1兆位（ 64K ×16）多用途闪存
SST39LF100 / SST39VF100
SST39LF / VF1003.0 & 2.7V 1 MB（ X16 ）强积金的回忆
数据表
产品特点：
组织为64K X16
单电压读写操作
- 3.0-3.6V的SST39LF100
- 2.7-3.6V的SST39VF100
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
- 工作电流：20 mA（典型值）
- 待机电流： 3 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
快速读取访问时间
- 45纳秒的SST39LF100
- 70纳秒的SST39VF100
锁存地址和数据
快速擦除和字编程
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：1秒（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
- JEDEC标准命令集
封装
- 40引脚TSOP （ 10毫米x10 14毫米）
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
产品说明
该SST39LF / VF100设备是64K x16的CMOS多
通用闪存（ MPF）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
备用
的方法。
该
SST39LF100
和
SST39VF100写（编程或擦除）用一个电压
的3.0-3.6V和2.7-3.6V ，年龄分别供电。
具有高性能的字编程能力， SST39LF /
VF100设备提供14典型字编程时间
微秒。该器件使用翻转位或数据＃查询检测
在完成编程或擦除操作。要亲
TECT防止误写入，在SST39LF / VF100有
片上硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用， SST39LF / VF100提供了瓜尔
10000次耐力及担。数据额定保存
在100年以上。
该SST39LF / VF100设备适合于应用
需要亲的方便和经济更新
克，配置或数据存储器。对于所有的系统应用程序
阳离子，在SST39LF / VF100显著改善
性能和可靠性，同时降低功率消耗
化。该SST39LF / VF100本能地使用更少的能源能很好地协同
荷兰国际集团擦除和编程比其他闪存技术。
所消耗的总能量是所施加电压的函数的
年龄，电流和应用的时间。因为对于任何给定
电压范围， SuperFlash技术使用更少的电流
租来编程，并且具有擦除时间更短，总
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在任何擦除或编程操作所消耗的能量
低于其他闪存技术。该SST39LF /
VF100还可以提高灵活性，同时降低了成本
程序，数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足表面贴装的要求， SST39LF / VF100
在40引脚TSOP和48球TFBGA封装提供。
参见图1引脚排列。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
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读
该SST39LF的读操作/ VF100被控制
通过CE＃和OE ＃ ，既要低，以便系统
获得的输出数据。 CE＃用于设备selec-
化。当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只
待机功耗。 OE＃为输出控制和
用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线是在
高阻抗状态，当CE＃或OE ＃为高电平。
请参考更多详细信息的读周期时序图
（图2） 。
芯片擦除操作
该SST39LF / VF100提供了全片擦除操作，
这允许用户将擦除整个存储器阵列，以
的“1”状态。此，当整个装置必须是有用
快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列，图7为定时图，
和图16的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
字编程操作
该SST39LF / VF100被编程在字的字
的基础。在编程之前，必须确保该仲
器中被编程的字被删除。亲
克操作包括三个步骤。第一步是
软件数据保护3字节装入序列。
第二步骤是要加载的字地址，字数据。
在字编程操作时，地址是
锁存，无论是CE＃下降沿或WE ＃ ，而─
发生过去年。该数据被锁存的上升沿
CE＃或WE＃ ，以先到为准。第三步是
这是后启动内部编程操作
第四WE ＃或CE ＃上升沿，以先到为准
第一。编程操作，一旦启动，将是的COM
在20微秒pleted 。参见图3和图4为WE＃和CE ＃
控制的编程操作时序图和图
13的流程图。在编程操作时，只
有效的读操作是数据＃查询和翻转位。在
内部编程操作，主机可以自由地执行额外
tional任务。内部亲中发出的任何命令
克操作将被忽略。
写操作状态检测
该SST39LF / VF100提供了两种软件方法来
检测完成后写（编程或擦除）周期，
为了优化系统写周期时间。该软
洁具的检测包括两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式之后的WE ＃的上升沿，这ini-启用
tiates内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
扇区擦除操作
扇区擦除操作可以使系统删除
设备上的一个扇区到扇区的基础。部门架构
是基于对2K字均匀扇区大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。地址线
A
11
-A
15
用于确定扇区地址。该
扇区地址被锁存第六的下降沿
WE＃脉冲，而命令（ 30H ）被锁在利培
荷兰国际集团的6个WE＃脉冲的边缘。内部擦除操作
化的6个WE＃脉冲之后开始。最终的擦除
操作可以使用数据＃查询或确定
翻转位的方法。参见图8的时序波形。
在扇区擦除操作期间发出的任何命令
将被忽略。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39LF / VF100是在内部编程
操作中，任何尝试读取DQ
7
将产生的COM
二进制补码的真实数据。一旦程序操作
完成后， DQ
7
将产生真正的数据。该装置是再
准备下一次操作。在内部擦除操作
化，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区或
芯片擦除，数据＃查询后上升沿有效
第六WE ＃ （或CE ＃）脉冲。参见图5为数据＃投票
时序图和图14的流程图。
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切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位后的第四个上升沿有效。
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区或
芯片擦除，之后的上升沿触发位是有效的
6个WE＃ （或CE ＃）脉冲。参见图6为触发位时序
荷兰国际集团图，图14为一个流程图。
表4为软件操作，图9为软件ID
进入和读取时序图，图15为软
洁具ID进入命令序列流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39LF/VF100
0001H
2788H
T1.3 363
数据
00BFH
0000H
数据保护
该SST39LF / VF100提供硬件和软件
功能，以防止非易失性数据免受意外写操作。
产品标识模式退出/
CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，将设备返回到读取模式。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/
一个内部计划中CFI退出命令被忽略或
擦除操作。参见表4软件命令
码，图10中的时序波形图15为一
流程图。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39LF / VF100提供了JEDEC核准软
洁具的数据保护方案的所有数据修改操作
系统蒸发散，即编程和擦除。任何编程操作
需要包含三字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。该SST39LF / VF100设备
与软件数据保护永久发货
启用。请参阅表4为特定的软件命令
码。在SDP命令序列，无效的COM
指令都会中止器件T内阅读模式
RC
。该
DQ内容
15
-DQ
8
是“不关心”过程中的任何SDP
命令序列。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
SST39LF100和SST39VF100和制造商为SST。
这种模式可以由软件操作来访问。
用户可以使用该软件产品标识操作
化时，使用来识别部分（即，使用设备ID ）
多个制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅
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3
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