16兆位（ X8 / X16 ）并行的SuperFlash
SST36VF1601G / SST36VF1602G
SST36VF1601E / 1602E16Mb （ X8 / X16 ）并行的SuperFlash
数据表
产品特点：
组织为1M X16或X8 2M
双行架构并行
读/写操作
- 16 Mbit的底部扇区保护
- SST36VF1601G ： 4兆位+ 12兆位
- 16 Mbit的顶部扇区保护
- SST36VF1602G ： 12兆位+ 4兆位
单2.7-3.6V的读取和写入操作
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：6 mA典型
- 待机电流： 4 μA典型
- 自动节能模式： 4 μA典型
硬件扇区保护/ WP ＃输入引脚
- 保护的4个行业的最外层（ 8K字）
在通过驱动WP ＃低的小银行，
取消保护通过驱动WP ＃高
硬件复位引脚（ RST ＃ ）
- 复位内部状态机读
数组数据
字节＃引脚
=选择8位或16位模式
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
芯片擦除功能
块擦除功能
- 统一32K字块
擦除暂停/擦除恢复功能
安全ID功能
- SST ： 128位
- 用户： 256字节
快速读取访问时间
= 70纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和编程（典型值） ：
- 扇区擦除时间： 18毫秒
- 块擦除时间： 18毫秒
- 芯片擦除时间： 35毫秒
- 计划时间： 7微秒
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
=就绪/忙＃引脚
CMOS I / O兼容性
符合通用闪存接口（ CFI ）
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 56球LFBGA （8毫米X 10毫米）
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST36VF1601G和SST36VF1602G是1M X16或
2M ×8 CMOS并行读/写闪存MAN-
制造出来与SST专有的高性能CMOS
超快闪内存技术。分裂栅单元设计
和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和
制造与其他方法相比。
该器件写（编程或擦除）与2.7-3.6V
电源和符合JEDEC标准引脚排列
X8 / X16的回忆。
拥有高性能的计划， SST36VF160xG
为7μs和使用切换一个典型的编程时间
位，数据＃查询或RY / BY ＃检测完成
在编程或擦除操作。为了防止inad-
vertent写，该器件具有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计，制造，
并测试了广泛的应用，这些光谱
器件提供10,000保证续航能力
周期。数据保留的额定功率为100年以上。
这些器件适用于需要CON-应用
近便和计划经济的升级，组态
化或数据存储器。对于所有的系统应用程序，该
SST36VF160xG显著提高性能和
可靠性，同时降低功耗。这些
擦除和亲在设备本身使用更少的能源
克比其他闪存技术，因为总
消耗的能量是所施加电压的函数，电流
租金和应用时间。对于任何给定的电压范围内，
SuperFlash技术的编程电流更低，
并具有更短的擦除时间;因此，总的能量
在任何擦除消耗或编程操作较少
比其他闪存技术。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
CSF是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
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超快闪技术提供固定的擦除和编程
倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其
擦除和编程累积次数的增加
擦除/编程周期。
为了满足高密度，表面贴装的要求，
SST36VF1601G和SST36VF1602G设备提供
在48球TFBGA封装， 48引脚TSOP和56球LFBGA
,
包。参见图6 ，图7和8的引脚分配。
该SST36VF160xG的读操作控制
