4兆ROM + 1兆比特/ 256千比特SRAM ，ROM / RAM组合
SST30VR041 / SST30VR043
SST30VR041 / 0434 Mb的掩膜ROM的（x8） + 1兆/ 256 Kbit的SRAM （ X8 ）组合
初步规格
产品特点：
ROM + SRAM ，ROM / RAM组合
- SST30VR041 ： 512K ROM X8 + X8 128K SRAM
- SST30VR043 ： 512K ROM X8 + X8 32K SRAM
单片芯片上的ROM / RAM组合
等效ComboMemory （闪存+ SRAM ） ：
SST31LF041A的代码开发和
预生产
宽工作电压范围： 2.7-3.3V
芯片存取时间
- SST30VR041 70纳秒到150纳秒
- SST30VR043 150纳秒
低功耗：
- 待机： 1.0 μW （典型值）
- 操作： 3.0毫瓦（典型值）
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
封装
- 32引脚TSOP （8毫米x14mm ）
产品说明
该SST30VR041 / 043顷ROM / RAM的组合芯片CON组
4兆位只读存储器sisting组织为512
千字节和静态随机存取存储器，
如128或32字节。输出使能输入（ OE ＃ ）被
引脚共用RAMCS ＃ （ RAM使能输入）信号
为了保持标准的32针TSOP封装。
该器件采用SST先进的CMOS制造低
功耗工艺技术。
该SST30VR041 / 043有一个输出使能输入，用于预
CISE控制的数据输出。它也有两个（2）中分离
芯片使能输入，用于选择的RAM或ROM中，并
对于在掉电模式下最大限度地降低漏电流。
该SST30VR041 / 043是特别适合于在使用中
低电压（ 2.7-3.3V ）用品，如寻呼机，主办方
和其他手持式应用。
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
RAMCS ＃
ROMCS ＃
OE ＃ / ＃ RAMCS
WE＃
控制
电路
OE ＃
WE＃
数据缓冲区
内存
地址缓冲器
DQ7-DQ0
ROMCS ＃
OE ＃
AMS-A0
只读存储器
注： AMS =高位地址
381 ILL B1.2
2001硅存储技术公司
S71134-02-000 4/01
381
1
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
ComboMemory是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
4兆ROM + 1兆比特/ 256千比特SRAM ，ROM / RAM组合
SST30VR041 / SST30VR043
初步规格
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE＃
VDD
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
标准引脚
顶视图
死亡最多
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
381 ILL F01.0
OE ＃ / ＃ RAMCS
A10
ROMCS ＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
图1 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
TSOP
表1 ：P
IN
D
ESCRIPTION
符号
A
MS1
-A
0
WE＃
ROMCS ＃
DQ
7
-DQ
0
V
DD
V
SS
引脚名称
地址输入，为ROM：
MS
= A
18
为RAM：
MS
=A
16
对于SST30VR041
A
14
对于SST30VR043
写使能输入
ROM使能输入
数据输入/输出
电源
地
T1.2 381
OE ＃ / RAMCS ＃输出使能/ RAM使能输入
1. A
MS
=最显著地址
2001硅存储技术公司
S71134-02-000 4/01
381
2
4兆ROM + 1兆比特/ 256千比特SRAM ，ROM / RAM组合
SST30VR041 / SST30VR043
初步规格
绝对最大极限
（适用条件高于绝对最大的“上市
压力“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些条件或条件高于在该数据的操作部分中定义的
片是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下可能影响器件的可靠性。 ）
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -20 ° C至+ 85°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
任何引脚相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+ 0.5V
在V电压
DD
供应相对于V
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至4.0V
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0W
焊接温度（ 10秒时只） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
O
操作摄像机
