512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位（ X8 ）

许多-时间内可编程Flash

SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040

数据表

产品特点：

组织为64K ×8 / 128K ×8 / 256K ×8 / 512K ×8

?? 2.7-3.6V读操作

卓越的可靠性

- 耐力：至少1000次

- 大于100年数据保存时间

低功耗

- 工作电流10 mA（典型值）

- 待机电流： 1 μA （典型值）

快速读取访问时间

- 70和90纳秒

快速字节编程操作

- 字节编程时间： 10 μs（典型值）

- 芯片编程时间：

0.6秒（典型值）的SST37VF512

1.2秒（典型值）的SST37VF010

2.4秒（典型值）的SST37VF020

4.8秒（典型值）的SST37VF040

电擦除使用编程器

- 不需要紫外光源

- 芯片擦除时间： 100毫秒（典型值）

CMOS I / O兼容性

JEDEC标准字节宽度闪存EEPROM

引脚配置

封装

- 32引脚PDIP

- 32引脚PLCC

- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）

产品说明

该SST37VF512 / 010 / 020 / 040设备是64K ×8 /

128K X8 / X8 256K / 512K ×8 CMOS ，很多时亲

可编程（ MTP ） ，低成本的闪存，与制造

SST专有的高性能CMOS超快闪

技术。分裂栅单元设计和厚氧化

隧穿注入器可实现更高的可靠性和

制造与其他方法相比。

该SST37VF512 / 010 / 020 / 040可电擦除

与使用外部编程的至少1000倍

程序员，例如，以改变在设备中的内容

存货。该SST37VF512 / 010 / 020 / 040必须

在编程之前擦除。这些器件符合

JEDEC标准引脚排列字节宽度闪存。

拥有高性能的字节编程时，

SST37VF512 / 010 / 020 / 040提供了一个典型的字节亲

克时间10微秒。设计，制造和测试

对于多种应用，这些设备是

具有至少1000个循环的耐久提供。数据

保留的额定功率为100年以上。

该SST37VF512 / 010 / 020 / 040顷适合

需要频繁写入和低应用

功率非易失性存储。这些设备将

提高灵活性，效率和性能，同时

匹配在非易失性应用的成本低，以至于

目前使用的UV- EPROM中，用OTP和掩膜ROM中。

以满足表面安装和常规通孔

要求， SST37VF512 / 010 / 020 / 040顷OF-

fered 32引脚PLCC ， PDIP和TSOP封装。看

图1，图2和图3为引出线。

设备操作

该SST37VF512 / 010 / 020 / 040器件的非易失性

可以用来代替标准的存储器解决方案

如果在系统可编程能力不重的闪存设备

quired 。它的功能（读）和引脚兼容

行业标准闪存products.The设备支持

通过外部编程电擦除操作。

读

在SST37VF512的读操作/ 010 / 020 / 040是

通过CE＃和OE ＃控制。既，CE＃和OE ＃必须

低的系统，以获得从所述输出数据。一旦

地址是稳定的，地址存取时间是等于

从CE＃延迟输出（T

CE

） 。数据可在

T的延迟后输出

OE

从OE＃的下降沿，

假设CE ＃引脚一直保持在低水平和地址

一直保持稳定至少吨

CE

- T

OE

。当CE ＃引脚

为高电平时，芯片被取消选中，只有待机电流

10 μA （典型值）的消耗。 OE＃为输出控制和

用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线是

在高阻抗状态时，无论CE ＃或OE ＃为V

IH

.

请参考图4为时序图。

字节编程操作

该SST37VF512 / 010 / 020 / 040顷由美中编程

荷兰国际集团的外部编程。编程模式

通过OE ＃引脚和V断言12V （ ± 5 ％ ）被激活

IL

on

CE＃引脚。该设备使用单脉冲编程

（ WE＃引脚为低电平），每字节10微秒。使用MTP编程

明算法，该字节编程过程继续

逐字节直到整个芯片已被编程。

请参考图10，用于对所述的流程图和图6中

时序图。

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

2000硅存储技术， Inc.The SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ，Inc.的商标MTP是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

1

397-03 2/00

规格若有变更，恕不另行通知。

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512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多时间内可编程Flash

SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040

数据表

芯片擦除操作

只有这样，才能从“0”改变数据“1”是由

电擦除，改变每一个位中的设备设置为“ 1”。

该SST37VF512 / 010 / 020 / 040使用的电芯片

擦除操作。整个芯片可以在100毫秒内被擦除

（ WE＃引脚为低电平） 。为了激活擦除模式下，将12V

（ ± 5 ％ ）被应用到OE ＃和A

9

销，而CE＃为低。所有

其他的地址和数据引脚“不关心” 。下降

WE＃的边缘将启动芯片擦除操作。一旦

该芯片已被删除，所有字节必须进行验证

FF 。请参考图9为流程图，以及图5为

的时序图。

产品标识模式

产品标识模式标识的设备上进行

SST37VF512 ， SST37VF010 ， SST37VF020和

SST37VF040和制造商为SST。此模式可

由硬件方法来访问。要激活此

模式，编程设备必须强制V

H

（ 12V ± 5 ％ ）的地址A

9

。两个标识符字节可以再

通过切换AD-从器件输出进行测序

礼服A线

0

。有关详细信息，请参阅表3硬件

操作。

F

UNCTIONAL

B

LOCK

D

IAGRAM

T

ABLE

1: P

RODUCT

I

DENTIFICATION

T

ABLE

制造商代码

器件代码

SST37VF512

SST37VF010

SST37VF020

SST37VF040

字节

0000 H

0001 H

0001 H

0001 H

0001 H

数据

BF

C4

C5 ^ h

C6 ^ h

C2

397 PGM T1.1

设计注意事项

该SST37VF512 / 010 / 020 / 040应该有一个0.1μF

陶瓷高频，低电感电容CON-

V之间连接的

DD

和GND 。该电容应该是

置于尽可能靠近封装端子成为可能。

OE ＃和A

9

必须在V保持稳定

H

对于整个

持续的擦除操作。 OE ＃必须保持稳定

在V

H

对于编程操作的整个过程。

X解码器

EEPROM

电池阵列

内存地址

地址缓冲器

y解码器

CE＃

OE ＃

A9

WE＃

控制逻辑

I / O缓冲器

DQ7 - DQ0

397 ILL B1.0

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2

397-03 2/00

512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多时间内可编程Flash

SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040

数据表

SST37VF040 SST37VF020 SST37VF010 SST37VF512

A11

A9

A8

A13

A14

A17

WE＃

VDD

A18

A16

A15

A12

A7

A6

A5

A4

A11

A9

A8

A13

A14

A17

WE＃

VDD

NC

A16

A15

A12

A7

A6

A5

A4

A11

A9

A8

A13

A14

NC

WE＃

VDD

NC

A16

A15

A12

A7

A6

A5

A4

A11

A9

A8

A13

A14

NC

WE＃

VDD

NC

NC

A15

A12

A7

A6

A5

A4

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

SST37VF512 SST37VF010 SST37VF020 SST37VF040

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VSS

DQ2

DQ1

DQ0

A0

A1

A2

A3

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VSS

DQ2

DQ1

DQ0

A0

A1

A2

A3

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VSS

DQ2

DQ1

DQ0

A0

A1

A2

A3

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VSS

DQ2

DQ1

DQ0

A0

A1

A2

A3

397 ILL F01.0

1

2

3

4

5

6

标准引脚

顶视图

F

IGURE

1: P

IN

A

SSIGNMENTS FOR

32-

针

TSOP

SST37VF040 SST37VF020 SST37VF010 SST37VF512

A18

A16

A15

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

NC

A16

A15

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

NC

A16

A15

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

NC

NC

A15

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

1

2

3

4

5

32-Pin

6

PDIP

7

8

顶视图

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

SST37VF512 SST37VF010 SST37VF020 SST37VF040

VDD

WE＃

NC

A14

A13

A8

A9

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VDD

WE＃

NC

A14

A13

A8

A9

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VDD

WE＃

A17

A14

A13

A8

A9

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VDD

WE＃

A17

A14

A13

A8

A9

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

397 ILL F02b.0

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

F

IGURE

2: P

IN

A

SSIGNMENTS FOR

32-

针

PDIP

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3

397-03 2/00

512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多时间内可编程Flash

SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040

数据表

SST37VF512 SST37VF010 SST37VF020 SST37VF040

WE＃

WE＃

WE＃

WE＃

VDD

A12

A15

A16

A18

VDD

A12

A15

A16

VDD

A12

A15

A16

NC

VDD

A12

A15

NC

NC

SST37VF040 SST37VF020 SST37VF010 SST37VF512

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

NC

NC

A17

NC

A17

SST37VF512 SST37VF010 SST37VF020 SST37VF040

4

3

2

1

32 31 30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

14 15 16 17 18 19 20

