多用途闪存+ + SRAM ComboMemory
SST32HF324C
SST32HF324C32Mb闪存+ 4Mb的SRAM
（ X16 ） MCP ComboMemories
初步规格
产品特点：
ComboMemory组织为：
- 2M X16闪存+ 256K x16的SRAM
单2.7-3.3V读写操作
并发操作
- 读取或写入SRAM时
擦除/编程闪存
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：15 mA（典型值）的
Flash或SRAM读
- 待机电流： 12 μA （典型值）
灵活的擦除能力
- 统一2K字扇区
- 统一32K字块大小
擦除暂停/擦除恢复功能
安全-ID功能
- 用户： 128位
快速读取访问时间：
- 闪光： 70纳秒
- SRAM ： 70纳秒
锁存地址和数据的闪存
闪存快速擦除和字编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 40毫秒（典型值）
- 字编程时间： 7 μs（典型值）
闪光灯自动擦除和编程定时
- 内部V
PP
GENERATION
Flash检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准命令集
封装
- 48球LBGA （10毫米x 12毫米X 1.4毫米）
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST32HF324C ComboMemory器件集成了
用CMOS SRAM MEM- CMOS闪存库
在一个多芯片封装（MCP ） ，制储器行
与SST专有的高性能超快闪
技术。
拥有高性能的字编程，闪光
记忆银行提供的最大字编程时间
7微秒。为了防止意外闪存写入时，
SST32HF324C器件包含片上硬件和
软件数据保护方案。该SST32HF324C
器件提供10,000个周期的保证续航能力。
数据保留的额定功率为100年以上。
该SST32HF324C装置由两个独立的
与各银行的银行内存使能信号。该
闪存和SRAM存储器组叠加的
相同的存储器地址空间。两个内存银行股
常见的地址线，数据线， WE＃和OE ＃ 。该
存储体的选择是由存储体进行启用
信号。 SRAM的银行能信号， BES ＃选择
SRAM银行。闪存存储器组使能信号， BEF ＃
选择闪存存储器区块。 WE＃信号必须
与软件数据保护（ SDP ）命令中使用
顺序控制擦除和编程操作时，
系统蒸发散在闪速存储器区块。在SDP命令
序列可保护存储在快闪存储器中的数据
意外改变银行。
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该SST32HF324C提供的附加功能
能够同时读取或写入到
SRAM存储器而在快闪擦除或编程
记忆库。 SRAM的存储器区块可以被读取或
写闪存时，银行执行以部门
擦除，银行擦除，或字编程兼任。所有
闪存擦除和编程操作将automati-
美云锁存输入地址和数据信号，并完成
该操作在后台无需进一步输入激励
要求。一旦内部控制擦除或亲
克周期闪光灯银行已经开始，该SRAM
银行可访问的读取或写入。
该SST32HF324C设备适合于应用
同时使用快闪存储器和SRAM存储器，用于存储代码
或数据。对于需要低功耗和小型化系统
因素， SST32HF324C设备显著改善
性能和可靠性的同时降低功率消耗
化多芯片解决方案相比时。该
SST32HF324C擦除过程中会本能地使用更少的能源
比其他闪存技和编程操作
吉斯。所消耗的总能量是一个函数
施加的电压，电流和应用的时间。因为，为
任何给定的电压范围，超快闪技术使用较少
电流进行编程，并具有擦除时间更短，总
在任何擦除或编程操作所消耗的能量
低于其他闪存技术。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
MPF +和ComboMemory均为Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
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初步规格
超快闪技术提供固定的擦除和编程
次独立擦除/编程周期数的
已发生。因此，系统软件或硬件
器具不必进行修改或降额，这neces-
萨利与其他闪存技术，其擦除和
与累积擦除/编程程序的时间将延长
周期。
闪字编程操作
在SST32HF324C设备的闪存银行
程序上的字的字的基础。程序前
操作时，存储器必须擦除。该计划
操作包括三个步骤。第一步是在三
软件数据保护字节装入序列。该节
