8兆位（ X8 ）多用途闪存
SST39LF080 / SST39VF080
SST39LF / VF0803.0 & 2.7V 8Mb的（ X8 ）强积金的回忆
EOL数据表
产品特点：
组织为1M ×8
单电压读写操作
- 3.0-3.6V的SST39LF080
- 2.7-3.6V的SST39VF080
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
（在14 MHz时的典型值）
- 工作电流：12 mA（典型值）
- 待机电流： 4 μA （典型值）
- 自动节能模式： 4 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
块擦除功能
- 统一64千字节块
快速读取访问时间：
- 55纳秒的SST39LF080
- 70和90纳秒的SST39VF080
锁存地址和数据
快速擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
15秒（典型值） SST39LF / VF080
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 40引脚TSOP （ 10毫米x10 20毫米）
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
产品说明
该SST39LF / VF080设备1M ×8 CMOS多陈建
造成闪存（ MPF）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST39LF080写（编程或
擦除）与3.0-3.6V电源。该SST39VF080
写（编程或擦除）用2.73.6V电源。
它们符合JEDEC标准的引脚排列X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时， SST39LF /
VF080设备提供14典型字节编程时间
微秒。该器件使用翻转位或数据＃查询，从而提供与
美食在完成计划操作。为了保护
防止误写入，他们有片上硬件和
软件数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用范围，
这些器件提供有保证的典型
续航能力达10000次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39LF / VF080设备适合于应用
需要亲的方便和经济更新
克，配置或数据存储器。对于所有的系统应用程序
阳离子，它们显著提高性能和
可靠性，同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程过程中ently使用更少的能源比替代方案
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
本机闪存技术。所消耗的总能量是
所施加的电压的函数，电流和的应用时间
化。因为对于任何给定的电压范围内，则超快闪
技术使用的编程电流更低，并有一个较短的
擦除时间，在任何擦除的总能量消耗或
程序运行低于其他闪存技
吉斯。它们还可以提高灵活性，同时降低了成本
程序，数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39LF / VF080提供40引脚TSOP和48-
球TFBGA封装。请参阅图1和图2为销
分配。
8兆位多用途闪存
SST39LF080 / SST39VF080
EOL数据表
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
该SST39LF / VF080也有
自动低功耗
模式，使器件在附近待机模式后，
数据已经被浏览了有效的读操作。这
降低了我
DD
从通常为15 mA到读操作工作电流
通常为4 μA 。自动低功耗模式，降低了典型
CAL我
DD
以1毫安/ MHz范围内有效的读电流
读周期时间。器件退出自动低功耗
任何地址变换或控制信号转换模式
用于启动另一个读周期，没有访问时间
点球。注意，该器件不会进入自动低
上电后用CE ＃功耗模式稳步低，直到举行
第一个地址变换或CE ＃驱动为高电平。
操作时，主机可以自由地执行其他任务。任何
内部编程操作期间发出的命令
将被忽略。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39LF / VF080提供两个扇区擦除
和块擦除模式。扇区结构是基于
上的4 K字节均匀扇区大小。块擦除模式
是基于对64 K字节均一的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列块擦除命令（ 50H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序
荷兰国际集团的波形。在扇区中发出的任何命令
或块擦除操作将被忽略。
读
该SST39LF的读操作/ VF080被控制
通过CE＃和OE ＃ ，既要低，以便系统
获得的输出数据。 CE＃用于设备selec-
化。当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只
待机功耗。 OE＃为输出控制和
用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线是在
高阻抗状态，当CE＃或OE ＃为高电平。
请参考更多详细信息的读周期时序图
（图3） 。
芯片擦除操作
该SST39LF / VF080提供了全片擦除操作，
这允许用户将擦除整个存储器阵列，以
的“1”状态。此，当整个装置必须是有用
快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列，图8为时序图，
和图19的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
字节编程操作
该SST39LF / VF080被编程在逐字节
的基础。在编程之前，扇区所在的字节
存在必须完全擦除。程序操作
完成三个步骤。第一步是三字节
软件数据保护负载序列。第二个
步骤是装载字节地址和字节的数据。在字节级
程序运行时，地址锁存在下降沿
边缘CE＃或WE＃ ，最后为准。该
数据被锁存， CE＃或WE＃上升沿
以先到为准。第三步是内部亲
克而操作之后的上升沿开始
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。该计划
操作时，一旦启动，将在20 μs内完成。
参见图4和图5为WE ＃和CE＃控制程序
操作时序图，图16的流程图。
在编程操作期间，唯一有效的读操作
数据＃查询和翻转位。在内部编程
写操作状态检测
该SST39LF / VF080提供了两种软件方法来检测
在完成写的（编程或擦除）周期，以
优化系统写周期时间。软件
检测包括两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
）和
切换位（ DQ
6
） 。写操作结束检测模式
