16兆位（ X8 / X16 ）双组闪存记忆
SST36VF1601C / SST36VF1602C
SST36VF1601C / 1602C16Mb （ X8 / X16 ）双组闪存记忆
数据表
产品特点：
组织为1M X16或X8 2M
双银结构
- 16 Mbit的底部扇区保护
- SST36VF1601C ： 12兆位+ 4兆位
- 16 Mbit的顶部扇区保护
- SST36VF1602C ： 4兆位+ 12兆位
单2.7-3.6V的读取和写入操作
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：6 mA典型
- 待机电流： 4 μA典型
- 自动节能模式： 4 μA典型
硬件扇区保护/ WP ＃输入引脚
- 保护的4个行业的最外层（ 8K字）
在通过驱动WP ＃低的大银行，
取消保护通过驱动WP ＃高
硬件复位引脚（ RST ＃ ）
- 复位内部状态机读
数组数据
字节＃引脚
=选择8位或16位模式
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
芯片擦除功能
块擦除功能
- 统一32K字块
擦除暂停/擦除恢复功能
安全ID功能
- SST ： 128位
- 用户： 128位
快速读取访问时间
= 70纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和编程（典型值） ：
- 扇区擦除时间： 18毫秒
- 块擦除时间： 18毫秒
- 芯片擦除时间： 35毫秒
- 计划时间： 7微秒
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
=就绪/忙＃引脚
CMOS I / O兼容性
符合通用闪存接口（ CFI ）
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 无铅（无铅）封装提供
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST36VF1601C和SST36VF1602C是1M X16或
2M ×8 CMOS读/写闪存制造
与SST专有的高性能CMOS超
Flash技术。分裂栅单元设计和厚氧化
隧穿注入器可实现更高的可靠性和manufacturabil-
性与其他方法相比。该器件写
（编程或擦除）用2.73.6V的电源和反对
形成JEDEC标准引脚排列X8 / X16的回忆。
拥有高性能的计划，这些设备亲
韦迪为7微秒的典型编程时间，并使用切换
位，数据＃查询或RY / BY ＃检测完成
在编程或擦除操作。为了防止inad-
vertent写，该器件具有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计，制造，
并测试了广泛的应用，这些光谱
器件提供10,000保证续航能力
周期。数据保留的额定功率为100年以上。
这些器件适用于需要CON-应用
近便和计划经济的升级，组态
化或数据存储器。对于所有的系统应用程序，该
设备显著提高性能和可靠性，
同时降低功耗。因为对于任何给定
电压范围， SuperFlash技术使用更少的电流
租来编程，并且具有擦除时间更短，总
在任何擦除或编程操作所消耗的能量
低于其他闪存技术。这些设备
还可以提高灵活性，同时降低成本的方案，
数据和配置存储应用。
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
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超快闪技术提供固定的擦除和编程
倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其
擦除和编程累积次数的增加
擦除/编程周期。
为了满足高密度，表面贴装的要求，这些
器件采用48球TFBGA封装和48引脚TSOP
包。参见图5和图6引脚分配。
程序运行
这些设备被编程在字的字或
逐字节的基础视的字节＃状态
引脚。在编程之前，必须确保该扇区
正被编程的完全擦除。
程序操作完成三个步骤：
1.软件数据保护正在使用的开始
3字节装入序列。
2.地址和数据被加载。
在编程操作期间，地址是
锁存， CE＃或WE＃的下降沿，
为准过去。该数据被锁存的
任CE ＃或WE ＃上升沿为准
先发生。
3.后启动内部编程操作
第四WE ＃或CE ＃上升沿，而─
先出现。编程操作，一旦ini-
tiated ，将在7微秒通常完成。