通过CE＃和OE ＃ ，这两者都必须为低电平的
系统，以获得从所述输出数据。 CE＃被用于
设备选择。当CE ＃为高电平时，芯片被取消
只有待机功耗。 OE＃为输出
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。该
数据总线处于高阻抗状态时， CE＃或
OE ＃为高电平。请参考图9 ，读周期时序dia-
克，为进一步的细节。
程序运行
这些设备被编程在字的字或
逐字节的基础视的字节＃状态
引脚。在编程前，确保该部门是
被编程完全擦除。
程序操作完成三个步骤：
1.使用三启动软件数据保护
字节装入序列。
2.加载地址和数据。
设备操作
内存操作函数使用的是标准的发起
微处理器写入序列。一个命令写的是
WE＃置为低电平，同时保持CE ＃低。地址
公交车被锁在WE＃或CE ＃下降沿，而─
发生过去年。数据总线被锁存的上升沿
WE＃或CE＃ ，先到为准。
自动低功耗模式
这些器件还具有
自动低功耗
模式
这使他们在近待机状态下不到500纳秒
数据后已经被访问同一个有效的读操作。
这减少了典型的I
DD
读操作工作电流为4 μA 。
当CE＃为低电平时，器件自动退出低功耗模式
所使用的任何地址变换或控制信号转换
启动另一个读周期中，没有获得一次罚球。
在编程操作期间，地址是
锁存， CE＃或WE＃的下降沿，
为准过去。该数据被锁存的
任CE ＃或WE ＃上升沿为准
先发生。
3.启动后内部编程操作
第四WE ＃或CE ＃上升沿为准
先发生。编程操作，一旦initi-
ated ，将在7微秒通常完成。
参见图10和图11为WE＃和CE ＃控制的亲
克操作时序图，图25为液流 -
图表。在编程操作期间，仅有的有效读
是数据＃查询和翻转位。在内部亲
克操作，主机可以自由地执行其他任务。
内部程序期间发出的任何命令操作
化被忽略。
并行读/写操作
这些设备的双岸结构允许
并发读/写操作，由此，用户可以
从一个银行的同时读取编程或擦除在
其他银行。例如，读取系统的代码在一个银行
而在其他银行的更新数据。见下面的表1中
了解更多信息。
表1 ：并行读/写状态
银行1
读
读
写
写
无操作
无操作
2银行
无操作
写
读
无操作
读
写
注意：
此表的目的，写入装置来执行块擦除
或扇区擦除或编程操作适用于
合适的银行。
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扇区擦除/块擦除操作
在扇区或块擦除操作可以使系统
擦除一个扇区到扇区的装置（或块逐块）
的基础。该SST36VF160xG提供两个扇区擦除和
块擦除操作。
扇区结构是基于均匀扇区大小
2K字。由execut-启动扇区擦除操作
荷兰国际集团一个6字节的命令序列与扇区擦除
命令（ 50H ）和部门在过去的总线地址（ SA ）
周期。
在块擦除方式是基于均匀的块大小
32K字。块擦除是通过执行一个6字节的开始
用块擦除命令（ 30H ）和命令序列
块地址（ BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 50H或30H ）被锁在
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除操作
ATION第6个WE ＃脉冲之后开始。
在扇区擦除或块擦除期间发出的任何命令
操作被忽略，除非擦除暂停和使用擦除
简历。时序波形见图15和16 。
擦除暂停/擦除恢复运营
在擦除暂停操作暂时挂起
部门或块擦除操作从而使数据能够
读或编入任何部门或阻止不
从事的擦除操作。被执行的操作
通过发出与擦除可持一个字节的命令序列
挂起命令（ B0H ） 。该器件自动进入
阅读模式的不超过10微秒后擦除暂停
命令已经发出。 （T
ES
最大延迟等于
10微秒。 ）有效的数据可以从任何部门或块中读取
是不是从擦除操作暂停。在读
擦除暂停扇区/块中的地址位置
将输出DQ
2
触发和DQ
6
在“1”。处于擦除可持
挂起模式，允许除了程序运行
扇区或块中选择擦除暂停。
要恢复暂停的扇区擦除或块擦除
操作，系统必须发出擦除恢复的COM
命令。该操作通过发出一个字节的执行
与擦除恢复命令命令序列（ 30H ）
在一个字节序列的任何地址。
写操作状态检测
为了优化系统写周期时间内，
SST36VF160xG提供了两种软件方法来检测
写（编程或擦除）周期软完成
洁具的检测包括两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式之后的WE ＃的上升沿，这ini-启用
