多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF202 / SST32HF402 / SST32HF802
SST32HF202 / 402 / 8022Mb闪存+的2Mb SRAM ， 4Mb的闪存+的2Mb SRAM ， 8MB闪存+的2Mb SRAM
（ X16 ） MCP ComboMemory
数据表
产品特点：
MPF + SRAM ComboMemory
- SST32HF202 ： 128K X16闪存+ 128K x16的SRAM
- SST32HF402 ： 256K X16闪存+ 128K x16的SRAM
- SST32HF802 ： 512K X16闪存+ 128K x16的SRAM
单2.7-3.3V读写操作
并发操作
- 读取或写入SRAM时
擦除/编程闪存
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：15 mA（典型值）的
Flash或SRAM读
- 待机电流： 20 μA （典型值）
灵活的擦除能力
- 统一2K字扇区
- 统一32K字块大小
快速读取访问时间：
- 闪光： 70纳秒
- SRAM ： 70纳秒
锁存地址和数据的闪存
闪存快速擦除和字编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
SST32HF202 ：2秒（典型值）
SST32HF402 ：4秒（典型值）
SST32HF802 ：8秒（典型值）
闪光灯自动擦除和编程定时
- 内部V
PP
GENERATION
Flash检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准命令集
符合闪存的引脚
封装
- 48球LFBGA （ 6× 8毫米）
- 48球LBGA （10毫米x 12毫米）
（ SST32HF802只）
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST32HF202 / 802分之402 ComboMemory设备英特
篦128K X16 ， X16 256K ， 512K x16的CMOS闪存存储器
在一个一个128K x16的CMOS SRAM存储体储器库
多芯片封装（ MCP ） ，与SST的亲制造
专有的，高性能的超快闪技术。
拥有高性能的字编程，闪光
记忆银行提供的最大字编程时间
14微秒。整个闪存银行可擦除和
编程的字的字中通常为2秒
SST32HF202 4秒钟的SST32HF402和8仲
哔声的SST32HF802 ，使用界面功能时，
如翻转位或数据＃投票指示完井
程序化操作。为了防止意外
闪存的写入，将SST32HF202 /八百〇二分之四百〇二器件包含导通
片上硬件和软件数据保护方案。该
SST32HF202 / 802分之402设备提供了保证endur-
ANCE的10,000次。数据保留的额定功率为更大
超过100年。
该SST32HF202 / 802分之402装置由两个不知疲倦
与各银行下垂记忆库使显
良。闪存和SRAM存储器银行
叠加在相同的存储器地址空间。两
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存储器区块共享公共地址线，数据线，
WE＃和OE ＃ 。的存储体的选择是由进行
记忆库使能信号。 SRAM的银行能显
最终， BES ＃选择SRAM银行。闪速存储器
银行的使能信号， BEF ＃选择闪存银行。
WE＃信号必须与软件的数据保护使用
控制擦除时化（ SDP ）的命令序列
和编程操作在闪速存储器区块。该
SDP命令序列可保护存储在数据
从意外修改闪存的银行。
该SST32HF202 / 802分之402提供的附加功能
被能够同时读取或写入到
SRAM存储器而在快闪擦除或编程
记忆库。 SRAM的存储器区块可以被读取或
写闪存时，银行执行以部门
擦除，银行擦除，或字编程兼任。所有
闪存擦除和编程操作将automati-
美云锁存输入地址和数据信号，并完成
该操作在后台无需进一步输入激励
要求。一旦内部控制擦除或亲
克周期闪光灯银行已经开始，该SRAM
银行可访问的读取或写入。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金及ComboMemory均为Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF202 / SST32HF402 / SST32HF802
数据表
该SST32HF202 / 802分之402设备适合于应用
两者都使用的快闪存储器和SRAM存储器到系统蒸发散
存储代码或数据。对于需要低功耗系统和
小巧的外形，在SST32HF202 /八百〇二分之四百〇二设备显
icantly提高性能和可靠性，同时降低
功耗，当有多个芯片相比
的解决方案。该SST32HF202 / 802分之402天生少用
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
技术。所消耗的总能量是的函数
所施加的电压，施加电流和时间。自
对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术
使用编程电流更低，并具有擦除时间更短，
在任何擦除或编程所消耗的总能量
操作低于其他闪存技术。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其
擦除和编程累积次数的增加
擦除/编程周期。
SRAM读
该SST32HF202的SRAM读操作/ 802分之402是
通过OE ＃和＃ BES控制，既要低，
WE＃高的系统，以获得从所述输出数据。