后的WE ＃的上升沿，从而启动所述使能
内部编程或擦除操作。
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8兆位多用途闪存
SST39LF080 / SST39VF080
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非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
数据保护
该SST39LF / VF080同时提供硬件和软件
洁具功能，以防止意外的非易失性数据
写道。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39LF / VF080是在内部编程
操作中，任何尝试读取DQ
7
将产生的COM
二进制补码的真实数据。一旦程序操作
完成后， DQ
7
将产生真正的数据。请注意，即使
虽然DQ
7
可有有效的数据紧随
在内部写操作完成后，将剩余的
数据输出仍然可能是无效的：在整个有效数据
数据总线将出现在后续读
1微秒的时间间隔后循环。在内部擦除操作
化，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，数据＃投票是利培后有效
荷兰国际集团的6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲边沿。参见图6
数据＃查询时序图和图17的流程图。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39LF / VF080提供了JEDEC核准软
洁具的数据保护方案的所有数据修改操作
系统蒸发散，即编程和擦除。任何编程操作
需要包含三字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。该SST39LF / VF080设备
与软件数据保护永久发货
启用。请参阅表4为特定的软件命令
码。在SDP命令序列，无效的COM
指令都会中止器件T内阅读模式
RC 。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位后的第四个上升沿有效。
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块级或芯片擦除，切换位后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。参见图7为切换
位的时序图和图17为一个流程图。
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39LF / VF080还包含CFI信息
描述了器件的特性。为了进入
CFI查询模式，系统必须加载三个字节
序列，类似于软件ID进入命令。该
此命令加载98H的最后一个字节周期（ CFI查询
命令），以解决5555H 。一旦设备进入
CFI查询模式下，系统可以读取在CFI的数据
到7所述的系统必须在表5中给出的地址
写入CFI退出命令返回到读取模式
CFI查询模式。
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8兆位多用途闪存
SST39LF080 / SST39VF080
EOL数据表
产品标识
产品标识方式将设备识别为
SST39LF080或SST39VF080和制造商为SST。
这种模式可以由软件操作来访问。
用户可以使用该软件产品标识操作
化时，使用来识别部分（即，使用设备ID ）
多个制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅
表4对软件的操作，图11中的软件
ID进入和读取时序图和图18的
软件ID进入命令序列流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39LF/VF080
0001H
D8H
T1.3 1146
产品标识模式退出/
CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，它返回到设备的读操作。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/
一个内部计划中CFI退出命令被忽略或
擦除操作。参见表4软件命令
码，图13为时序波形和图18的
流程图。
数据
BFH
0000H
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
X解码器
超快闪
内存
内存
地址
地址缓冲器&门锁
y解码器
CE＃
OE ＃
WE＃
DQ7 - DQ0
1146 B1.2
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
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8兆位/ 16兆位（ X8 ）多用途闪存
SST39LF080 / SST39LF016 / SST39VF080 / SST39VF016
SST39LF / VF080 / 0163.0 & 2.7V 8MB / 16兆（ X8 ）强积金的回忆
数据表
产品特点：
组织为1M ×8 / 2M ×8
单电压读写操作
- 3.0-3.6V的SST39LF080 / 016
- 2.7-3.6V的SST39VF080 / 016
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：15 mA（典型值）
- 待机电流： 4 μA （典型值）
- 自动节能模式： 4 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
块擦除功能
- 统一64千字节块
快速读取访问时间：
- 55纳秒的SST39LF080 / 016
- 70和90纳秒的SST39VF080 / 016
锁存地址和数据
快速擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
15秒（典型值） SST39LF / VF080
30秒（典型值） SST39LF / VF016
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 40引脚TSOP （ 10毫米x10 20毫米）
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
产品说明
该SST39LF / VF080和SST39LF / VF016设备
1M ×8 / 2M ×8 CMOS多用途闪存（ MPF）制造
factured与SST专有的高性能CMOS
SuperFlash技术。分裂栅单元设计和厚
氧化物隧道喷油器实现更高的可靠性和制造
turability与其他方法相比。该
SST39LF080 / 016写（编程或擦除）与3.0-3.6V
电源。该SST39VF080 / 016写（编程或
擦除）与2.73.6V电源。它们符合