OND一步是装入字地址和文字数据。在
字编程操作时，地址锁存的
掉落的任何BEF ＃或WE ＃边沿，以先到为准最后。
该数据被锁存，或者BEF ＃的上升沿或
WE＃ ，最后的为准。第三步是在内部
这是以后的上升沿启动程序操作
第四WE＃或＃ BEF ，以先到为准。亲
克操作，一旦启动，将完成，在10
微秒。参见图6和图7为WE ＃和BEF ＃控制的亲
克操作时序图，图18为液流 -
图表。在编程操作期间，仅有的有效闪光
读操作是数据＃查询和翻转位。中
内部编程操作，主机可以自由地执行
其他任务。在加载任何SDP命令
内部编程操作将被忽略。
设备操作
该ComboMemory使用BES ＃和BEF ＃控制能操作
ATION无论是SRAM或闪存银行。当
BES ＃低， SRAM银行进行读取和激活
写操作。当BEF ＃为低时，闪光灯的银行被激
氧基团的读取，编程或擦除操作。 BES ＃和
BEF ＃不能在同一时间低的水平。
如果BES ＃和
BEF ＃都置为低电平总线争用会
导致与该设备可能遭受永久性损坏。
所有地址，数据和控制线由SRAM的共享
银行和银行闪光灯，最大限度地减少电力消耗
和装载。该器件进入待机状态时，这两个银行
使高。
并行读/写操作
该SST32HF324C提供的是独特的好处
能够读取或写入到SRAM中，同时
擦除或编程的Flash 。这允许数据替代方案
ATION代码被从SRAM中执行的，而改变
在Flash中的数据。参见图22的流程图。以下
表中列出了所有有效状态。
C
成为当前
R
EAD
/W
RITE
S
TATE
T
ABLE
FL灰
编程/擦除
编程/擦除
SRAM
读
写
闪存以部门/块擦除操作
闪存扇区/块擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST32HF324C提供两个扇区擦除
和块擦除模式。扇区结构是基于
上的2K字均匀的扇区大小。块擦除模式
是一种基于32K字的均匀的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。地址线
A
MS
-A
11
用于确定扇区地址。该
通过执行一个6字节的启动块擦除操作
用块擦除命令的命令序列（ 50H ）
和块地址（ BA ）在最后一个总线周期。地址
线A
MS
-A
15
用于确定该块的地址。
扇区或块地址被锁存的下降沿
第六WE ＃脉冲，而命令（ 30H或50H ）是
锁定第6个WE ＃脉冲的上升沿。该
第六WE ＃脉冲后内部擦除操作开始。
期终止擦除操作可通过确定
无论是数据＃查询或翻转位的方法。见图11
12时序波形。期间发出的任何命令
在扇区擦除或块擦除操作将被忽略。
该设备将忽略所有的SDP命令时擦除
或编程操作正在进行中。需要注意的是产品
识别命令使用SDP ;因此，这些的COM
指令都会还可以同时擦除或编程忽视
操作正在进行中。
Flash读操作
在SST32HF324C设备的读操作所配置
通过BEF ＃和OE ＃控制。既要低，与WE＃
高，为系统获得的输出数据。 BEF ＃
用于闪存银行的选择。当BEF ＃是
高，芯片被取消选中，只有备用电源
消耗掉。 OE＃为输出控制，用于栅极
从输出管脚的数据。数据总线处于高阻抗
ANCE状态，当OE ＃为高电平。请参考图5，用于进一步
详细信息。
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擦除暂停/ -resume命令
在擦除暂停操作暂时挂起
部门或块擦除操作从而使数据能够
从任何存储单元读取或程序数据到任何
行业/未暂停擦除操作块。
该操作通过发出一个字节的命令执行
序列擦除暂停命令（ B0H ） 。该
设备会自动通常在20进入阅读模式
微秒后擦除暂停命令已发出。
有效数据可从没有任何部门或块被读
暂停擦除操作。阅读地址
擦除暂停扇区/块将输出中的位置
DQ
2
触发和DQ
6
在“1”。而在擦除暂停
模式，允许除了一个字编程操作
扇区或块中选择擦除暂停。
要恢复扇区擦除或块擦除操作而
已经暂停系统必须发出擦除
恢复命令。该操作通过发出执行
与擦除恢复的COM一个字节的命令序列
命令（ 30H）在最后一个字节序列的任何地址。
写操作状态检测
该SST32HF324C提供了两种软件方法来检测
在完成写的（编程或擦除）周期，以
优化系统写周期时间。软件
检测包括两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
）和
切换位（ DQ
6
） 。写操作结束检测模式
后的WE ＃的上升沿，从而启动所述使能
内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6.