BES ＃用于SRAM银行的选择。 OE＃为输出
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。该
数据总线处于高阻抗状态，当OE ＃为高电平。看
图3为读周期时序图。
SRAM写
该SST32HF202的SRAM写操作/八百〇二分之四百〇二是
由WE ＃和＃ BES控制，既要低的
系统写入到SRAM中。在字写能操作
ATION ，地址和数据引用到上升
任BES ＃或WE ＃边沿，以先到为准。该
写入时间是从最后的下降沿测量到的第一
的BES ＃或WE ＃上升沿。请参阅图4和图5为
写周期的时序图。
闪光操作
随着BEF ＃活动的， SST32HF202操作为128K X16
闪速存储器，所述SST32HF402操作为256K x16的
闪速存储器，并且SST32HF802操作为512K
x16的闪速存储器。闪速存储器区块，使用读
共用地址线，数据线， WE＃和OE＃ 。
擦除和编程操作都与启动
JEDEC标准的SDP命令序列。地址
数据中的SDP的命令和在被锁存
内部定时擦除和编程操作。
设备操作
该ComboMemory使用BES ＃和BEF ＃控制能操作
ATION无论是SRAM或闪存银行。当
BES ＃低， SRAM银行进行读取和激活
写操作。当BEF ＃为低时，闪光灯的银行被激
氧基团的读取，编程或擦除操作。 BES ＃和
BEF ＃不能在同一时间低的水平。
如果BES ＃和
BEF ＃都置为低电平总线争用会
导致与该设备可能遭受永久性损坏。
所有地址，数据和控制线由SRAM的共享
银行和银行闪光灯，最大限度地减少电力消耗
和装载。该器件进入待机状态时，这两个银行
使高。
Flash读
该SST32HF202的读操作/八百零二分之四百零二设备
由BEF ＃和OE ＃控制。既要低，以
WE＃高，为系统获得的输出数据。
BEF ＃用于闪存的银行选择。当
BEF ＃和BES ＃都很高，无论是银行和取消
只有待机功耗。 OE＃为输出CON-
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。数据
总线处于高阻抗状态，当OE ＃为高电平。请参阅
图6为进一步的细节。
SRAM操作
与BES ＃低， BEF ＃高， SST32HF202 /八百○二分之四百○二
操作为128K x16的CMOS SRAM ，具有完全静态操作
化，无需外部时钟或定时选通。该
SST32HF202 / 802分之402 SRAM被映射到所述第一128
KWord的地址空间。当BES ＃和BEF ＃高，
两个内存银行取消后，单片机进入
待机模式。读取和写入周期时间相等。该
控制信号瑞银＃和＃ LBS提供访问
上面的数据字节和低字节的数据。表3列出了SRAM
读写操作的数据字节控制模式。
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数据表
闪存擦除/编程操作
SDP的命令用于启动闪光存储器区块
在SST32HF202的编程和擦除操作/ 402 /
802. SDP的命令被加载到闪速存储器区块
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令是由WE＃置为低电平，同时保持BEF ＃装
低和OE ＃高。地址锁存在下降
WE＃或＃ BEF的边缘，无论最后发生。该数据是
锁存WE＃或BEF ＃的上升沿，取
先发生。
SST32HF202 ，A
17
-A
15
为SST32HF402 ，和A
18
-A
15
为
SST32HF802 ，用于确定该块的地址。
扇区或块地址被锁存的下降沿
第六WE ＃脉冲，而命令（ 30H或50H ）是
锁定第6个WE ＃脉冲的上升沿。该
第六WE ＃脉冲后内部擦除操作开始。
期终止擦除操作可通过确定
无论是数据＃查询或翻转位的方法。见图12
13时序波形。期间发出的任何命令
在扇区擦除或块擦除操作将被忽略。
闪字编程操作
在SST32HF202的/ 802分之402的闪存库
器件编程在一个字的字的基础。前
程序操作，内存必须首先擦除。该
编程操作包括三个步骤。
第一步是对软件的3字节装入序列
数据保护。第二步骤是要加载的字地址
和字数据。在字编程操作，
地址锁存任BEF ＃的下降沿或
WE＃ ，最后的为准。该数据被锁存的利培
荷兰国际集团的任何BEF ＃或WE ＃边沿，以先到为准。该
第三步是启动内部编程操作
在第4个WE＃或BEF ＃ ，上升沿为准
先发生。
编程操作，一旦启动，将完成，
在20微秒。参见图7和图8为WE ＃和BEF ＃ CON-
受控程序操作时序图，图18
流程图。在编程操作期间，唯一有效的
Flash读操作是数据＃查询和翻转位。
在内部编程操作，主机可以自由地
执行其他任务。任何SDP命令加载能很好地协同
荷兰国际集团的内部编程操作将被忽略。
FLASH芯片擦除操作
该SST32HF202 / 802分之402提供了全片擦除操作
化，从而允许用户将擦除整个存储器
阵列到“1”状态。这是很有用的整个装置时
必须尽快清除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列中，图10为时序图，
和图21的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
写操作状态检测
该SST32HF202 / 802分之402提供两种软件方法来
检测完成后写（编程或擦除）周期，
为了优化系统写周期时间。该软
洁具的检测包括两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式之后的WE ＃的上升沿，这ini-启用
tiates内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6.
