16兆位并行的SuperFlash
SST36VF1601
SST36V160116Mb （ X16 ）并行的SuperFlash
数据表
产品特点：
组织为1M X16
双行架构并行
读/写操作
- 16 Mbit的底部扇区保护
- SST36VF1601 ： 12兆位+ 4兆位
单2.7-3.6V的读取和写入操作
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流： 25毫安
- 待机电流： 4 μA
硬件扇区保护/ WP ＃输入引脚
- 保护最外层的4扇区（ 4 KWord的）在
通过驱动WP ＃低，取消保护大型银行
通过驱动WP ＃高
硬件复位引脚（ RST ＃ ）
- 复位内部状态机读
数组数据
扇区擦除功能
- 统一1 KWord的行业
块擦除功能
- 统一32K字块
快速读取访问时间
= 70纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字编程（典型值） ：
- 扇区擦除时间： 18毫秒
- 块擦除时间： 18毫秒
- 芯片擦除时间： 70毫秒
- 字编程时间： 14微秒
- 芯片重写时间： 8秒
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
=就绪/忙＃引脚
CMOS I / O兼容性
符合通用闪存接口（ CFI ）
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TFBGA （8毫米X 10毫米）
产品说明
在SST36VF1601是1M x16的CMOS并行读/
写出来与SST专有的生产快闪记忆体，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
备用approaches.The SST36VF1601写（计划
或擦除）用2.73.6V电源。该
SST36VF1601器件符合JEDEC标准
引脚为X16的回忆。
具有高性能的字编程能力，
SST36VF1601器件提供了一个典型字编程
14微秒的时间。该器件使用翻转位或数据＃ Poll-
荷兰国际集团检测完成计划或擦除操作
化。为了防止意外写操作时，
SST36VF1601器件具有片上硬件和软件
数据保护方案。设计，制造，以及
测试了广泛的应用中，光谱
SST36VF1601器件提供了一个保证endur-
ANCE的10,000次。数据保留的额定功率为更大
超过100年。
在SST36VF1601适合于需要应用
程序便捷，经济的升级，组态
比，或数据存储器。对于所有的系统应用程序，该
SST36VF1601显著提高性能和可靠性
能力，同时降低功耗。该
SST36VF1601擦除过程中固有能耗更低
并计划比其他闪存技术。总
消耗的能量是所施加电压的函数，电流
租金和应用时间。因为对于任何给定的电压
范围， SuperFlash技术使用更少的电流亲
克，并且具有擦除时间更短，总的能源消
SUMED任何擦除或编程操作时小于
其他闪存技术。在SST36VF1601还
提高灵活性，同时降低成本的方案，
数据和配置存储应用。
2001硅存储技术公司
S71142-06-000 11/01
373
1
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
并行的SuperFlash和脑脊液均为Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
16兆位并行的SuperFlash
SST36VF1601
数据表
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST36VF1601提供48引脚TSOP和48球
TFBGA封装。参见图2和图3的引脚排列。
数据总线处于高阻抗状态时，无论
CE ＃或OE ＃为高电平。请参见读周期时序
图作进一步的详细信息（图4）。
字编程操作
在SST36VF1601被编程在字的字
的基础。在编程之前，必须确保该仲
器，其中正被编程的字存在，是
完全擦除。在编程操作包括三个
步骤。第一步是为三字节序列载荷
软件数据保护。第二步骤是要加载字
地址和文字数据。在字编程操作
化，该地址被锁存，下降沿或者
CE ＃或WE ＃ ，最后的为准。该数据被锁存
任CE ＃或WE ＃上升沿，以先到为准
第一。第三步是内部编程操作这
在第4个WE ＃或CE ＃上升沿开始，
以先到为准。编程操作，一旦initi-
ated ，将在10μs内完成典型。参见图5
和6 WE＃和CE ＃控制的编程操作时序
荷兰国际集团图和图19的流程图。在亲
克操作，唯一有效的读操作是数据＃投票和
触发位。在内部编程操作，主机
可以自由地执行其他任务。发出的任何命令
内部程序运行过程中被忽略。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
并行读/写操作
SST36VF1601设备的双重银行体系结构允许
并发读/写操作，由此，用户可以
从一个银行的同时读取编程或擦除在其他
银行。当用户需要该操作可以用
读取系统代码一家银行，同时更新数据
其他银行。
C
成为当前
R
EAD
/W
RITE
S
TATE
银行1
读
读
写
写
无操作
无操作
2银行
无操作
写
读
无操作
读
写
以部门（块擦除）擦除操作
在扇区（块擦除）擦除操作可以使系统
擦除一个扇区到扇区的装置（或块逐块）
的基础。在SST36VF1601同时提供扇区擦除和