JEDEC标准引脚排列X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时， SST39LF /
VF080和SST39LF / VF016设备提供了一个典型的
字节编程14微秒的时间。该器件使用翻转位
或数据＃投票指示完成计划
操作。为了防止意外写操作，他们有
片上硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用程序，这些设备提供了一个保证
续航能力达10000次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39LF / VF080和SST39LF / VF016设备
适合于和适用于需要方便econom-
程序，配置或数据存储器中的iCal更新。
对于所有系统应用，他们显著改善per-
性能和可靠性，同时降低功耗。
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他们擦除和编程过程中会本能地使用更少的能源
比其他闪存技术。在总能源
SUMED是所施加电压的函数，电流和
应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则
SuperFlash技术的编程电流小，
具有更短的擦除时间，总的能量过程中消耗
任何擦除或编程操作小于替代
闪存技术。他们还提高了灵活性，同时小写
荷兰国际集团的成本为程序，数据和配置存储
应用程序。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39LF / VF080和SST39LF / VF016提供在40-
引脚TSOP和48球TFBGA封装。见图1
和2引脚。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
8兆位/ 16兆位多用途闪存
SST39LF080 / SST39LF016 / SST39VF080 / SST39VF016
数据表
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
该SST39LF / VF080和SST39LF / VF016也有
自动低功耗
模式，使器件在附近
数据后待机模式下被访问具有有效
读操作。这降低了我
DD
读操作工作电流
从通常为15 mA至通常为4 μA 。自动低功耗
模式降低了典型I
DD
到有源读取电流
1 mA范围/读取周期时间兆赫。器件退出
自动低功耗模式与任何地址变换或CON-
控制用于启动另一个读周期的信号传输，
没有访问时间损失。注意，该设备不
进入自动低功耗模式后，电用CE ＃举行
稳定低，直到第一次地址变换或CE ＃驱动
高。
是数据＃查询和翻转位。在内部亲
克操作，主机可以自由地执行其他任务。
内部编程过程中发出的任何命令操作
化被忽略。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39LF / VF080和SST39LF / VF016
同时提供扇区擦除和块擦除模式。部门
体系结构是基于4K字节均匀的扇区大小。
在块擦除方式是基于均匀的块大小
64 K字节。由exe-启动扇区擦除操作
三个琴键与扇区擦除一个6字节的命令序列
命令（ 30H）和部门在过去的总线地址（ SA ）
周期。通过执行一个初始化块擦除操作
用块擦除命令六字节的命令序列
（ 50H ），并在最后一个总线周期块地址（ BA ） 。该
扇区或块地址被锁存的下降沿
6个WE ＃脉冲，而命令（ 30H或50H ）是
锁定第6个WE ＃脉冲的上升沿。该
第六WE ＃脉冲后内部擦除操作开始。
期终止擦除操作可通过确定
无论是数据＃查询或翻转位的方法。参见图9
和10的时序波形图。期间发出的任何命令
在扇区擦除或块擦除操作将被忽略。
读
在SST39LF / VF080的读操作和
SST39LF / VF016通过CE＃和OE ＃控制，都有
是低的系统，以获得从所述输出数据。
CE＃用于器件选择。当CE＃为高电平时，
芯片被取消，只待机功耗。
OE＃为输出控制中，通过使用栅极数据
输出管脚。数据总线是在高阻抗状态
CE＃或OE ＃为高电平。请参见读周期时序
图作进一步的详细信息（图3）。
芯片擦除操作
该SST39LF / VF080和SST39LF / VF016提供
芯片擦除操作，其允许用户擦除
整个存储器阵列的“1”状态。这是非常有用的，当
整个装置必须迅速删除。
通过执行一个六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列，图8为时序图，
和图19的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
字节编程操作
该SST39LF / VF080和SST39LF / VF016是亲
编程在逐字节的基础。编程之前，
1 ，必须确保该扇区，其中该字节是
被编程的存在，完全抹去。该计划
操作包括三个步骤。第一步是在三
软件数据保护字节装入序列。该节
OND步骤是装载字节地址和字节的数据。在
字节编程操作时，地址锁存的
任CE ＃或WE ＃下降沿，最后的为准。
该数据被锁存，在CE＃的上升沿或
WE＃ ，以先到为准。第三步是在内部
这是以后的上升沿启动程序操作
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。亲
克操作，一旦启动，将在20完成
微秒。参见图4和图5为WE＃和CE ＃控制的亲
克操作时序图，图16为液流 -
图表。在编程操作期间，仅有的有效读
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写操作状态检测
该SST39LF / VF080和SST39LF / VF016提供两个
软件方法来检测完成写的（亲
克或擦除）循环中，为了优化系统写
周期时间。软件检测包含两个状态位：
数据＃投票（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。对了，写结束
检测模式后的WE ＃的上升沿使能
启动内部编程或擦除操作。
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8兆位/ 16兆位多用途闪存
SST39LF080 / SST39LF016 / SST39VF080 / SST39VF016
数据表
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39LF / VF080和SST39LF / VF016提供
JEDEC核准的软件数据保护方案的所有
数据修改操作，即编程和擦除。任何
程序运行需要包含三字节
序列。三个字节装入序列用于启动
编程操作，提供最佳的保护
意外的写操作，如系统中
上电或断电。任何擦除操作要求
夹杂的6字节的序列。该SST39LF / VF080和
SST39LF / VF016设备附带的软件
数据保护永久启用。请参阅表4为
具体的软件命令代码。在SDP命令
序，无效命令会中止器件读取
在T模式
RC
.
