16兆位并行的SuperFlash + 2/4/8兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF1602C / SST34HF1622C / SST34HF1642C
SST34HF1642D / SST34HF1682D / SST34HF1622S / SST34HF1642S
SST34HF16x2x16Mb CSF + 2/4/8 Mb的SRAM （ X16 ） MCP ComboMemory
超前信息
产品特点：
闪光灯组织： 1M X16或X8 2M
双银结构的并行
读/写操作
- 16兆位： 4兆位+ 12兆位
（ P） SRAM组织：
- 2兆比特： 128K X16或X8 256K
- 4兆位： 256K X16或X8 512K
- 8兆比特： 512K X16或X8 1024K
单2.7-3.3V读写操作
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：25 mA（典型值）
- 待机电流： 20 μA （典型值）
硬件扇区保护（ WP ＃ ）
- 保护4外大部分行业（ 4 KWord的）在
通过举办WP ＃低，取消保护大型银行
通过举办WP ＃高
硬件复位引脚（ RST ＃ ）
- 复位内部状态机读
数据数组
字节选择为Flash （ CIOF针）
=选择8位或16位模式
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
块擦除功能
- 统一32K字块
读取时间
- 闪光： 70纳秒
- （ P） SRAM ： 70纳秒
擦除暂停/擦除恢复功能
安全ID功能
- SST ： 128位
- 用户： 128位
锁存地址和数据
快速擦除和可字/字节编程（典型值） ：
- 扇区擦除时间： 18毫秒
- 块擦除时间： 18毫秒
- 芯片擦除时间： 35毫秒
- 字编程时间： 7微秒
自动写时序
=内部
V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
=就绪/忙＃引脚
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准命令集
封装
- 56球LFBGA （8毫米X 10毫米）
- 62球LFBGA （8毫米X 10毫米）
产品说明
该SST34HF16x2C / D / S ComboMemory设备英特
篦无论是1M X16或X8 2M CMOS闪存库
与无论是128K X16 / X8 256K ， 256K X16 / 512 x8或512K
X16 / X8 1024K CMOS SRAM或伪SRAM （ PSRAM ）
在多芯片封装（ MCP）的存储器区块。这些
设备使用的是编造SST专有的，高性
曼斯CMOS超快闪技术的结合
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入到
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST34HF16x2C / D / S设备
是理想的应用，如蜂窝电话，全球定位系统
设备，PDA等便携式电子在一个设备
低功耗和小尺寸的系统。
该SST34HF16x2C / D / S配备了双闪存库
体系结构允许的并发操作
2闪速存储器区块和（P）的SRAM中。该器件
可以读取从任一银行，而擦除或编程数据
操作是在对岸进展。这两个闪光
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内存块被划分为4兆，12兆与
用于存储引导代码，程序顶部部门保护选项
代码，配置/参数数据和用户数据。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。该SST34HF16x2C / D / S设备提供
保证续航能力达10000次。数据保存
额定功率大于100年。高性能
字编程，闪速存储器组提供一个典型
字编程的7微秒的时间。整个闪存
银行可擦除和编程的字的字中的典
ically 4秒为SST34HF16x2C / D / S ，使用时
接口功能，如翻转位，数据＃查询或RY /
BY ＃指示完成程序操作。对
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ，Inc.的商标Intel是Intel Corporation的注册商标。
CSF和ComboMemory均为Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
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SST34HF1602C / SST34HF1622C / SST34HF1642C