块擦除模式。扇区结构是基于
均匀的扇区大小的1 KWord的。块擦除模式
基于对32K字的均匀的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列块擦除命令（ 50H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。见图10
11时序波形。期间发出的任何命令
在扇区擦除或块擦除操作将被忽略。
注意：
此表的目的，写入装置来执行块擦除，
以部门或芯片擦除或字编程操作的应用程序
电缆连接到相应的银行。
读操作
在SST36VF1601的读操作控制
通过CE＃和OE ＃ ，既要低，以便系统
获得的输出数据。 CE＃用于器件
选择。当CE ＃为高电平时，芯片被取消
只有待机功耗。 OE ＃是输出
放控制，并用于在输出引脚上栅极的数据。
芯片擦除操作
在SST36VF1601提供了全片擦除操作，
它允许用户删除所有未受保护的行业/
块设置为“ 1 ”的状态。这是有用的，当设备必须
快速擦除。
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16兆位并行的SuperFlash
SST36VF1601
数据表
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。看
表4为在命令序列，图9为定时dia-
克，和图22的流程图。任何命令
全片擦除操作期间发出的被忽略。
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或全片擦除，数据＃查询后有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图7为
数据＃投票（ DQ
7
）的时序图和图20为一
流程图。有一个1微秒总线恢复时间（T
BR
）要求
前有效的数据可被读出的数据总线上。新的COM
mands可以立即DQ后进入
7
变
真正的数据。
写操作状态检测
在SST36VF1601提供了一个硬件和两个软
器装置，用于检测在完成写的（节目
或擦除）循环中，为了优化系统写周期
时间。硬件检测使用就绪/忙＃ （ RY /
BY＃ ）输出引脚。软件检测包含两个状态
位：数据＃投票（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。该终了
写检测模式之后的上升沿使能
WE＃ ，启动内部编程或擦除操作
化。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是就绪/忙＃ （ RY /
BY ＃ ） ，数据＃投票（ DQ
7
）或翻转位（ DQ
6
）读得
是同时与写周期完成的。如果
发生这种情况时，系统可能得到一个错误的
结果，即有效数据可能会与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了防止杂散抑制，如果errone-
OU的结果时，软件程序应包括
循环读取访问单元2 （2）
次。如果两个读数是有效的，则该装置具有的COM
pleted写周期，否则拒绝是有效的。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。之后的上升沿触发位是有效的
第四WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于见第
tor- ，块或片擦除，翻转位之后是有效的
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图8
翻转位时序图和图20的流程图。
有一个1微秒总线恢复时间（T
BR
）之前，需要
有效的数据可被读出的数据总线上。新命令
可DQ后立即进入
6
不再切换。
数据保护
在SST36VF1601提供硬件和软件
功能，以防止非易失性数据免受意外写操作。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）
该SST36VF1601包括就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）
输出信号。 RY / BY ＃中的积极拉低，而
内部擦除或编程操作正在进行中。 RY / BY ＃
是一个开漏输出，允许多台设备是
绑在平行于V
DD
通过一个外部上拉电阻。 RY /
BY＃为高阻抗，每当CE＃为高电平或RST ＃为
低。有一个1微秒总线恢复时间（T
BR
）之前，需要
有效的数据可被读出的数据总线上。新命令
可以RY /后立即进入BY＃变高。
硬件块保护
在SST36VF1601提供了一个硬件块保护
用于保护最外层4 KWord的在较大的银行。
当WP ＃为低的块保护。见图1
对块保护的位置。
用户可以通过驱动WP ＃高禁用块保护
因此允许擦除或数据的程序进入保护
部门。 WP ＃之前，必须发出写高举
指挥和保持稳定，直到整个写入后
操作已完成。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST36VF1601是在内部程序操作
化，任何尝试读取DQ
7
将产生的补
的真实数据。一旦程序操作完成后，
DQ
7
将产生真正的数据。在内部擦除操作
化，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
