160和制造商为SST。此模式可
可以通过硬件或软件的操作访问。该
硬件操作通常由一个程序员
确定正确的算法为SST39LF / VF160 。用户
不妨使用软件产品标识操作
重刑确定的部分（即使用设备代码）时，
使用多个厂家在同一个插座上。为
详细信息，请参阅表3的硬件操作或表4
软件操作，图12为软件ID进入和
请阅读软件ID进入时序图，图19
命令序列流程图。
T
ABLE
1: P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
设备ID SST39LF / VF160
0000H
0001H
数据
00BFH
2782H
399 PGM T1.2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
产品标识模式退出/ CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished SE-
quence ，它返回到设备的读操作。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/ CFI
内部程序中的退出命令被忽略或
擦除操作。参见表4软件命令代码，
图14为定时波形和图19的流程图。
2000硅存储技术公司
3
S71145
399-2 11/00
16兆位多用途闪存
SST39LF160 / SST39VF160
数据表
T
ABLE
2: P
IN
D
ESCRIPTION
符号
A
MS
-A
0
DQ
15
-DQ
0
CE＃
OE ＃
WE＃
V
DD
VSS
NC
引脚名称
地址输入
功能
提供的内存地址。在扇区擦除
MS
-A
11
地址
线路将选择部门。在块擦除
MS
-A
15
地址线
选择块。
要在读周期输出数据和接收过程中写入的输入数据
周期。数据在写周期期间内部锁存。的输出是在
三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE＃为低。
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作。
提供电源电压： 3.0-3.6V的SST39LF160
为2.7-3.6V SST39VF160
未连接引脚。
399 PGM T2.2
1
2
3
4
5
6
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
无连接
注意：一
MS
=最显著地址
A
MS
= A
19
对于SST39LF / VF160
T
ABLE
3: O
PERATION
M
副执行秘书办公室
S
选举
模式
CE＃
读
V
IL
节目
V
IL
抹去
V
IL
待机
写禁止
产品标识
硬件模式
软件模式
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
OE ＃
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IL
X
V
IL
V
IL
WE＃
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IH
V
IH
V
IH
A9
A
IN
A
IN
X
X
X
X
V
H
A
IN
DQ
D
OUT
D
IN
X
高Z
高Z / D
OUT
高Z / D
OUT
制造商ID （ 00BFH ）
装置ID（ 1）
地址
A
IN
A
IN
扇区或块地址，
XXH芯片擦
X
X
X
- A
1
= V
IL
, A
0
= V
IL
- A
1
= V
IL
, A
0
= V
IH
见表4
399 PGM T3.2
7
8
9
10
A
MS(2)
A
MS(2)
11
12
13
14
15
16
注： （ 1 ）设备ID 2782H为SST39LF / VF160
(2) A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
19
对于SST39LF / VF160
2000硅存储技术公司
5
S71145
399-2 11/00
QQ：2881677436 复制
