512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位（ X8 ）
许多-时间内可编程Flash
SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040
SST37VF512 / 010 / 020 / 0402.7V -读取512KB /为1Mb / 2MB / 4Mb的（ X8 ） MTP闪存
数据表
产品特点：
组织为64K ×8 / 128K ×8 / 256K ×8 / 512K ×8
?? 2.7-3.6V读操作
卓越的可靠性
- 耐力：至少1000次
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流10 mA（典型值）
- 待机电流： 2 μA （典型值）
快速读取访问时间：
= 70纳秒
= 90纳秒
锁存地址和数据
快速字节编程操作：
- 字节编程时间： 10 μs（典型值）
- 芯片编程时间：
0.6秒（典型值）的SST37VF512
1.2秒（典型值）的SST37VF010
2.4秒（典型值）的SST37VF020
4.8秒（典型值）的SST37VF040
电擦除使用编程器
- 不需要紫外光源
- 芯片擦除时间： 100毫秒（典型值）
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准的字节宽度的Flash
EEPROM的引脚排列
封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
- 32引脚PDIP
产品说明
该SST37VF512 / 010 / 020 / 040设备是64K ×8 / 128K
X8 / X8 256K / 512K ×8 CMOS ，很多时间可编程
（ MTP ） ，低成本的闪存，采用SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST37VF512 / 010 / 020 / 040可以
电擦除和编程的至少1000倍
使用外部编程器，例如，要改变的内容
在清点设备。该SST37VF512 / 010 / 020 / 040
已被编程之前擦除。这些设备
符合JEDEC标准的引脚排列字节宽的闪光
回忆。
拥有高性能的字节编程时，
SST37VF512 / 010 / 020 / 040提供了一个典型的字节亲
克时间10微秒。设计，制造和测试
对于多种应用，这些设备是
具有至少1000个循环的耐久提供。数据
保留的额定功率为100年以上。
该SST37VF512 / 010 / 020 / 040顷适合于各种应用
需要频繁写入和低功耗的非易失性
存储。这些器件将提高灵活性，效率，
和性能，同时匹配在非易失性的低成本
当前使用的应用程序的UV - EPROM中，用OTP ，并
面具光盘。
以满足表面安装和常规通孔
要求， SST37VF512 / 010 / 020 / 040顷提供的
32引脚PLCC ， TSOP和PDIP封装。参见图1 ，
,
2 ，和3引脚。
设备操作
该SST37VF512 / 010 / 020 / 040器件的非易失性
可以用来代替标准的存储器解决方案
如果在系统不需要闪存器件的可编程性。它
在功能上（读）和引脚兼容行业
标准闪存products.The设备支持电
经由外部编程擦除操作。
读
在SST37VF512的读操作/ 010 / 020 / 040是
通过CE＃和OE ＃控制。既，CE＃和OE ＃必须
低的系统，以获得从所述输出数据。一旦
地址是稳定的，地址存取时间是等于
从CE＃到输出的延迟（T
CE
） 。数据可在
TOE的从OE ＃下降沿延迟后输出，
假设CE ＃引脚一直保持在低水平和地址
一直保持稳定至少吨
CE
- T
OE
。当CE ＃引脚
为高电平时，芯片被取消选中，只有待机电流
10 μA （典型值）的消耗。 OE＃为输出控制和
用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线是在
当CE＃或OE ＃为V高阻抗状态
IH
.
请参考图4为时序图。
2001硅存储技术公司
S71151-02-000 5/01
397
1
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
MTP是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040
数据表
字节编程操作
该SST37VF512 / 010 / 020 / 040顷使用编程
外部编程。编程模式被激
通过OE ＃引脚和V断言12V （ ± 5 ％ ）氧基团
IL
在CE ＃
引脚。该设备使用单脉冲编程（ WE＃
引脚为低电平，每字节10微秒） 。使用MTP编程
算法中，字节编程过程继续字节逐
字节，直到整个芯片已被编程。请参阅
图10为流程图，以及图6的时序dia-
克。
产品标识模式
产品标识模式标识的设备上进行
SST37VF512,
SST37VF010,
SST37VF020,
和
SST37VF040和制造商为SST。此模式可
由硬件方法来访问。要激活此
模式，编程设备必须强制V
H
（ 12V ± 5 ％ ）的地址A
9
。然后两个标识符字节可能
通过切换地址从设备输出测序
线路一
0
。有关详细信息，请参阅表3为硬件操作。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
芯片擦除操作
只有这样，才能从“0”改变数据“1”是由electri-
卡尔擦除改变每一个位中的设备设置为“ 1”。该
SST37VF512 / 010 / 020 / 040使用的电子芯片擦除
操作。整个芯片能够在100毫秒内擦除（ WE＃
引脚为低电平） 。为了激活擦除模式下，将12V （ ±5％）是
适用于OE ＃和A
9
销，而CE＃为低。所有其他
地址和数据引脚是“不关心” 。的下降沿
WE＃将启动芯片擦除操作。一旦该芯片具有
被删除，所有字节必须为FFH进行验证。请参考图 -
茜9的流程图和图5的时序图。
制造商ID
器件ID
SST37VF512
SST37VF010
SST37VF020
SST37VF040
地址
0000H
0001H
0001H
0001H
0001H
数据
BFH
C4H
C5H
C6H
C2H
T1.2 397
设计注意事项
该SST37VF512 / 010 / 020 / 040应该有一个0.1μF
陶瓷高频，低电感电容CON-
V之间连接的
DD
和GND 。该电容应该是
置于尽可能靠近封装端子成为可能。
OE ＃和A
9
必须在V保持稳定
H
对于整个持续时间
化的擦除操作。 OE ＃必须在V保持稳定
H
对于编程操作的整个过程。
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
X解码器
超快闪
内存
内存地址
地址缓冲器
y解码器
CE＃
OE ＃
A9
WE＃
控制逻辑
I / O缓冲器
DQ7 - DQ0
397 ILL B1.1
2001硅存储技术公司
S71151-02-000 5/01
397
2
512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040
数据表
SST37VF512 SST37VF010 SST37VF020 SST37VF040
WE＃
WE＃
WE＃
WE＃
VDD
A12
A15
A16
A18
VDD
A12
A15
A16
VDD
A12
A15
A16
NC
VDD
A12
A15
NC
NC
SST37VF040 SST37VF020 SST37VF010 SST37VF512
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
NC
SST37VF512 SST37VF010 SST37VF020 SST37VF040
5
6
7
8
9
10
11
12
13
SST37VF040 SST37VF020 SST37VF010 SST37VF512
4
3
2
1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
NC
A17
NC
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
32引脚PLCC
顶视图
21
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