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16兆位并行的SuperFlash
SST36VF1601
数据表
硬件复位（ RST ＃ ）
在RST ＃引脚提供了复位的硬件方法
设备读取阵列的数据。当RST ＃引脚保持低电平
对于至少吨
RP ，
任何正在进行的操作将终止，而
返回到读取模式（参见图16） 。如果没有内部
编程/擦除操作过程中，一个最小周期
的t
RHR
后RST ＃之前需要一个有效的驱动为高电平
阅读可以发生（参见图15） 。
已中断的擦除操作必须是
该设备后，重新开始恢复正常工作模式
以确保数据的完整性。
序列。一旦设备进入CFI查询模式，
该系统可以在给定的地址读出的CFI数据
表5至7系统必须写入CFI退出
命令返回到从CFI查询阅读模式
模式。
产品标识
产品标识模式标识该设备和
制造商。有关详细信息，请参阅表4为软件操作
化，图12为软件ID进入和读取时序
图，图21为软件ID进入命令
程序流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
字
制造商ID
器件ID
SST36VF1601
0001H
2761H
T1.1 373
软件数据保护（ SDP ）
在SST36VF1601提供JEDEC标准软
洁具的数据保护方案的所有数据修改操作
系统蒸发散，即编程和擦除。任何编程操作
需要包含三字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。在SST36VF1601是随
软件数据保护永久启用。请参阅表
4，用于在特定的软件命令代码。在SDP
命令序列，无效命令会中止
设备T内读取模式
RC 。
DQ的内容
15
-
DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
，但在任何SDP没有其他价值
命令序列。
数据
00BFH
0000H
产品标识模式
退出/ CFI模式退出
为了返回到标准读取模式下，软
洁具产品标识模式必须退出。出口是
通过发出软件ID退出命令完成
序列，将设备返回到读取模式。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/
一个内部计划中CFI退出命令被忽略
或擦除操作。请参阅表4的软件命令
代码，图14为时序波形和图21的
流程图。
通用闪存接口（ CFI ）
该SST36VF1601还包含CFI信息
描述了器件的特性。为了进入
CFI查询模式，系统必须写三个字节
顺序相同与98H软件ID进入命令
（ CFI查询命令），以解决5555H中的最后一个字节
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16兆位并行的SuperFlash
SST36VF1601 / SST36VF1602
超前信息
产品特点：
组织为1M X16
双银结构的并行
读/写操作
- 16 Mbit的底部扇区保护
- SST36VF1601 ： 12兆位+ 4兆位
- 16 Mbit的顶部扇区保护
- SST36VF1602 ： 4兆位+ 12兆位
单2.7-3.6V读写操作
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：25 mA（典型值）
- 待机电流： 4 μA （典型值）
- 自动节能模式： 4 μA （典型值）
硬件扇区保护/ WP ＃输入引脚
- 保护4外大部分行业（ 4 KWord的）在
通过驱动WP ＃低，取消保护大型银行
通过驱动WP ＃高
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 复位内部状态机读
数据数组
扇区擦除功能
- 统一1 KWord的行业
块擦除功能
- 统一32K字块
产品说明
在SST36VF1601 / 1602顷1M x16的CMOS并行
读/写与SST的亲生产闪存
专有的，高性能的CMOS超快闪技
术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道
喷油器实现更高的可靠性和可制造性的COM
相比与备用approaches.The SST36VF1601 /
1602年写（编程或擦除）与电源2.7-3.6V
供应量。在SST36VF1601 / 1602设备符合
JEDEC标准引脚为X16的回忆。
具有高性能的字编程能力，
SST36VF1601 / 1602器件提供了一个典型字亲
克时间14微秒的。该器件使用翻转位或数据＃
轮询检测完成编程或擦除的
操作。为了防止意外写操作时，
SST36VF1601 / 1602器件具有片上硬件和
软件数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用中，光谱
SST36VF1601 / 1602器件提供了瓜拉尼
开球10000次耐力。数据额定保存
在100年以上。
读取时间
- 70和90纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：8秒（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测结束写入的
- 触发位
- 数据＃投票
=就绪/忙＃引脚
CMOS I / O兼容性
符合通用闪存
接口（ CFI ）
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