为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
FLASH芯片擦除操作
该SST32HF324C提供了全片擦除操作，该操作
允许用户擦除整个存储器阵列的“1”的
状态。此，当整个装置必须迅速地是有用
删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
BEF ＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
5，用于在命令序列，图9为时序图，
和图21的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
闪存数据＃投票（ DQ
7
)
当SST32HF324C闪存银行在
内部编程操作，任何尝试读取DQ
7
将
产生的真实数据的补码。一旦亲
克操作完成时， DQ的
7
将产生真正的数据。
请注意，即使DQ
7
可有有效数据被立即
在完成内部写ately以下操作
重刑，其余数据输出仍然可能是无效的：有效
整个数据总线上的数据将出现在后续suc-
1微秒的时间间隔后cessive读周期。时间
最终擦除操作，任何尝试读取DQ
7
会产生
一个“0”。一旦内部擦除操作完成时， DQ的
7
将产生一个'1'。该数据＃查询后上涨有效
第四WE ＃ （或BEF ＃ ）脉冲程序操作边缘
化。对于扇区擦除或块擦除，数据＃投票是有效的
后6个WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲的上升沿。看
图8为数据＃查询时序图，图19
的流程图。
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翻转位（ DQ6和DQ2 ）
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
将产生交变'1'
和'0' ，即0. 1至切换当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。对于扇区擦除，块或片擦除，翻转位（ DQ
6
)
是后6个WE＃ （或BEF ＃）脉冲的上升沿有效。
DQ
6
将被设置为'1'，如果执行读操作，尝试对
擦除暂停的扇区/块。如果程序运行已以启动
tiated在没有选择的扇区/块擦除暂停
模式， DQ
6
将切换。
另外一个触发位可在DQ
2
，它可以是
与DQ配合使用
6
检查是否一个特定的
部门正在积极擦除或擦除暂停。表1
列出了详细的状态位信息。切换位
（ DQ
2
）后的最后一个WE ＃的上升沿有效（或
BEF ＃ ）脉冲写入操作。图9显示切换位
时序图和图19的流程图。
表1 ：W
RITE
O
PERATION
S
TATUS
状态
正常
标准
操作计划
标准
抹去
使用擦除
暂停
模式
从阅读
擦除暂停
扇区/块
从阅读
非擦除暂停
扇区/块
节目
闪存软件数据保护（ SDP ）
该SST32HF324C提供了JEDEC核准软
所有闪存银行洁具的数据保护方案
数据修改操作，即编程和擦除。任何
程序运行需要包含一系列的
三字节序列。这三个字节装入序列
用于启动编程操作，提供最佳
保护防止意外写操作，例如，在
在系统上电或断电。任何擦除操作
需要包含六个字节装入序列。该
SST32HF324C设备附带的软件数据
保护永久启用。参见表5所示出特殊
cific软件命令代码。在SDP命令
序，无效命令会中止器件读取
模式， T内
RC 。
DQ的内容
15
-DQ
8
可以是V
IL
or
V
IH ，
但没有其他价值，任何SDP命令时
序列。
SRAM读
该SST32HF324C的SRAM读操作所配置
通过OE ＃和BES ＃受控，既要低， WE＃
高的系统，以获得从所述输出数据。 BES ＃是
用于SRAM银行的选择。 OE＃为输出控制
并用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线
处于高阻抗状态，当OE ＃为高电平。参阅
读周期时序图，图2 ，为进一步的细节。
DQ
7
DQ
7
#
0
1
DQ
6
切换
切换
1
DQ
2
无切换