参见图8和图9为WE ＃和CE＃控制程序
操作时序图，图23的流程图。
在编程操作期间，唯一有效的读操作
数据＃查询和翻转位。在内部编程
操作时，主机可以自由地执行其他任务。任何
内部程序运行过程中发出的命令
将被忽略。
设备操作
内存操作函数使用的是标准的发起
微处理器写入序列。一个命令写的是
WE＃置为低电平，同时保持CE ＃低。地址
公交车被锁在WE＃或CE ＃下降沿，而─
发生过去年。数据总线被锁存的上升沿
WE＃或CE＃ ，先到为准。
自动低功耗模式
这些器件还具有
自动低功耗
模式
这使他们在附近待机状态下不到500纳秒
数据后已经被访问同一个有效的读操作。
这降低了我
DD
读操作工作电流为4 μA典型。
当CE＃为低电平时，器件自动退出低功耗模式
所使用的任何地址变换或控制信号转换
启动另一个读周期中，没有获得一次罚球。
读操作
读操作通过CE＃和OE ＃控制;两
要低，以便系统从所述输出数据获取
放。 CE＃用于器件选择。当CE ＃为高电平，
该芯片被取消选中，只有待机功耗所配置
SUMED 。 OE＃为输出控制，用于栅极的数据
从输出引脚。数据总线处于高阻抗
状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。参考读
对于进一步的细节周期的时序图（图7） 。
以部门（块擦除）擦除操作
这些器件同时提供扇区擦除和块擦除
操作。这些操作允许系统来擦除
上一个扇区到扇区（或块逐块）为基础的设备。该
扇区结构是基于2的均匀的扇区大小
KWord的。在块擦除方式是基于均匀块
的32K字的大小。通过启动扇区擦除操作
执行一个6字节的命令序列，与以部门
在过去的擦除命令（ 30H）和扇区地址（SA）
总线周期。由execut-发起的块擦除操作
荷兰国际集团与块擦除的COM一个6字节的命令序列
命令（ 50H ）和块地址（ BA ）在最后一个总线周期。
扇区或块地址被锁存的下降沿
第六WE ＃脉冲，而命令（ 30H或50H ）是
锁定第6个WE ＃脉冲的上升沿。该间
第六WE ＃脉冲后最终擦除操作开始。任何
在扇区擦除或块擦除操作期间发出的命令
化被忽略，除非擦除暂停和使用擦除
简历。对于时序波形见图13和14 。
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芯片擦除操作
该器件提供了全片擦除操作，这使得
用户可以清除所有部门/块到“ 1 ”的状态。这是
有用的设备必须快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。所有的COM
全片擦除操作期间发出的要求主要
忽略不计。参见表5所示的指令序列，图
12为时序图，和图27的流程图。
当WP＃为低电平时，任何企图片擦除会
忽略不计。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是就绪/忙＃ （ RY /
BY ＃ ） ，数据＃投票（ DQ
7
） ，或翻转位（ DQ
6
）读得
是同时与写周期完成的。如果
发生这种情况时，系统可能会得到错误的结果，即
有效数据可能会与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。在
为了防止杂散抑制，如果错误的结果
发生时，软件程序应包括一个循环读取
所访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读操作是有效的，那么写周期已完成，其它 -
明智的拒绝是有效的。
就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）
该器件包含一个就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）输出显
宇空。 RY / BY ＃是漏极开路输出引脚，用于指示
擦除或编程操作是否正在进行。
由于RY / BY ＃是漏极开路输出，它允许多个
设备并行地连接到V
DD
通过一个外部上拉
电阻器。经过最后的WE ＃脉冲的上升沿
命令序列中， RY / BY ＃状态有效。
当RY / BY＃正在积极拉低时，表示一个
擦除或编程操作正在进行中。当RY / BY ＃
是高（就绪） ，该设备可以被读出或在待机
模式。
擦除暂停/擦除恢复运营
在擦除暂停操作暂时挂起
部门或块擦除操作从而使数据能够
从任何存储单元读取或程序数据到任何
行业/未暂停擦除操作块。
该操作通过发出一个字节的命令执行
序列擦除暂停命令（ B0H ） 。该
设备会自动进入阅读后在20微秒模式
在擦除暂停命令已发出。有效数据