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超前信息
保护
针对
对开关
FL灰
写，
该
SST34HF16x2C / D / S器件包含片上硬件
和软件数据保护方案。
闪光灯和（P）的SRAM操作为两个独立的MEM-
ORY银行与各银行的使能信号。该MEM-
储器组选择由两个银行的使能信号完成的。该
（ P） SRAM银行的使能信号， BES1 ＃和BES2 ，选择
在（ P） SRAM银行（ BES1 ＃和BES2是NC的
SST34HF1602C ） 。闪速存储器组使能信号，
BEF ＃ ，必须与软件数据保护（ SDP）的使用
控制擦除和亲时，命令序列
克操作在闪速存储器区块。内存
银行被叠加在相同的存储器地址
空间，它们共享公共地址线，数据线，
WE＃和OE ＃这将功耗降至最低，并
区。
设计，制造和测试应用程序的要求还
荷兰国际集团的低功耗和小尺寸，将SST34HF16x2C /
D / S提供在商业和扩展温度
及其良好的小尺寸封装，以满足电路板空间
约束要求。参见图3和4，用于针
分配。
并行读/写操作
的SST34HF16x2C / D / S设备双行架构
允许并行读/写操作，从而在
用户可以从一个银行的同时读取编程或eras-
荷兰国际集团在其他银行。该操作时，可以使用的
用户需要读取系统代码的同时updat-一家银行
在其他银行荷兰国际集团的数据。请参阅图1和图2为双
银行的存储器组织。
C
成为当前
R
EAD
/W
RITE
S
大老
FL灰
银行1
读
写
写
无操作
写
无操作
2银行
写
读
无操作
写
无操作
写
（ P） SRAM
无操作
无操作
读
读
写
写
注意：
此表的目的，写入装置，以块擦除，扇区，
或芯片擦除，或可字/字节编程适用于
合适的银行。
设备操作
该SST34HF16x2C / D / S采用BES1 ＃ ， BES2和BEF ＃
成控制闪光灯或（P）的SRAM操作
记忆库。当BEF ＃为低电平时，闪光灯银行被激
氧基团的读取，编程或擦除操作。当BES1 ＃
低，并且BES2是高的（P）的SRAM被用于读取激活
和写操作。 BEF ＃和BES1 ＃不能在低
电平，并且BES2不能处于高电平的同时。
If
所有银行的使能信号有效，总线争用
会导致与该设备可能遭受永久性损坏
年龄。
所有地址，数据和控制线通过快速共享
和（ P） SRAM存储器银行最大限度地减少功率变
消费和加载。该器件进入待机状态时，
BEF ＃和BES1 ＃银行使被提高到V
IHC
（逻辑
高），或者当BEF ＃为高电平并且BES2低。
Flash读操作
在SST34HF16x2C / D转换器的读操作/ S所配置
通过BEF ＃和OE ＃受控，两者都要低的系
统，以获得从所述输出数据。 BEF ＃被用于
设备选择。当BEF ＃是高电平时，芯片是dese-
lected只有待机功耗。 OE ＃是
输出控制，用于从所述门控输出引脚的数据。
数据总线处于高阻状态时，无论BEF ＃
或OE ＃为高电平。是指在读周期时序图
进一步的细节（图8） 。
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闪存可字/字节编程操作
这些设备被编程在字的字或
逐字节的基础取决于CIOF引脚的状态。
在编程之前，必须确保该扇区
正被编程的完全擦除。
程序操作完成三个步骤：
1.软件数据保护正在使用的开始
3字节装入序列。
2.字地址和字数据被加载。
在字编程操作，
地址被锁存，下降沿或者
BEF ＃或WE ＃ ，最后的为准。该数据是
锁存的任BEF ＃或WE ＃的上升沿，
以先到为准。
3.后启动内部编程操作
第四WE＃上升沿或BEF ＃ ，而─
先出现。编程操作，一旦ini-
tiated ，将在7微秒通常完成。
参见图9和图10为WE ＃和BEF ＃控制的亲
克操作时序图，图22为液流 -
图表。在编程操作期间，仅有的有效读
是数据＃查询和翻转位。在内部亲
克操作，主机可以自由地执行其他任务。
内部程序期间发出的任何命令操作
化被忽略。
FLASH芯片擦除操作
该SST34HF16x2C / D / S提供了全片擦除操作，
它允许用户删除所有部门/块到“ 1 ”
状态。此时，该设备必须很快是有用
删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
BEF ＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。看
表7用于命令序列，图13为定时
图，图26为流程图。任何命令
全片擦除操作期间发出的被忽略。当
WP＃为低时，任何企图片擦除将被忽略。
闪存擦除暂停/ -resume操作
在擦除暂停操作暂时挂起
部门或块擦除操作从而使数据能够
从任何存储单元读取或程序数据到任何