为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
Flash扇区/块擦除操作
闪存扇区/块擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST32HF202 / 802分之402报价既具有部门
擦除和块擦除模式。部门架构
基于对2K字均匀扇区大小。块擦除
模式是基于32K字的均一的块大小。该
通过执行一个6字节的启动扇区擦除操作
与扇区擦除命令的命令序列（ 30H ）
和扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。
地址线A
16
-A
11,
对于SST32HF202 ，A
17
-A
11,
为
SST32HF402 ，和A
18
-A
11,
对于SST32HF802 ，用于
确定扇区地址。块擦除操作
通过执行一个6字节的命令序列启动
在块擦除命令（ 50H ）和块地址（ BA ）
最后一个总线周期。地址线A
16
-A
15
为
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数据表
闪存数据＃投票（ DQ
7
)
当SST32HF202 /八百〇二分之四百〇二闪存银行
在内部编程操作，任何尝试读取DQ
7
将产生的真实数据的补码。一旦
程序操作完成后， DQ
7
会产生真正的
数据。请注意，即使DQ
7
可有有效数据
立即完成内部写以下
操作时，剩余的数据输出仍然可能是无效的：
整个数据总线上的有效数据将出现在后续的
连续读周期， 1微秒的时间间隔后。中
内部擦除操作，任何尝试读取DQ
7
将亲
达斯一个'0'。一旦内部擦除操作完成时，
DQ
7
将产生一个'1'。该数据＃查询后有效
上涨的4个WE ＃边沿（或BEF ＃ ）脉冲计划
操作。对于扇区擦除或块擦除，数据＃查询
后6个WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲的上升沿有效。
参见图9为数据＃查询时序图和图
19为一个流程图。
闪存软件数据保护（ SDP ）
该SST32HF202 / 802分之402提供了JEDEC核准
所有闪存库软件的数据保护方案
数据修改操作，即编程和擦除。任何
程序运行需要包含一系列的
三字节序列。这三个字节装入序列
用于启动编程操作，提供最佳
保护防止意外写操作，例如，在
在系统上电或断电。任何擦除操作
需要包含六个字节装入序列。该
SST32HF202 / 802分之402设备附带的软
洁具数据保护永久启用。见表4
具体的软件命令代码。在SDP的COM
命令序列，无效的SDP命令将中止
设备所读取的模式，内读周期时间（T
RC
).