可从没有停止任何部门或块被读
从擦除操作。读地址的位置
擦除悬浮部门内/块将输出DQ
2
瓶酒
岭大战和DQ
6
在“1” 。而在擦除暂停模式下，亲
允许除了扇区或块克操作
选择擦除暂停。要恢复扇区擦除或
这已经暂停块擦除操作，
系统必须发出擦除继续命令。该
操作通过发出一个字节的命令执行
序列在任何擦除继续命令（ 30H ）
解决该1字节的序列。
字节/字（ BYTE ＃ ）
该装置包括一个BYTE ＃引脚来控制是否
设备数据I / O引脚均x8或x16 。如果BYTE ＃引脚
在逻辑“1” （Ⅴ
IH
）该装置是在x16的数据结构：所有
数据I / 0引脚DQ
0
-DQ
15
是活动的，由CE＃控制
和OE ＃ 。
如果BYTE ＃引脚为逻辑“0”时，设备处于x8的数据CON-
成形：唯一的数据I / O引脚DQ
0
-DQ
7
活跃和反对
通过CE＃和OE ＃控制。引脚DQ剩余的数据
8
-
DQ
14
处于高阻，而引脚DQ
15
被用作地址
输入A
-1
用于地址总线的最低有效位。
写操作状态检测
这些器件提供了一个硬件和软件2
方法来检测完成的写（编程或
擦除）循环，以优化系统写周期
时间。硬件检测使用就绪/忙＃ （ RY /
BY＃ ）输出引脚。该软件的检测包括两个台站
状态位：数据＃查询（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。该
写操作结束后的上升检测模式被使能
边WE＃ ，启动内部编程或擦除
操作。
数据＃投票（ DQ
7
)
当设备处于内部程序运行过程中，
试图读取DQ
7
将产生的补
真正的数据。一旦程序操作完成后， DQ
7
将产生真正的数据。在内部擦除操作，任何
试图读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部
擦除操作完成时， DQ的
7
将产生一个'1'。该
之后的第4个WE ＃上升沿数据＃投票是有效的（或
CE＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，块，或
芯片擦除，数据＃查询后上升沿有效
第六WE ＃ （或CE ＃）脉冲。参见图10为数据＃ Poll-
ING （ DQ
7
）的时序图和图24为一个流程图。
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触发位（ DQ
6
和DQ
2
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
将产生交变'1'
和'0' ，即0. 1至切换当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位之后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃）脉冲的程序操作。对于扇区，
块擦除或全片擦除，翻转位（ DQ
6
）是后的有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。 DQ
6
将被设置为
“ 1 ” ，如果读操作试图对擦除可持
挂起的扇区/块。如果在开始编程操作
在没有选择的扇区/块擦除暂停模式时， DQ
6
将
切换。
另外一个触发位可在DQ
2
，它可以是
与DQ配合使用
6
检查是否一个特定的
部门正在积极擦除或擦除暂停。表1
显示详细的状态位信息。切换位（ DQ
2
)
为有效后，最后WE ＃ （或CE ＃ ）的上升沿脉冲
的一个写操作。图11给出了翻转位时序
图，图24为一个流程图。
表1 ：W
RITE
O
PERATION
S
TATUS
状态
正常
标准
操作计划
标准
抹去
使用擦除
暂停
模式
从阅读
抹去
暂停
扇区/块
从阅读
非擦除
暂停
扇区/块
节目
DQ
7
DQ7#
0
1
DQ
6
切换
切换
1
DQ
2
无切换
切换
切换
RY / BY ＃
0
0
1
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
硬件块保护
该器件提供硬件块保护其亲
便可使最外层8K字的大型银行。块
当WP ＃为低保护。参见图1 ，2，3 ，
和4块保护的位置。
用户可以通过驱动WP ＃高禁用块保护。
这允许数据被擦除或编程到亲
tected部门。 WP ＃之前，必须发出召开高
写命令，并保持稳定，直到整个后
写操作已经完成。
硬件复位（ RST ＃ ）
在RST ＃引脚提供了复位的硬件方法
设备读取阵列的数据。当RST ＃引脚保持低电平
对于至少吨