R
ANGE
范围
广告
EXTENDED
环境温度
0 ° C至+ 70°C
V
DD
2.7-3.3V
2.7-3.3V
-20 ° C至+ 85°C
OF
AC - C
ONDITIONS
T
美东时间
输入脉冲电平
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0-V
DD
&输入输出时序参考电平
. . . V
DD
/2
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5纳秒
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
L
= 30 pF的70纳秒
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
L
= 100 pF适用于150纳秒
表2 ：v
ECOMMENDED
DC
操作摄像机
C
ONDITIONS
符号
V
DD
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
民
2.7
0
2.4
-0.3
最大
3.3
0
V
DD
+ 0.5
0.3
单位
V
V
V
V
T2.0 381
表3 ： DC
操作摄像机
C
极特
V
DD
= 3.0±0.3V
符号
I
DD1
I
DD2
I
SB
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
参数
ROM工作电源电流
RAM工作电源电流
待机V
DD
当前
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
2.2
-1
-1
民
最大
4.0+1.1(f)
1
2.5+1(f)
1
10
1
1
0.4
单位
mA
mA
A
A
A
V
V
测试条件
ROMCS ＃ = V
IL
， RAMCS ＃ = V
IH
,
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O
=开幕
ROMCS ＃ = V
IH
， RAMCS ＃ = V
IL
, I
I / O
=开幕
ROMCS ＃
≥
V
DD
-0.2V ， RAMCS ＃
≥
V
DD
-0.2V
V
IN
≥
V
DD
-0.2V或V
IN
≤
0.2V
V
IN
= V
SS
到V
DD
ROMCS ＃ = RAMCS ＃ = V
IH
或OE ＃ = V
IH
or
WE＃ = V
IL
, V
I / O
= V
SS
到V
DD
I
OL
= 1.0毫安
I
OH
= -0.5毫安
T3.4 381
1. F =操作的频率（MHz） = 1 /周期时间
2001硅存储技术公司
S71134-02-000 4/01
381
3
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SST30VR041 / SST30VR043
初步规格
表4 ：C
APACITANCE
参数
C
I / O
1
（ TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
8 pF的
6 pF的
T4.1 381
C
IN1
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
VIHT
输入
VIT
参考点
VOT
产量
VILT
381 ILL F07.0
AC测试输入在V驱动
IHT
(0.9 V
DD
）为一个逻辑“1”和第五
ILT
(0.1 V
DD
）为一个逻辑“0”。测量参考点
输入和输出是V
IT
(0.5 V
DD
）和V
OT
(0.5 V
DD
） 。输入上升和下降时间（ 10 ％
90％）是<5纳秒。
注意：
V
IT
- V
输入
TEST
V
OT
- V
产量
TEST
V
IHT
- V
输入
高测试
V
ILT
- V
输入
低测试
图2 ： AC I
NPUT
/O
安输出
R
指南
W
AVEFORMS
TO测试仪
到DUT
CL
381 ILL F08.0
图3 ：一件T
美东时间
L
OAD
E
XAMPLE
2001硅存储技术公司
S71134-02-000 4/01
381
4
4兆ROM + 1兆比特/ 256千比特SRAM ，ROM / RAM组合
SST30VR041 / SST30VR043
初步规格
AC特性
一， ROM操作
表5 ：v
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
RC
T
AA
T
CO
T
OE
T
LZ
T
OLZ
T
HZ
T
OHZ
T
OH
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
10
0
0
25
25
15
V
DD
= 3.0V±0.3
SST30VR041-70
民
70
70
70
35
0
0
30
30
最大
SST30VR041/043-150
民
150
150
150
70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T5.2 381
TRC
地址
TAA
TOH
数据输出
以前的数据有效
数据有效
381 ILL F02.0
图4 ： ROM
EAD
C
YCLE
T
即时通信
D
IAGRAM
(A
地址H1
C
ONTROLLED
） （ ROMCS ＃ = OE ＃ = V
IL
)
2001硅存储技术公司
S71134-02-000 4/01
381
5
QQ：2881677436 复制