切换
切换
SRAM写
数据
数据
数据
DQ
7
#
切换
不适用
T1.0 1267
注意：
DQ
7
和DQ
2
阅读时需要一个有效的地址
状态信息。
Flash存储器数据保护
该SST32HF324C闪存银行提供了
硬件和软件功能来保护非易失性数据
意外写操作。
该SST32HF324C的SRAM写操作所配置
由WE＃和BES ＃受控;既要低的系
TEM写入SRAM 。在字写
操作时，地址和数据被引用到
上涨或者BES ＃或WE ＃边沿，以先到为准。
写入时间是从最后下降沿测量
BES ＃或WE ＃以BES ＃或WE ＃的第一个上升沿。
指的是写周期时序图，图3和图4 ，
对于进一步的细节。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST32HF324C和制造商为SST。
此模式
可以仅通过软件的操作来访问。该
硬件设备ID读操作，这通常是
所使用的编程，不能在此设备上被使用
因为闪存和SRAM之间的共享线路
在多芯片封装。因此，应用程序的
高电压引脚上的
9
可能会损坏该设备。
用户
可以使用该软件产品的识别操作，以
识别部分（即使用设备ID ），使用多的时候
PLE制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅
闪存硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃小于或BEF ＃脉
5纳秒不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， BEF ＃高或WE＃
高会抑制Flash写操作。这可以防止
在上电或断电的意外写操作。
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初步规格
表4和5为软件的操作，图13为
软件ID进入和读取时序图，图20
为ID输入命令序列流程图。
表2 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST32HF324C
0001H
235BH
T2.0 1267
安全ID
该SST32HF324C器件提供一个128位的安全ID
空间。这个空间被保留未编程为客户
根据需要进行编程。
编程安全ID ，用户必须使用安全
ID字编程命令。为了检测终端的写的
美国证券交易委员会的ID ，可以读取翻转位。不要使用数据＃查询。
一旦完成，安全ID应该使用被锁定
用户安全ID计划锁定功能。这将禁用任何
这个空间未来的腐败。请注意，无论
安全ID是否被锁定，安全ID段
不能被擦除。
安全ID空间可以通过执行一个三查询
字节的命令序列，进入安全ID命令
（ 88H ）地址5555H中的最后一个字节序列。要退出
这种模式下，退出安全ID命令应该被执行。
请参考表5的更多细节。
数据
BFH
0000H
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。退出是
通过发出退出ID命令序列来完成，
返回该设备的读操作。请
注意，软件复位命令是在一个被忽略
内部编程或擦除操作。此命令可能
也可用于重置设备后，任何阅读模式
意外的瞬态条件下，显然会导致
设备运行异常，如不正确读出。看
表5为软件命令代码，图14为定时
波形和图20的流程图。
设计注意事项
SST建议采用高频0.1 μF的陶瓷capac-
itor被放置在尽可能靠近V之间
DD
和
V
SS
例如，小于1厘米的距离从V
DD
的销
装置。此外，低频4.7 μF的电解
从V电容器
DD
到V
SS
应放置在1cm以内的
在V
DD
引脚。
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
地址缓冲器
SRAM
AMS
(1)
-A0
瑞银（UBS） ＃
LBS ＃
BES ＃
BEF ＃
OE ＃
WE＃
控制逻辑
I / O缓冲器
DQ15 - DQ8
DQ7 - DQ0
地址缓冲器
&门锁
超快闪
内存
1267 B1.0
2005硅存储技术公司
S71267-02-000
9/05
5
QQ：800888908 复制