可用的软件包
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TFBGA （8毫米X 10毫米）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
在SST36VF1601 / 1602顷适合应用
需要程序方便和经济的升级，
配置或数据存储器。对于所有系统应用
中，请在SST36VF1601 / 1602显著改善per-
性能和可靠性，同时降低电力消耗
化。在SST36VF1601 / 1602本身使用更少的能源
擦除和编程比其他闪存技时
吉斯。所消耗的总能量是一个函数
施加的电压，电流和应用的时间。由于对
任何给定的电压范围， SuperFlash技术
编程电流更低，且具有更短的擦除时间内，
在任何擦除或编程消耗的总能量
操作低于其他闪存技术。该
SST36VF1601 / 1602还提高了灵活性，同时小写
荷兰国际集团的成本为程序，数据和配置存储
应用程序。
SuperFlash技术提供固定的擦除和
程序倍，独立擦除的数目/
已发生的项目周期。因此，系
统软件或硬件没有被修改或
降额，这一点不同于其他闪存技
11
12
13
14
15
16
2000硅存储技术公司的SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ，Inc.的商标并行的SuperFlash是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
373-3 11/00
S71142
规格若有变更，恕不另行通知。
1
16兆位并行的SuperFlash
SST36VF1601 / SST36VF1602
超前信息
与吉斯，其擦除和编程时间增加
累积的擦除/编程周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST36VF1601 / 1602顷48引脚TSOP和提供48-
球TFBGA封装。参见图3和图4的引脚。
设备操作
命令用于启动存储器操作
该装置的功能。命令被写入到
器件采用标准的微处理器写序列。
命令是在保持写WE＃置低
CE＃低。地址总线被锁存，下降沿
的WE＃或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线是
锁存WE＃或CE ＃的上升沿，取
先发生。
在SST36VF1601 / 1602也有
自动低功耗
模式，使器件在附近待机模式后，
数据已经被浏览了有效的读操作。这
降低了我
DD
有效的读电流通常为4 μA 。该
器件退出自动低功耗模式与任何地址
变换或控制信号转换用于启动
另一种读周期，没有访问时间损失。
并行读/写操作
对SST36VF1601 / 1602装置的双行架构
允许并行读/写操作，从而在
用户可以从一个银行的同时读取编程或擦除的
其他银行。该操作时，可以使用该用户
需要读取系统代码在一家银行，同时更新
在其他银行的数据。
C
成为当前
R
EAD
/W
RITE
S
TATE
T
ABLE
银行1
读
读
写
写
无操作
无操作
2银行
无操作
写
读
无操作
读
写
在高阻抗状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。
请参考更多详细信息的读周期时序图
（图5） 。
字编程操作
在SST36VF1601 / 1602顷编程在字逐
字的基础。在编程操作包括三个步骤。
第一步是对软件的3字节装入序列
数据保护。第二步骤是要加载的字地址
和字数据。在字编程操作，
地址锁存，无论是CE＃下降沿或
WE＃ ，最后的为准。该数据被锁存的
上涨的CE＃或WE＃边沿，以先到为准。
第三步是在内部编程操作是
在第4个WE ＃或CE ＃上升沿开始，
以先到为准。编程操作，一旦initi-
ated ，将在10μs内完成。参见图6和7，用于
WE＃和CE ＃控制的编程操作时序dia-
克和图19的流程图。在计划
操作时，唯一有效的读操作是数据＃轮询和切换
位。在内部编程操作，主机是免费的
执行其他任务。期间发出的任何命令
内部编程操作都将被忽略。
以部门（块擦除）擦除操作
在扇区（块擦除）擦除操作可以使系统
擦除一个扇区到扇区的装置（或块逐块）
的基础。在SST36VF1601 / 1602提供两个扇区擦除
和块擦除模式。扇区结构是基于
均匀的扇区大小的1 KWord的。块擦除模式
基于对32K字的均匀的块大小。扇区擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列扇区擦除命令（ 30H ）和部门
地址（SA ）在最后一个总线周期。块擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列块擦除命令（ 50H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。见图11
12时序波形。期间发出的任何命令
在扇区擦除或块擦除操作将被忽略。
芯片擦除操作
在SST36VF1601 / 1602提供了全片擦除操作，
它允许用户删除所有未受保护的行业/
块设置为“ 1 ”的状态。这是有用的，当设备必须
快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
2
S71142
373-3 11/00
注意：对于该表的目的，写入装置，以块擦除，