并发的读写操作
该SST32HF202 / 802分之402提供的独特的好处
能够读取或写入SRAM，而simulta-
neously擦除或编程的Flash 。这使得
数据修改代码可以从SRAM中执行，而替代方案
荷兰国际集团在Flash中的数据。下表列出了所有有效的状态。
C
成为当前
R
EAD
/W
RITE
S
TATE
T
ABLE
FL灰
编程/擦除
编程/擦除
SRAM
读
写
闪光触发位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
将产生交变'1'
和'0' ，即0. 1至切换当内部
编程或擦除操作完成后，触发将
停止。闪速存储器区块然后准备进行下一次
操作。之后的上升沿触发位是有效的
第四WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲编程操作。为
部门或银行擦除，切换位后上涨有效
第六WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲的边缘。见图10
翻转位时序图和图19的流程图。
Flash存储器数据保护
该SST32HF202 / 802分之402闪存银行提供
硬件和软件功能来保护非易失
从意外写入数据。
该设备将忽略所有的SDP命令时擦除
或编程操作正在进行中。需要注意的是产品
识别命令使用SDP ;因此，这些的COM
指令都会还可以同时擦除或编程忽视
操作正在进行中。
闪存硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃小于或BEF ＃脉
5纳秒不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， BEF ＃高或WE＃
高会抑制Flash写操作。这可以防止
在上电或断电的意外写操作。
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多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF202 / SST32HF402 / SST32HF802
数据表
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST32HF202 / 802分之402和制造商为SST。
这
模式可以仅由软件操作来访问。
硬件设备ID读操作，这是典型
用程序员美云，不能在此使用
因为闪存之间的共享线路的设备
的SRAM中的多芯片封装。因此，应用程序
高压重刑引脚上的
9
可能会损坏该设备。
用户可以使用该软件产品标识操作
化时，使用来识别部分（即，使用设备ID ）
多个制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅
表3和4对软件的操作，图14为
软件ID进入和读取时序图，图20
为ID输入命令序列流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST32HF202
SST32HF402
SST32HF802
0001H
0001H
0001H
2789H
2780H
2781H
T1.2 1209
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。退出是
通过发出退出ID命令序列来完成，
返回该设备的读操作。请
注意，软件复位命令是在一个被忽略
内部编程或擦除操作。参见表4软
洁具命令代码，图15为时序波形和
图20为一个流程图。
设计注意事项
SST建议采用高频0.1 μF的陶瓷capac-
itor被放置在尽可能靠近V之间
DD
和
V
SS
例如，小于1厘米的距离从V
DD
的销
装置。此外，低频4.7 μF的电解
从V电容器
DD
到V
SS
应放置在1cm以内的
在V
DD
引脚。
数据
00BFH
0000H
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
地址缓冲器
SRAM
AMS-A0
瑞银（UBS） ＃
LBS ＃
BES ＃
BEF ＃
OE ＃
WE＃
控制逻辑
I / O缓冲器
DQ15 - DQ8
DQ7 - DQ0
地址缓冲器
&门锁
超快闪
内存
1209 B1.0
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多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF802 / SST32HF162 / SST32HF164
SST32HF802 / 162 / 164MPF （ X16 ） + 1Mb的SRAM （ X16 ） ComboMemories
数据表
产品特点：
MPF + SRAM ComboMemory
- SST32HF802 ： 512K X16闪存+ 128K x16的SRAM
- SST32HF162 ： 1M X16闪存+ 128K x16的SRAM
- SST32HF164 ： 1M X16闪存+ 256K x16的SRAM
单2.7-3.3V读写操作
并发操作
- 读取或写入SRAM时
擦除/编程闪存
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：15 mA（典型值）的
Flash或SRAM读
- 待机电流： 20 μA （典型值）
灵活的擦除能力
- 统一2K字扇区
- 统一32K字块大小
快速读取访问时间：
- 闪光： 70纳秒和90纳秒
- SRAM ： 70纳秒至90纳秒
锁存地址和数据的闪存
闪存快速擦除和字编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
SST32HF802 ：8秒（典型值）
SST32HF162 / 164 ：15秒（典型值）
闪光灯自动擦除和编程定时
- 内部V
PP
GENERATION
Flash检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准命令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TBGA （10毫米x 12毫米）