行业/未暂停擦除操作块。
该操作通过发出一个字节的命令执行
序列擦除暂停命令（ B0H ） 。该
设备会自动进入阅读后在20微秒模式
在擦除暂停命令已发出。有效数据
可从没有停止任何部门或块被读
从擦除操作。读地址的位置
擦除悬浮部门内/块将输出DQ
2
瓶酒
岭大战和DQ
6
在“1” 。而在擦除暂停模式下，
允许除可字/字节编程操作
扇区或块中选择擦除暂停。要恢复
扇区擦除或块擦除操作已被
暂停时，系统必须发出擦除恢复
命令。该操作通过发出一个字节的执行
与擦除恢复命令命令序列（ 30H ）
在一个字节序列的任何地址。
闪存以部门（块擦除）擦除操作
这些器件同时提供扇区擦除和块擦除
操作。这些操作允许系统来擦除
上一个扇区到扇区（或块逐块）为基础的设备。
扇区结构是基于均匀扇区大小
2K字。在块擦除方式是基于均匀
的32K字块大小。扇区擦除操作initi-
通过执行一个6字节的命令序列，以ated
扇区擦除命令（ 30H）和扇区地址（SA）中
最后一个总线周期。由开始的块擦除操作
执行与块擦除一个6字节的命令序列
命令（ 50H ）和块地址（ BA ）的末班车
周期。扇区或块地址被锁存在下降
边缘的6个WE＃脉冲，而命令（ 30H或
50H ）被锁定在6个WE＃脉冲的上升沿。
内部擦除操作开始后的第6个WE ＃
脉搏。该块擦除或以部门在发出的任何命令
擦除操作将被忽略，除非擦除暂停和
擦除恢复。参见图14和图15的时序波形
形式。
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Flash写操作状态检测
该SST34HF16x2C / D / S提供了一个硬件和两个
软件方法来检测完成写的（亲
克或擦除）循环中，为了优化系统
写周期时间。硬件检测使用
就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）引脚。该软件检测
包含两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
）和切换
位（ DQ
6
） 。写操作结束检测模式已启用
后的WE ＃的上升沿，从而启动了内部
编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是就绪/忙＃ （ RY /
BY ＃ ） ，数据＃投票（ DQ
7
）或翻转位（ DQ
6
）读取可能
同时在写周期完成的。如果这
发生时，该系统可能得到一个错误的结果，
即有效数据可能会与DQ发生冲突
7
or
DQ
6
。为了防止杂散抑制，如果错误
结果时，软件程序应包括循环
读出的访问单元2 （2）倍。如果
两个读数都是有效的，则该设备已完成
写周期，否则拒绝是有效的。
闪存数据＃投票（ DQ
7
)
当设备处于内部程序运行过程中，
试图读取DQ
7
将产生的补
真正的数据。一旦程序操作完成后， DQ
7
将产生真正的数据。在内部擦除操作，任何
试图读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部
擦除操作完成时， DQ的
7
将产生一个'1'。该
之后的第4个WE ＃上升沿数据＃投票是有效的（或
BEF ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，块，或
芯片擦除，数据＃查询后上升沿有效
第六WE ＃ （或BEF ＃）脉冲。图11给出了数据＃ Poll-
ING （ DQ
7
）的时序图和图23为一个流程图。
触发位（ DQ
6
和DQ
2
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
将产生交变'1'
和'0' ，即0. 1至切换当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位之后的第四个上升沿有效
WE＃ （或BEF ＃）脉冲的程序操作。对于扇区，
块擦除或全片擦除，翻转位（ DQ
6
）是后的有效
第六WE ＃ （或BEF ＃ ）脉冲的上升沿。 DQ
6
将被设置为
“ 1 ” ，如果读操作试图对擦除可持
挂起的扇区/块。如果在开始编程操作
在没有选择的扇区/块擦除暂停模式时， DQ
6
将
切换。
另外一个触发位可在DQ
2
，它可以是
与DQ配合使用
6
检查是否一个特定的
部门正在积极擦除或擦除暂停。表1
显示详细的状态位信息。切换位（ DQ
2
)
为有效后，最后WE＃上升沿（或BEF ＃ ）
脉冲写入操作。参见图12翻转位时序
荷兰国际集团图，图23为一个流程图。
表1 ：W
RITE
O
PERATION
S
TATUS
状态
正常
手术
标准
节目
标准
抹去
使用擦除
暂停
模式
从阅读
抹去
暂停
扇区/块
从阅读
非擦除
暂停
扇区/块
节目
DQ
7
DQ7#
0
1
DQ
6
切换
切换
1
DQ
2
无切换
切换
切换