RP ，
任何正在进行的操作将终止，而
返回到读取模式（参见图20） 。如果没有内部
编程/擦除操作过程中，一个最小周期
的t
RHR
后RST ＃之前需要一个有效的驱动为高电平
阅读可以发生（参见图19） 。
已中断的擦除操作必须是
该设备后重新启动恢复正常运行
模式，以保证数据的完整性。
数据
数据
数据
1
DQ7#
切换
无切换
0
T1.2 1249
软件数据保护（ SDP ）
这些器件提供JEDEC标准软件数据
对于所有数据修改操作保障计划，也就是说，
编程和擦除。任何编程操作要求
包含一个3字节的序列。这三个字节装入
序列用于启动编程操作， provid-
荷兰国际集团防止意外写操作的最佳保护，
例如，在系统上电或断电。任何
擦除操作需要包含六个字节
序列。该设备附带的软件数据
保护永久启用。参见表5所示出特殊
cific软件命令代码。在SDP命令
序，无效命令会中止器件读取
在T模式
RC 。
DQ的内容
15
-DQ
8
可以是V
IL
or
V
IH ，
但任何SDP命令中没有其他价值
序列。
注意：
DQ
7,
DQ
6,
和DQ
2
阅读时需要一个有效的地址
状态信息。
数据保护
该器件同时提供硬件和软件功能
为了保护非易失性数据免受意外写操作。
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通用闪存接口（ CFI ）
这些器件还包含CFI信息
描述了器件的特性。为了
进入CFI查询模式，系统必须写入
3字节的序列，相同的软件ID进入的COM
用命令98H （ CFI查询命令）来解决555H在
最后一个字节序列。参见图16 CFI进入和
读取时序图。一旦设备进入CFI
查询模式下，系统可以读取在CFI的数据
至8系统必须在表6中给出的地址
写入CFI退出命令返回到读取模式
CFI查询模式。
产品标识
产品标识模式识别设备和
制造商。有关详细信息，请参阅表2软件操作
化，图15为软件ID进入和读取时序
图，图25为软件ID进入命令
程序流程图。地址一
19
AND A
18
指示
银行地址。当被寻址的行被切换到
产品识别模式下，也能够读取另一
从同一家银行解决，而不会发出新的软
洁具ID进入命令。
表2 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST36VF1601C
SST36VF1602C
注意：
BK =银行地址（A
19
-A
18
)
安全ID
该SST36VF160xC器件提供了256位的安全ID
空间。安全ID空间被分成两个128位的段
ments ，一个工厂编程段和一个用户
程序段。第一段被编程
并锁定在SST具有独特的128位数字。用户
段保留未编程，供客户亲
克根据需要。编程的用户段
安全ID，用户必须使用安全ID项目
命令。写操作结束的状态由读出的检查
触发位。数据＃投票不用于安全ID终了
写检测。一旦编程完成后，二段
标识应使用用户安全ID计划锁相被锁定
出。这将禁用该空间中的任何未来的腐败。记
无论安全ID是否被锁定了， NEI-
疗法二段ID段可以被擦除。安全ID空间
可以通过执行一个3字节的命令进行查询
序列查询安全ID命令（ 88H ）地址
555H中的最后一个字节序列。请参阅图18为计时
图。要退出该模式，则退出安全ID命令
应该被执行。请参考表5的更多细节。
数据
00BFH
734BH
734AH
T2.0 1249
BK0000H
BK0001H
BK0001H
产品标识模式
退出/ CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，将设备返回到读取模式。这
指令也可以被用来在设备复位到读
后因疏忽瞬态条件appar-模式
ently导致设备运行异常，如不读
正确。请注意，该软件ID退出/ CFI退出
内部编程或擦除命令时被忽略
操作。参见表5所示的软件指令代码，图 -
URE 17的时序波形和图26的流程图。
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
内存
地址
地址
缓冲器
（ 8K字扇区保护）
超快闪记忆
12兆位银行
BYTE ＃
RST ＃
CE＃
WP ＃
WE＃
OE ＃
RY / BY ＃
1249 B1.0
超快闪记忆
4兆位银行
控制
逻辑
I / O缓冲器
DQ
15
/A
-1
-
DQ
0
2006硅存储技术公司
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5
QQ：2880707522 复制