- 48球LFBGA （ 6× 8毫米）
产品说明
该SST32HF802 / 164分之162 ComboMemory设备英特
篦512K X16或X16的100万CMOS闪存库
用128K X16或X16 256K CMOS SRAM存储器组
在一个多芯片封装（ MCP ） ，制造与SST的
专有的高性能超快闪技术。
拥有高性能的字编程，闪光
记忆银行提供的最大字编程时间
14微秒。整个闪存银行可擦除和
编程的字的字中通常为8秒钟，以使
SST32HF802和15秒钟后SST32HF162 / 164 ，
使用界面功能，如翻转位或数据＃当
投票指示完成程序操作。对
防止意外闪存写入时， SST32HF802 /
一百六十四分之一百六十二器件包含片上硬件和软件
数据保护schemes.The SST32HF802 /一百六十四分之一百六十二
器件提供10,000个周期的保证续航能力。
数据保留的额定功率为100年以上。
该SST32HF802 / 164分之162装置由两个不知疲倦
与各银行下垂记忆库使显
良。闪存和SRAM存储器银行
叠加在相同的存储器地址空间。两
存储器区块共享公共地址线，数据线，
WE＃和OE ＃ 。的存储体的选择是由进行
记忆库使能信号。 SRAM的银行能显
最终， BES ＃选择SRAM银行。闪速存储器
2001硅存储技术公司
S71171-04-000 7/01
520
1
银行的使能信号， BEF ＃选择闪存银行。
WE＃信号必须与软件的数据保护使用
控制擦除时化（ SDP ）的命令序列
和编程操作在闪速存储器区块。该
SDP命令序列可保护存储在数据
从意外修改闪存的银行。
该SST32HF802 / 164分之162提供的附加功能
被能够同时读取或写入到
SRAM存储器而在快闪擦除或编程
记忆库。 SRAM的存储器区块可以被读取或
写闪存时，银行执行以部门
擦除，银行擦除，或字编程兼任。所有
闪存擦除和编程操作将automati-
美云锁存输入地址和数据信号，并完成
该操作在后台无需进一步输入激励
要求。一旦内部控制擦除或亲
克周期闪光灯银行已经开始，该SRAM
银行可访问的读取或写入。
该SST32HF802 / 164分之162设备适合于应用
两者都使用的快闪存储器和SRAM存储器到系统蒸发散
存储代码或数据。对于需要低功耗系统和
小巧的外形，在SST32HF802 / 164分之162设备显
icantly提高性能和可靠性，同时降低
功耗，当有多个芯片相比
的解决方案。该SST32HF802 / 164分之162天生少用
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金及ComboMemory均为Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF802 / SST32HF162 / SST32HF164
数据表
技术。所消耗的总能量是的函数
所施加的电压，施加电流和时间。自
对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术
使用编程电流更低，并具有擦除时间更短，
在任何擦除或编程所消耗的总能量
操作低于其他闪存技术。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
SRAM写
在SST32HF802的/ SRAM的写操作一百六十四分之一百六十二
由WE＃和BES ＃为低的控制系统
要写入到SRAM中。在字写操作，
的地址和数据被引用到的上升沿
的WE＃或BES ＃ ，其中先出现。写入时间
从最后一个下降沿检测到的上升沿
WE＃或BES ＃ 。指的是写周期的时序图，
图5和图6中，对于进一步的细节。
闪光操作
随着BEF ＃活动的， SST32HF162 / 164操作为1M
x16的闪速存储器和SST32HF802操作为512K
x16的闪速存储器。闪速存储器区块，使用读
共用地址线，数据线， WE＃和OE＃ 。
擦除和编程操作都与启动
JEDEC标准的SDP命令序列。地址
数据中的SDP的命令和在被锁存
内部定时擦除和编程操作。
设备操作
该ComboMemory使用BES ＃和BEF ＃控制能操作
ATION无论是SRAM或闪存银行。当
BES ＃低， SRAM银行进行读取和激活
写操作。当BEF ＃为低时，闪光灯的银行被激
氧基团的读取，编程或擦除操作。 BES ＃和
BEF ＃不能在同一时间低的水平。如果BES ＃和
BEF ＃都置为低电平总线争用会
导致与该设备可能遭受永久性损坏。所有
地址，数据和控制线由SRAM银行共享
和闪光灯银行最大限度地减少功耗和
装载。该器件进入待机状态时，这两个银行
使高。
Flash读
该SST32HF802的读操作/一百六十四分之一百六十二设备
由BEF ＃和OE ＃控制。既要低，以
WE＃高，为系统获得的输出数据。
BEF ＃用于闪存的银行选择。当
BEF ＃和BES ＃都很高，无论是银行和取消
只有待机功耗。 OE＃为输出CON-
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。数据
总线处于高阻抗状态，当OE ＃为高电平。请参阅
图7为进一步的细节。
SRAM操作
与BES ＃低， BEF ＃高， SST32HF802 / 162
操作为128K x16的CMOS SRAM和所述SST32HF164
用作256K x16的CMOS SRAM ，具有完全静态能操作
ATION无需外部时钟或定时选通。该
SST32HF802 / 162 SRAM被映射到所述第一128
该装置的KWord的地址空间，并且SST32HF164
SRAM被映射到所述第一256 KWord的地址空间。
当BES ＃和BEF ＃都很高，无论是存储银行
取消和器件进入待机模式。阅读和
写周期时间相等。控制信号UBS ＃和
LBS ＃提供对高数据字节和低数据
字节。表3列出了SRAM读取和写入数据的字节CON-
操作控制模式。
闪存擦除/编程操作
SDP的命令用于启动闪光存储器区块
在SST32HF802的编程和擦除操作/ 162 /
164. SDP的指令被加载到闪速存储器区块
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令是由WE＃置为低电平，同时保持BEF ＃装