RY / BY ＃
0
0
1
就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）
该SST34HF16x2C / D / S包括就绪/忙＃ （ RY /
BY＃ ）输出信号。 RY / BY ＃是漏极开路输出引脚
表示擦除或编程操作是否
进展情况。由于RY / BY ＃是漏极开路输出，它允许
几个设备并行地连接到V
DD
通过外部
上拉电阻。之后的最终WE＃脉冲的上升沿
在命令序列中， RY / BY ＃状态有效。
当RY / BY＃正在积极拉低时，表示一个
擦除或编程操作正在进行中。当RY / BY ＃
是高（就绪） ，该设备可以被读出或在待机
模式。
字节/字（ CIOF ）
该装置包括一个CIOF销，用于控制是否将
设备数据I / O引脚均x8或x16 。如果CIOF销是在
逻辑“1” （Ⅴ
IH
）该装置是在x16的数据结构：所有
数据I / 0引脚DQ
0
-DQ
15
活跃和BEF ＃控制
和OE ＃ 。
如果CIOF销是在逻辑“ 0”时，该装置是在x8的数据config-
uration ：唯一的数据I / O引脚DQ
0
-DQ
7
活跃和反对
通过BEF ＃和OE ＃控制。引脚DQ剩余的数据
8
-
DQ
14
处于高阻，而引脚DQ
15
被用作地址
输入A
-1
用于地址总线的最低有效位。
数据
数据
数据
1
DQ7#
切换
不适用
0
T1.0 1256
注意：
DQ
7,
DQ
6,
和DQ
2
阅读时需要一个有效的地址
状态信息。
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数据保护
该SST34HF16x2C / D / S同时提供硬件和软件
洁具功能，以防止意外的非易失性数据
写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST34HF16x2C / D / S提供的JEDEC标准
对于所有数据修改软件数据保护方案
操作，即编程和擦除。任何程序操作
化需要包含三字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节的序列。该SST34HF16x2C / D / S发货
与软件数据保护永久启用。
请参阅表7为特定的软件命令代码。能很好地协同
荷兰国际集团SDP命令序列，无效命令会中止
该器件T内阅读模式
RC 。
DQ的内容
15
-
DQ
8
是“不关心”的任何SDP命令时
序列。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃小于或BEF ＃脉
5纳秒不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， BEF ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
硬件块保护
该SST34HF16x2C / D / S提供了一个硬件模块保护
化以保护最外层的8K字在银行1
当WP ＃为低块保护。见图1
和2块保护的位置。
用户可以通过驱动WP ＃高禁用块保护
因此允许擦除或数据的程序进入保护
部门。 WP ＃之前，必须发出写高举
指挥和保持稳定，直到整个写入后
操作已完成。
安全ID
该SST34HF16x2C / D / S设备提供了256位保安
ID空间。安全ID空间被分成两个128位
段，一个工厂编程段和一个
用户程序段。第一段是亲
编程并锁定SST具有独特的128位编号
误码率。用户段保留未编程的
如所希望的顾客进行编程。要设置用户段
安全ID的换货，用户必须使用安全ID
字编程命令。写操作结束的状态检查
通过读取触发位。数据＃查询不用于
安全ID写操作结束检测。一旦编程
完成后，安全ID应该使用用户见第上锁
ID-程序锁手续。这样就禁止了任何未来的腐败
这个空间。请注意，无论是与否
沲ID被锁定，既不二段ID段可以被擦除。
安全ID空间可以通过执行一个三查询
使用Query -SEC - ID命令字节的命令序列
（ 88H ）地址5555H中的最后一个字节序列。要退出
这种模式下，退出- Sec非ID命令应该被执行。
请参考表7的更多细节。
硬件复位（ RST ＃ ）
在RST ＃引脚提供了复位的硬件方法
设备读取阵列的数据。当RST ＃引脚保持低电平
对于至少吨
RP ，
任何正在进行的操作将终止，而
返回到读取模式（参见图19） 。如果没有内部
编程/擦除操作过程中，一个最小周期
的t
RHR
后RST ＃之前需要一个有效的驱动为高电平
阅读可以发生（参见图18） 。
已中断的擦除操作必须是
该设备后，重新开始恢复正常工作模式
以确保数据的完整性。参见图18和图19为计时
图。
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