以部门或芯片擦除，或字编程适用于
合适的银行。
读
在SST36VF1601的读操作/ 1602所配置
通过CE＃和OE ＃受控，都具有很低的系统
以获得从所述输出数据。 CE＃用于器件
选择。当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只
待机功耗。 OE＃为输出控制和
用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线是
2000硅存储技术公司
16兆位并行的SuperFlash
SST36VF1601 / SST36VF1602
超前信息
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。见表4
对于指令串，图10为时序图，
和图22的流程图。发出的任何命令
全片擦除操作过程中被忽略。
写操作状态检测
在SST36VF1601 / 1602提供了一个硬件和两个
软件方法来检测完成写的（亲
克或擦除）循环中，为了优化系统写
周期时间。在硬件已经检测使用的Ready / Busy ＃
（ RY / BY ＃ ）输出引脚。该软件的检测包括两个
状态位：数据＃查询（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。该
写操作结束后的上升边缘检测模式被使能
的WE＃ ，启动内部编程或擦除
操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是就绪/忙＃ （ RY /
BY ＃ ） ，数据＃投票（ DQ
7
）或翻转位（ DQ
6
）读得
是同时与写周期完成的。如果
发生这种情况时，系统可能得到一个错误的
结果，即有效数据可能会与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了防止杂散抑制，如果errone-
OU的结果时，软件程序应包括循环
以读取访问单元2 （2）倍。如果
两个读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）
在SST36VF1601 / 1602包含一个就绪/忙＃ （ RY /
BY＃ ）输出信号。在任何的SDP初始化操作，例如
擦除，编程， CFI或ID读操作， RY / BY ＃是
积极拉低，表明SDP控制操作
进行中。 RY / BY的＃的状态后，上升的有效
第四WE＃ （或CE ＃ ）脉冲程序操作的优势。
对于扇区，块或银行擦除后的RY / BY ＃是有效的
第六WE ＃或（ CE ＃ ）脉冲的上升沿。 RY / BY＃是一个
开漏输出，允许多台设备在被捆绑
平行于V
DD
通过一个外部上拉电阻。就绪/忙＃
处于高阻态时OE ＃或CE ＃为高电平或RST ＃
是低的。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST36VF1601 / 1602顷在内部编程
操作中，任何尝试读取DQ
7
将产生的完井
换货的真实数据。一旦程序操作
完成后， DQ
7
将产生真正的数据。该装置是再
准备下一次操作。在内部擦除操作，
任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部
擦除操作完成时， DQ的
7
将产生一个'1'。该
数据＃投票（ DQ
7)
之后是第四上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，数据＃投票（ DQ
7)
为有效后，
2000硅存储技术公司
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图8
关于数据＃查询（ DQ
7)
时序图和图20为一
流程图。
触发位（ DQ
6
和DQ
2
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1的
和0 ，即0。 1至切换当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备进行下一次
操作。切换位（ DQ
6
）是经过上升沿有效
第四WE ＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。为
以部门，块或片擦除，翻转位（ DQ
6
）是有效
经过6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。见图
9翻转位时序图和图21的流程图。
数据保护
在SST36VF1601 / 1602同时提供硬件和软件
洁具功能，以防止意外的非易失性数据
写道。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于
5纳秒不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃高
将禁止写操作。这样可以防止意外的
在上电或掉电写道。
硬件块保护
在SST36VF1601 / 1602提供了一个硬件模块保护
灰，用于保护最外层4 K字在较大
当WP ＃为低bank.The块保护。看
图1和图2为块保护位置。
用户可以通过驱动WP ＃高禁用块保护
因此允许擦除或数据的程序进入保护
部门。 WP ＃之前，必须发出写高举
指挥和保持稳定，直到整个写入后
操作已完成。
硬件复位（ RESET ＃ ）
当RESET ＃输入引脚保持低电平的时间至少为T.