tiates内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统。因此，数据＃查询或
切换位也许可以同时读取与完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
得到从状态检测处理不正确的结果。
例如，有效的数据可能会与发生冲突或者
DQ
7
或者DQ
6
。为了防止错误的结果，在检测到的
故障，软件程序应循环读取
访问的位置的附加的两倍。如果两个读数
是有效的，则该设备已完成写周期，
否则失效是有效的。
芯片擦除操作
该SST36VF1601G和SST36VF1602G提供
芯片擦除操作，从而擦除整个存储器
阵列到“1”状态。这个操作是非常有用的，当
整个装置必须迅速删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。所有的COM
全片擦除操作期间发出的要求主要
忽略不计。参见表6命令序列，如图
14为时序图，和图29的流程图。
当WP＃为低电平时，任何企图片擦除会
忽略不计。
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就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）
该SST36VF160xG包括就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）
输出信号。 RY / BY ＃是漏极开路输出引脚， indi-
盖茨的擦除或编程操作是否
进展情况。由于RY / BY ＃是漏极开路输出，它允许
几个设备并行地连接到V
DD
通过外部
上拉电阻。之后的最终WE＃脉冲的上升沿
在命令序列中， RY / BY ＃状态有效。
当RY / BY＃正在积极拉低时，表示一个
擦除或编程操作正在进行中。当RY / BY ＃
是高（就绪） ，该设备可以被读出或在待机
模式。
触发位（ DQ
6
和DQ
2
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
将产生交变'1'
和'0' ，即，之间切换'1'和'0'。当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换，并且该设备，然后准备下一个
操作。对于扇区擦除，块或片擦除，翻转位
（ DQ
6
）后的第6个WE ＃ （或CE ＃上升沿有效）
脉搏。 DQ
6
将被设置为'1'，如果执行读操作，尝试
在擦除暂停的扇区或块。如果编程操作
值，我们在擦除可持未选择扇区/块启动
挂起模式时， DQ
6
将切换。
另外一个触发位可在DQ
2
，它可以是
与DQ配合使用
6
检查是否一个特定的
扇区或块正在积极擦除或擦除可持
挂起。表2示出了详细的位的状态信息。该
切换位（ DQ
2
）是在最后的上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲写入操作。见图13
翻转位时序图和图26的流程图。
表2 ：写操作状态
状态
正常
标准
操作计划
标准
抹去
使用擦除
暂停
模式
从阅读
抹去
暂停
扇区/块
从阅读
非擦除
暂停
扇区/块
节目
DQ
7
DQ7#
0
1
DQ
6
切换
切换
1
DQ
2
无切换
切换
切换
RY / BY ＃
0
0
1
字节/字（ BYTE ＃ ）
该装置包括一个BYTE ＃引脚来控制是否
设备数据I / O引脚均x8或x16 。如果BYTE ＃引脚
在逻辑“1” （Ⅴ
IH
）该装置是在x16的数据结构：所有
数据I / 0引脚DQ
0
-DQ
15
是活动的，由CE＃控制
和OE ＃ 。
如果BYTE ＃引脚为逻辑“0”时，设备处于x8的数据CON-
成形 - 唯一的数据I / O引脚DQ
0
-DQ
7
活跃和反对
通过CE＃和OE ＃控制。引脚DQ剩余的数据
8
-
DQ
14
处于高阻，而引脚DQ
15
被用作地址
输入A
-1
用于地址总线的最低有效位。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST36VF160xG是在一个内部程序
操作中，任何尝试读取DQ
7
将产生的COM
二进制补真实数据。一旦程序运行的COM -
pleted ， DQ
7
会产生有效的数据。
在内部擦除操作，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部擦除操作的COM