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39LF / VF080和SST39LF / VF016是
内部编程操作，任何尝试读取DQ
7
将产生的真实数据的补码。一旦
程序操作完成后， DQ
7
会产生真正的
数据。该设备然后准备进行下一次操作。能很好地协同
荷兰国际集团内部擦除操作，任何尝试读取DQ
7
将
产生一个'0'。一旦内部擦除操作的COM
pleted ， DQ
7
将产生一个'1'。数据＃投票是有效的
之后的第4个WE ＃ （或CE ＃ ）的上升沿脉冲的亲
克操作。对于扇区，块或片擦除时，
之后的6个WE＃上升沿数据＃投票是有效的（或
CE＃）脉冲。参见图6数据＃查询时序图
图17为一个流程图。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位后的第四个上升沿有效。
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块级或芯片擦除，切换位后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。参见图7为切换
位的时序图和图17为一个流程图。
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39LF / VF080和SST39LF / VF016还含有
原讼法庭的信息来描述的特征
装置。为了进入CFI查询模式，系统
必须写3字节的序列，相同的产品ID进入
命令98H （ CFI查询命令）来解决
5555H中的最后一个字节序列。一旦设备进入
CFI查询模式，系统可以读取的数据CFI
至8系统必须在表5中给出的地址
写入CFI退出命令返回到读取模式
CFI查询模式。
数据保护
该SST39LF / VF080和SST39LF / VF016同时提供
硬件和软件功能来保护非易失性数据
意外写操作。
2001硅存储技术公司
S71146-03-000 6/01
396
3
8兆位/ 16兆位多用途闪存
SST39LF080 / SST39LF016 / SST39VF080 / SST39VF016
数据表
产品标识
该产品识别方式识别该设备作为
SST39LF080,
SST39VF080,
SST39LF016,
和
SST39VF016和制造商为SST。此模式可
可以通过软件来操作的访问。用户可以使用
软件产品标识操作来识别一部分
（即，使用设备ID ），当使用多个manufactur-
ERS在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表4的软件
操作时，图11为软件ID进入和读取
对于软件ID进入时序图和图18
命令序列流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39LF/VF080
SST39LF/VF016
0001H
0001H
D8H
D9H
T1.2 396
产品标识模式退出/
CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，它返回到设备的读操作。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/
一个内部计划中CFI退出命令被忽略或
擦除操作。参见表4软件命令
码，图13为时序波形和图18的
流程图。
数据
BFH
0000H
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
X解码器
超快闪
内存
内存
地址
地址缓冲器&门锁
y解码器
CE＃
OE ＃
WE＃
DQ7 - DQ0
396 ILL B1.2
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
2001硅存储技术公司
S71146-03-000 6/01
396
4
8兆位/ 16兆位多用途闪存
SST39LF080 / SST39LF016 / SST39VF080 / SST39VF016
数据表
SST39LF / VF160 SST39LF / VF080
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
WE＃
NC
NC
NC
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
WE＃
NC
NC
NC
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
SST39LF / VF080 SST39LF / VF016
A17
VSS
NC
A19
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VDD
VDD
NC
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
A17
VSS
A20
A19
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VDD
VDD
NC
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
标准引脚
顶视图
死亡最多
396 ILL F01.2
图1 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
40-
领导
TSOP
TOP VIEW （球朝下）
TOP VIEW （球朝下）
SST39LF/VF080
SST39LF/VF016
NC VSS
6
5
4
3
2
1
A14 A13 A15
A9
A8
A11
NC
NC
A6
A2
A16 A17 NC
6
5
4
3
396 ILL F20.1
A14 A13 A15
A9
A8
A11
NC
NC
A6
A2
A16 A17 NC
A20 VSS
A12 A19 A10 DQ6 DQ7
NC数控DQ5
VDD DQ4
A12 A19 A10 DQ6 DQ7
NC数控DQ5
VDD DQ4
WE＃ NC
NC
A7
A3
NC
A18
A4
WE＃ NC
NC
A7
A3
NC
A18
A4
NC DQ2 DQ3 VDD NC
A5
A1
DQ0 NC
NC DQ1
NC DQ2 DQ3 VDD NC
A5
A1
DQ0 NC
NC DQ1
396 ILL F21.1
2
1
A0 CE ＃ OE ＃ VSS
A0 CE ＃ OE ＃ VSS
A
B
C
D
E
F
G
H
A
B
C
D
E
F
G
H
图2 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
48-
球
TFBGA
2001硅存储技术公司
S71146-03-000 6/01
396
5
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