低和OE ＃高。地址锁存在下降
WE＃或＃ BEF的边缘，无论最后发生。该数据是
锁存WE＃或BEF ＃的上升沿，取
先发生。
SRAM读
该SST32HF802的SRAM读操作/ 164分之162是
通过OE ＃和＃ BES控制，既要低，
WE＃高的系统，以获得从所述输出数据。
BES ＃用于SRAM银行的选择。 OE＃为输出
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。该
数据总线处于高阻抗状态，当OE ＃为高电平。看
图4为读周期时序图。
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闪字编程操作
在SST32HF802的/ 164分之162的闪存库
器件编程在一个字的字的基础。前
程序操作，内存必须首先擦除。
在编程操作包括三个步骤。第一
步骤是用于软件数据的三字节序列载荷
保护。第二步骤是要加载的字地址
字数据。在字编程操作，
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多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF802 / SST32HF162 / SST32HF164
数据表
地址锁存任BEF ＃的下降沿或
WE＃ ，最后的为准。该数据被锁存的利培
荷兰国际集团的任何BEF ＃或WE ＃边沿，以先到为准。
第三步是内部编程操作它已以启动
tiated后的第4个WE ＃或BEF ＃的上升沿，
以先到为准。编程操作，一旦initi-
ated ，将完成，在20微秒。参见图8和9
对于WE ＃和BEF ＃控制的编程操作时序
图和图19的流程图。在计划
操作时，唯一有效的Flash读操作是数据＃
轮询和切换位。在内部编程操作
化，主机可以自由地执行其他任务。任何SDP
内部编程操作过程中加载命令
将被忽略。
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列中，图11为时序图，
和图22的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
写操作状态检测
该SST32HF802 / 164分之162提供两种软件方法来
检测完成后写（编程或擦除）周期，
为了优化系统写周期时间。该软
洁具的检测包括两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式之后的WE ＃的上升沿，这ini-启用
tiates内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6.
为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
Flash扇区/块擦除操作
闪存扇区/块擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST32HF802 / 164分之162报价既具有部门
擦除和块擦除模式。部门架构
基于对2K字均匀扇区大小。块擦除
模式是基于32K字的均一的块大小。该
通过执行一个6字节的启动扇区擦除操作
与扇区擦除命令的命令序列（ 30H ）
和扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。地址
线A
19
-A
11
为SST32HF162 / 164和A
18
-A
11
为
SST32HF802 ，用于确定所述扇区的地址。
通过执行六发起的块擦除操作
用块擦除命令字节的命令序列
（ 50H ），并在最后一个总线周期块地址（ BA ） 。该
地址线A
19
-A
15
为SST32HF162 / 164和A
18
-A
15
,
对于SST32HF802 ，用于确定该块的地址。
扇区或块地址被锁存的下降沿
第六WE ＃脉冲，而命令（ 30H或50H ）是
锁定第6个WE ＃脉冲的上升沿。该
第六WE ＃脉冲后内部擦除操作开始。
期终止擦除操作可通过确定
无论是数据＃查询或翻转位的方法。见图13
14时序波形。期间发出的任何命令
在扇区擦除或块擦除操作将被忽略。
闪存数据＃投票（ DQ
7
)
当SST32HF802 /一百六十四分之一百六十二闪存银行
在内部编程操作，任何尝试读取DQ
7
将产生的真实数据的补码。一旦
程序操作完成后， DQ
7
会产生真正的
数据。请注意，即使DQ
7
可有有效数据
立即完成内部写以下
操作时，剩余的数据输出仍然可能是无效的：
整个数据总线上的有效数据将出现在后续的
连续读周期。在内部擦除操作，
任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦接口
最终擦除操作完成后， DQ
7
将产生一个'1'。
之后的第四个上升沿数据＃投票是有效的
WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区或
块擦除，数据＃查询后的上升沿有效
第六WE ＃ （或BEF ＃）脉冲。参见图10的数据＃
轮询的时序图和图20为一个流程图。
FLASH芯片擦除操作
该SST32HF802 / 164分之162提供了全片擦除操作
化，从而允许用户将擦除整个存储器
阵列到“1”状态。这是很有用的整个装置时
必须尽快清除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
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闪光触发位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后，触发将
停止。闪速存储器区块然后准备进行下一次
操作。之后的上升沿触发位是有效的
第四WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲编程操作。为
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多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF802 / SST32HF162 / SST32HF164