RP
任何
正在进行中的操作将终止，并返回到读
模式。如果零件不旺， T的最短期限
RHR
is
后RESET＃所需的驱动为高电平前有效读取即可
成行。如果部件是忙，投票RY / BY ＃ ，数据＃投票，
或翻转位的确定时，该设备已准备就绪。
启动一个写操作过程中的复位（程序或
擦除），不推荐使用。数据可以是一个undeter-
开采状态。
S71142
373-3 11/00
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
3
16兆位并行的SuperFlash
SST36VF1601 / SST36VF1602
超前信息
软件数据保护（ SDP ）
在SST36VF1601 / 1602提供的JEDEC标准
对于所有数据修改软件数据保护方案
操作，即编程和擦除。任何程序操作
化需要包含三字节序列。
三个字节装入序列用于启动
编程操作，提供最佳的保护
意外的写操作，如系统中
上电或断电。任何擦除操作要求
列入6字节的序列。在SST36VF1601 /
1602顷附带的软件数据保护
永久启用。请参阅表4的具体软
洁具命令代码。在SDP命令序列，
无效命令会中止器件，使阅读模式
T内
RC
。 DQ的内容
15
-DQ
8
是“不在乎”
在任何SDP命令序列。
通用闪存接口（ CFI ）
在SST36VF1601 / 1602还包含CFI信息
灰来描述器件的特性。为了
进入CFI查询模式，系统必须写入
3字节的序列，相同软件ID进入的COM
用命令98H （ CFI查询命令）来解决555H
在最后一个字节序列。一旦设备进入CFI
查询模式下，系统可以读取在CFI的数据
到7所述的系统必须在表5中给出的地址
写入CFI退出命令返回到读取模式
CFI查询模式。
产品标识
产品标识模式识别设备
和制造商。有关详细信息，请参阅表4的软件
操作时，图13为软件ID进入和读取
对于软件ID进入时序图和图21
命令序列流程图。
T
ABLE
1: P
RODUCT
I
DENTIFICATION
字
制造商ID
设备ID SST36VF1601
设备ID SST36VF1602
0000 H
0001 H
0001 H
数据
00BF
2761 H
2762 H
373 PGM T1.0
产品标识模式退出/ CFI模式退出
为了返回到标准读模式，
软件产品标识模式必须退出。
退出通过发出软件ID退出完成
命令序列，它返回设备的
阅读模式。该命令还可以用于重置
设备的读取模式中的任何疏忽后瞬间
条件下，显然会导致器件工作
异常时，例如，不正确地读取。请注意，该
在一个软件ID退出/ CFI退出命令被忽略
内部编程或擦除操作。见表4
软件命令代码，图15为时序波形
图21为一个流程图。
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
内存
地址
地址
缓冲器
（ 4 KWord的扇区保护）
超快闪记忆
12兆位银行
RESET＃
CE＃
WP ＃
WE＃
OE ＃
RY / BY ＃
373 ILL B37.4
超快闪记忆
4兆位银行
控制
逻辑
I / O缓冲器
DQ15 - DQ0
2000硅存储技术公司
4
S71142
373-3 11/00
16兆位并行的SuperFlash
SST36VF1601 / SST36VF1602
超前信息
底部扇区保护; 32K字块; 1 KWord的行业
FFFFFH
F8000H
F7FFFH
F0000H
EFFFFh
E8000H
E7FFFH
E0000H
DFFFFH
D8000H
D7FFFH
D0000H
CFFFFh
C8000H
C7FFFH
C0000H
BFFFFH
B8000H
B7FFFH
B0000H
AFFFFh
A8000H
A7FFFH
A0000H
9FFFFH
98000H
97FFFH
90000H
8FFFFH
88000H
87FFFH
80000H
7FFFFH
78000H
77FFFH
70000H
6FFFFH
68000H
67FFFH
60000H
5FFFFH
58000H
57FFFH
50000H
4FFFFH
48000H
47FFFH
40000H
3FFFFH
38000H
37FFFH
30000H
2FFFFH
28000H
27FFFH
20000H
1FFFFH
18000H
17FFFH
10000H
00FFFFH
008000H
007FFFH
001000H
000FFFH
000000H
31座
BLOCK 30
29座
1
2
2银行
银行1
28座
27座
26座
25座
24座
23座
22座
21座
20座
19座
18座
17座
16座
15座
14座
13座
12座
11座
10座
9座
8座
7座
6座
5座
4座
3座
BLOCK 2
1座
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
4 KWord的扇区保护
（ 4-1 KWord的扇区）
块0
373 ILL F38.2
16
F
IGURE
1： SST36VF1601 ，1M
EGABIT X
16 C
成为当前
S
UPER
F
LASH
D
UAL
-B
ANK
M
埃默里
O
RGANIZATION
2000硅存储技术公司
5
S71142
373-3 11/00
QQ：2880707522 复制