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

VSS

5

6

7

8

9

10

11

12

13

SST37VF040 SST37VF020 SST37VF010 SST37VF512

A14

A13

A8

A9

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

A14

A13

A8

A9

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

A14

A13

A8

A9

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

A14

A13

A8

A9

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

32引脚PLCC

顶视图

397 ILL F02a.1

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ5

DQ5

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

F

IGURE

3: P

IN

A

SSIGNMENTS FOR

32-

针

PLCC

T

ABLE

2: P

IN

D

ESCRIPTION

符号

引脚名称

A

MS

-A

0

地址输入

DQ

7

-DQ

0

数据输入/输出

CE＃

WE＃

OE ＃

V

DD

V

SS

NC

注意：

芯片使能

写使能

OUTPUT ENABLE

电源

地

无连接

功能

提供内存地址

要在读周期输出数据和接收程序中输入数据

周期，输出处于三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。

要激活设备时， CE ＃为低电平

编程或擦除（ WE＃ = V

IL

编程或擦除时脉）

栅极读操作时，在较低的数据输出缓冲器

提供3伏电源（2.7 3.6V）

未连接引脚

397 PGM T2.0

A

MS

=最显著地址

A

MS

= A

15

为SST37VF512 ，A

16

为SST37VF010 ，A

17

为SST37VF020和A

18

为SST37VF040 。

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DQ6

VSS

DQ6

VSS

DQ6

VSS

4

397-03 2/00

512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多时间内可编程Flash

SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040

数据表

T

ABLE

3: O

PERATION

M

副执行秘书办公室

S

选举

模式

读

输出禁用

待机

芯片擦除

字节编程

编程/擦除

抑制

产品

鉴定

注意：

CE ＃ WE＃

V

IL

V

IH

V

IL

X

V

IH

X

V

IL

V

IL

V

IL

V

IL

X

V

IH

X

X

V

IL

V

IH

A

9

A

IN

X

X

V

H

A

IN

X

X

V

H

OE ＃

V

IL

V

IH

X

V

H

V

H

X

V

IL

或V

IH

V

IL

DQ

D

OUT

高Z

高Z

高Z

D

IN

高Z

高Z / D

OUT

制造商代码（ BF ）

设备代码（ 1 ）

地址

A

IN

A

IN

X

X

A

IN

X

X

A

MS(2)

-A

1

= V

IL

, A

0

= V

IL

A

MS(2)

-A

1

= V

IL

, A

0

= V

IH

397 PGM T3.0

1

2

3

4

5

6

X = V

IL

或V

IH

（或V

H

在案件OE ＃和A

9

)

V

H

= 12V±5%

（ 1 ）设备代码C4为SST37VF512 ， C5为SST37VF010 ， C6为SST37VF020和C2为SST37VF040 。

(2) A

MS

=最显著地址

A

MS

= A

15

为SST37VF512 ，A

16

为SST37VF010 ，A

17

为SST37VF020和A

18

为SST37VF040 。

绝对最大极限

（条件超过那些在“绝对最大极限上市

“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级的设备只有和功能操作

在这些条件下或条件高于本数据表中的业务部门定义是不是暗示。

暴露在绝对最大额定值条件下可能影响器件的可靠性。 ）

高温下偏置................................................................................................................. -55 ° C至+ 125°C

储存温度...................................................................................................................... -65 ° C至+ 150°C

任何引脚的直流电压对地电位.......................................... ................................... -0.5V到V

DD

+ 0.5V

任何引脚瞬态电压（ <20 NS）接地电位...................................... ................... -1.0V到V

DD

+ 1.0V

上的电压

9

和OE ＃引脚接地电位........................................... ...................................... -0.5V至13.2V

包装功率耗散能力（T

A

= 25 ° C） ............................................. .............................................. 1.0W

通孔焊接温度（ 10秒） ......................................... ..................................... 300℃

表面贴装引线焊接温度（ 3秒） ......................................... ...................................... 240℃

输出短路电流

(1) .................................................................................................................................................................

50毫安

注意：

(1)

输出短路的时间不超过一秒钟。不超过一个输出短路的时间。

7

8

9

10

11

12

13

O

操作摄像机

R

ANGE

范围

环境温度

广告

0 ° C至+ 70°C

产业

-40 ° C至+ 85°C

AC - C

作者ONDITIONS

T

美东时间

V

DD

2.7至3.6V

2.7至3.6V

输入上升/下降时间......... 5纳秒

输出负载.....................

L

= 100 pF的

参见图7和8

14

15

16

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