397 ILL F02a.2
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ5
DQ5
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
图1 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
PLCC
SST37VF040 SST37VF020 SST37VF010 SST37VF512
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE＃
VDD
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE＃
VDD
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE＃
VDD
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE＃
VDD
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
DQ6
VSS
DQ6
VSS
DQ6
SST37VF512 SST37VF010 SST37VF020 SST37VF040
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
397 ILL F01.0
标准引脚
顶视图
图2 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
TSOP （ 8
MM
2001硅存储技术公司
X
14
MM
)
S71151-02-000 5/01
397
3
512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040
数据表
SST37VF040 SST37VF020 SST37VF010 SST37VF512
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
32-pin
6
PDIP
7
8
顶视图
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
SST37VF512 SST37VF010 SST37VF020 SST37VF040
VDD
WE＃
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VDD
WE＃
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VDD
WE＃
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VDD
WE＃
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
397 ILL F02b.1
图3 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
PDIP
表2 ：P
IN
D
ESCRIPTION
符号
A
MS1
-A
0
DQ
7
-DQ
0
CE＃
WE＃
OE ＃
V
DD
V
SS
NC
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
电源
地
无连接
未连接引脚。
T2.1 397
功能
提供的内存地址。
要在读周期输出数据，并在程序循环接收输入数据。
输出处于三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE＃为低。
编程或擦除（ WE＃ = V
IL
编程或擦除时脉）
栅极读操作时，在较低的数据输出缓冲器
提供3.0V电源（ 2.7-3.6V ）
1. A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
15
为SST37VF512 ，A
16
为SST37VF010 ，A
17
为SST37VF020 ，和A
18
为SST37VF040
2001硅存储技术公司
S71151-02-000 5/01
397
4
512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040
数据表
表3 ：O型
PERATION
M
副执行秘书办公室
S
选举
模式
读
输出禁用
待机
芯片擦除
字节编程
编程/擦除禁止
产品标识
CE＃
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IL
WE＃
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IH
A
9
A
IN
X
X
V
H
A
IN
X
X
V
H
OE ＃
V
IL
V
IH
X
V
H
V
H
X
V
IL
或V
IH
V
IL
DQ
D
OUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
高Z
高Z / D
OUT
制造商ID （ BFH ）
器件ID
1
地址
A
IN
A
IN
X
X
A
IN
X
X
A
MS2
- A
1
= V
IL
, A
0
= V
IL
A
MS2
- A
1
= V
IL
, A
0
= V
IH
T3.1 397
1.设备ID = C4H为SST37VF512 ，C 5 H为SST37VF020 ， C6H为SST37VF020和C2H为SST37VF040
2. A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
15
为SST37VF512 ，A
16
为SST37VF010 ，A
17
为SST37VF020 ，和A
18
为SST37VF040
注意：
X = V
IL
或V
IH
（或V
H
在案件OE ＃和A
9
)
V
H
= 12V±5%
绝对最大极限
（适用条件高于绝对最大的“上市
压力“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些条件或条件高于在该数据的操作部分中定义的
片是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下可能影响器件的可靠性。 ）
高温下的偏差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
直流电压上的任何引脚对地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+ 0.5V
任何引脚瞬态电压（ <20 NS）到地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1.0V到V
DD
+ 1.0V
上的电压
9
引脚到地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至13.2V
包装功率耗散能力（ TA = 25 ° C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0W
通过保持引线焊接温度（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
表面贴装引线焊接温度（ 3秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 240℃
输出短路电流
1
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
1.输出短路因为没有一秒钟以上。不超过一个输出短路的时间。
O
操作摄像机
R
ANGE
范围
广告
环境温度
0 ° C至+ 70°C
V
DD
2.7-3.6V
AC - C
ONDITIONS
OF
T
美东时间
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5纳秒
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
L
= 100 pF的
参见图7和8
2001硅存储技术公司
S71151-02-000 5/01
397
5
QQ：800888908 复制