数据表
部门或银行擦除，切换位后上涨有效
第六WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲的边缘。见图11
翻转位时序图和图20的流程图。
该设备将忽略所有的SDP命令时擦除
或编程操作正在进行中。需要注意的是产品
识别命令使用SDP ;因此，这些的COM
指令都会还可以同时擦除或编程忽视
操作正在进行中。
Flash存储器数据保护
该SST32HF802 / 164分之162闪存银行提供
硬件和软件功能来保护非易失
从意外写入数据。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST32HFxxx和制造商为SST。
此模式
可以仅通过软件的操作来访问。该
硬件设备ID读操作，这通常是
所使用的编程，不能在此设备上被使用
因为闪存和SRAM之间的共享线路
在多芯片封装。因此，应用程序的
高电压引脚上的
9
可能会损坏该设备。
用户
可以使用该软件产品的识别操作，以
识别部分（即使用设备ID ），使用多的时候
PLE制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅
表3和4对软件的操作，图15为
软件ID进入和读取时序图，图21
为ID输入命令序列流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST32HF802
SST32HF162/164
0001H
0001H
2781H
2782H
T1.1 520
闪存硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃小于或BEF ＃脉
5纳秒不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， BEF ＃高或WE＃
高会抑制Flash写操作。这可以防止
在上电或断电的意外写操作。
闪存软件数据保护（ SDP ）
该SST32HF802 / 164分之162提供了JEDEC核准
所有闪存库软件的数据保护方案
数据修改操作，即编程和擦除。任何
程序运行需要包含一系列的
三字节序列。这三个字节装入序列
用于启动编程操作，提供最佳
保护防止意外写操作，例如，在
在系统上电或断电。任何擦除操作
需要包含六个字节装入序列。该
SST32HF802 / 164分之162设备附带的软
洁具数据保护永久启用。见表4
具体的软件命令代码。在SDP的COM
命令序列，无效的SDP命令将中止
设备所读取的模式，内读周期时间（T
RC
).
数据
00BFH
0000H
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。退出是
通过发出退出ID命令序列来完成，
返回该设备的读操作。请
注意，软件复位命令是在一个被忽略
内部编程或擦除操作。参见表4软
洁具命令代码，图16为时序波形和
图21为一个流程图。
并发的读写操作
该SST32HF802 / 164分之162提供的独特的好处
能够读取或写入SRAM，而simulta-
neously擦除或编程的Flash 。这使得数据
改变代码从SRAM中执行，而改变
在Flash中的数据。下表列出了所有有效的状态。
C
成为当前
R
EAD
/W
RITE
S
TATE
T
ABLE
FL灰
编程/擦除
编程/擦除
SRAM
读
写
设计注意事项
SST建议采用高频0.1 μF的陶瓷capac-
itor被放置在尽可能靠近V之间
DD
和
V
SS
例如，小于1厘米的距离从V
DD
的销
装置。此外，低频4.7 μF的电解
从V电容器
DD
到V
SS
应放置在1cm以内的
在V
DD
引脚。
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多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF802 / SST32HF162 / SST32HF164
数据表
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
地址缓冲器
SRAM
AMS
(1)
-A0
瑞银（UBS） ＃
LBS ＃
BES ＃
BEF ＃
OE ＃
WE＃
控制逻辑
I / O缓冲器
DQ15 - DQ8
DQ7 - DQ0
地址缓冲器
&门锁
超快闪
内存
520 ILL B1.1
SST32HF162/164
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE＃
VDDS
BES ＃
瑞银（UBS） ＃
LBS ＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
SST32HF802
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
VDDS
BES ＃
瑞银（UBS） ＃
LBS ＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
SST32HF802
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
NC
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VDDF
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
BEF ＃
A0
SST32HF162/164
A16
NC
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VDDF
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
BEF ＃
A0
标准引脚
顶视图
死亡最多
520 ILL F01b.0
图1 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
48-
领导
TSOP （ 12
MM
X
20
MM
)
2001硅存储技术公司
S71171-04-000 7/01
520
5
QQ：2880707522 复制