pleted ， DQ
7
将产生一个'1'。数据＃投票是有效的
之后的第4个WE ＃ （或CE ＃ ）的上升沿脉冲的亲
克操作。对于扇区擦除，块或片擦除时，
之后的6个WE＃上升沿数据＃投票是有效的（或
CE＃）脉冲。参见图12数据＃投票（ DQ
7
）时序
图，图26为一个流程图。
数据
数据
数据
1
DQ7#
切换
不适用
0
T2.1 1342
注意：
DQ
7,
DQ
6,
和DQ
2
阅读时需要一个有效的地址
状态信息。该地址必须是在银行那里
该操作正在进行中，以读出的动作台站
土族。如果该地址指向一个不同的银行（不忙）
该器件将输出数组数据。
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SST36VF1601G / SST36VF1602G
数据表
数据保护
该SST36VF160xG同时提供硬件和软件
功能，以防止非易失性数据免受意外写操作。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
硬件块保护
该SST36VF1601G和SST36VF1602G提供硬
洁具块保护，用于保护最外层8
KWord的，在较小的银行。的块已被保护时
WP ＃为低。参见图2 ，3，4 ，和5块 - 脯
tection位置。
块保护是通过驱动WP ＃高禁用。这
允许数据被擦除或编程到被保护
部门。 WP ＃之前，必须发出写高举
指挥和保持稳定，直到整个写入后
操作已完成。如果WP ＃悬空，它是跨
应受举行，通过上拉电阻高，引导块
未受保护，使编程和擦除操作的
该块。
硬件复位（ RST ＃ ）
在RST ＃引脚提供了复位的硬件方法
设备读取阵列的数据。当RST ＃引脚保持低电平
对于至少吨
RP ，
任何正在进行的操作将终止，而
返回到读取模式（请参阅参考资料） 。如果没有内部编程/
擦除操作过程中， T的最短期限
RHR
后RST ＃ ，需要一个有效的读前被拉高
才能进行。参见图22和21的详细信息
化。
中断的擦除或编程操作必须重新ini-
该设备后tiated恢复正常工作模式
确保数据的完整性。
软件数据保护（ SDP ）
该SST36VF160xG设备实现JEDEC
批准的软件数据保护（ SDP ）方案为所有
数据更改操作，如编程和擦除。
这些设备附带的软件数据保护
化永久启用。见表6为特定软
洁具命令代码。
所有程序操作都需要列入的三
字节序列。这三个字节装入序列用于
启动编程操作，提供最佳的保护
防止意外写操作。 SDP擦除操作
的地方也是类似的程序，但一个6字节装入序列
所需的擦除操作。
在SDP命令序列，无效命令会
中止装置T内读模式
RC 。
的内容
DQ
15
-DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
的，但在任何为任何其他值，
SDP命令序列。
通用闪存接口（ CFI ）
这些设备包括通用闪存接口
描述的特征（ CFI ）信息
装置。为了进入CFI查询模式，系统
必须写一个3字节的序列，使用CFI查询
命令，以解决BKx555H中的最后一个字节序列。
该系统还可以使用与该一个字节的序列
解决BKx55H和数据总线98H进入该模式。
参见图18， CFI进入和读取时序图。
一旦设备进入CFI查询模式，系统
可以在表中给出的地址读出的CFI数据7
到9 。
该系统必须写入CFI退出命令返回到
读取CFI查询模式模式。
安全ID
该SST36VF160xG提供了一个136字的安全ID空间。
安全ID空间被分成两个部分 - 1
128位工厂编程，段和一个256字节，
用户程序段。第一段是亲
编程并锁定SST并包含一个128位的唯一
ID，它唯一地标识该设备。用户段是
左非编程根据需要进行编程的客户。
安全ID的用户段可以被编程
使用安全ID计划的命令。台站写操作结束的
土族是通过读取触发位进行检查。数据＃查询
不用于写操作结束的安全ID检测。
一旦编程完成后，通过锁定安全ID
发出用户安全ID计划锁定了命令。
锁定安全ID禁用此空间中的任何腐败行为。
注意：无论安全ID是否被锁定了，
安全ID的段不能被擦除。
安全ID空间可以通过执行一个三查询
与查询安全ID命令字节的命令序列
（ 88H ）地址555H在最后一个字节序列。参见图 -
茜20为时序图。要退出该模式，则退出安全ID
指令应该被执行。参考表6，用于更
详细信息。
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QQ：2880707522 复制
