2兆ROM + 1兆位/兆比特/ 256千位的SRAM
ROM / RAM组合
SST30VR021 / SST30VR022 / SST30VR023
SST30VR021 / 022 / 0232 Mb的掩膜ROM的（x8） + 1兆/ 2MB / 256 KB SRAM （ X8 ）组合
数据表
产品特点：
ROM + SRAM ，ROM / RAM组合
- SST30VR021 ： 256K ROM X8 + X8 128K SRAM
- SST30VR022 ： 256K ROM X8 + X8 256K SRAM
- SST30VR023 ： 256K ROM X8 + X8 32K SRAM
单片芯片上的ROM / RAM组合
等效ComboMemory （闪存+ SRAM ） ：
SST31LF021E的代码开发和
预生产
宽工作电压范围： 2.7-3.3V
芯片存取时间
- SST30VR022
70纳秒
- SST30VR021 / 023 500 NS
低功耗：
- 待机： 3 μW （典型值）
- 操作： 10毫瓦（典型值）
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
封装
- 32引脚TSOP （8毫米x14mm ）
产品说明
该SST30VR021 / 022 / 023顷ROM / RAM的组合芯片
包括2只兆位只读存储器组织为256
千字节和静态随机存取存储器组织成
128 ，256，和32千字节。
该器件采用SST先进的CMOS制造低
功耗工艺技术。
该SST30VR021 / 022 / 023有一输出允许信号输入
精确控制的数据输出。它也有两个（2）另行
利率芯片使能输入，用于选择RAM或ROM
并在掉电模式下最大限度地降低漏电流。
该SST30VR021 / 022 / 023是特别适合于
使用低电压（ 2.7-3.3V ）用品，如寻呼机，
组织者和其他手持式应用。
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
RAMCS ＃
ROMCS ＃
OE ＃
WE＃
控制
电路
RAMCS ＃
OE ＃
WE＃
数据缓冲区
内存
地址缓冲器
DQ7-DQ0
ROMCS ＃
OE ＃
AMS-A0
只读存储器
注： AMS =高位地址
380 ILL B1.1
2001硅存储技术公司
S71135-02-000 4/01
380
1
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
ComboMemory是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
2兆ROM + 1兆位/兆比特/ 256千位的SRAM
ROM / RAM组合
SST30VR021 / SST30VR022 / SST30VR023
数据表
A11
A9
A8
A13
A14
A17
RAMCS ＃
VDD
WE＃
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
标准引脚
顶视图
死亡最多
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
380 ILL F01.0
OE ＃
A10
ROMCS ＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
图1 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
TSOP
表1 ：P
IN
D
ESCRIPTION
符号
A
MS1
-A
0
引脚名称
地址输入，为ROM：
MS
= A
17
为RAM：
MS
=A
16
对于SST30VR021
A
17
对于SST30VR022
A
14
对于SST30VR023
写使能输入
OUTPUT ENABLE
RAM使能输入
ROM使能输入
数据输入/输出
电源
地
T1.2 380
WE＃
OE ＃
RAMCS ＃
ROMCS ＃
DQ
7
-DQ
0
V
DD
V
SS
1. A
MS
=最显著地址
2001硅存储技术公司
S71135-02-000 4/01
380
2
2兆ROM + 1兆位/兆比特/ 256千位的SRAM
ROM / RAM组合
SST30VR021 / SST30VR022 / SST30VR023
数据表
绝对最大极限
（适用条件高于绝对最大的“上市
压力“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些条件或条件高于在该数据的操作部分中定义的
片是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下可能影响器件的可靠性。 ）
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -20 ° C至+ 85°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
任何引脚相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+ 0.5V
在V电压
DD
供应相对于V
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至4.0V
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0W
焊接温度（ 10秒时只） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
O
操作摄像机
R
ANGE
范围
广告
EXTENDED
环境温度
0 ° C至+ 70°C
V
DD
2.7-3.3V
2.7-3.3V
-20 ° C至+ 85°C
OF
AC - C
ONDITIONS
T
美东时间
输入脉冲电平
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0-V
DD
&输入输出时序参考电平
. . . . . . . V
DD
/2
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5纳秒
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
L
= 30 pF的70纳秒
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
L
= 100 pF适用于500纳秒
表2 ：v
ECOMMENDED
DC
操作摄像机
C
ONDITIONS
符号
V
DD
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
民
2.7
0
2.4
-0.3
最大
3.3
0
V
DD
+ 0.5
0.3
单位
V
V
V
V
T2.0 380
表3 ： DC
操作摄像机
C
极特
V
DD
= 3.0 ± 0.3V
符号
I
DD1
I
DD2
I
SB
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
参数
ROM工作电源电流
RAM工作电源电流
待机V
DD
当前
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
2.2
-1
-1
民
最大
4.0+1.1(f)
1
2.5+1(f)
1
10
1
1
0.4
单位
mA
mA
A
A
A
V
V
测试条件
ROMCS ＃ = V
IL
， RAMCS ＃ = V
IH
,
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O
=开幕
ROMCS ＃ = V
IH
， RAMCS ＃ = V
IL
, I
I / O
=开幕
ROMCS ＃ = V
DD
-0.2V ， RAMCS ＃ ≥V
DD
-0.2V
V
IN
≥V
DD
-0.2V或V
IN
≤0.2V
V
IN
=V
SS
到V
DD
ROMCS ＃ = RAMCS ＃ = V
IH
或OE ＃ = V
IH
or
WE＃ = V
IL
, V
I / O
=V
SS
到V
DD
I
OL
= 1.0毫安
I
OH
= -0.5毫安
T3.3 380
1. F =操作的频率（MHz） = 1 /周期时间
2001硅存储技术公司
S71135-02-000 4/01
380
3
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ROM / RAM组合
SST30VR021 / SST30VR022 / SST30VR023
数据表
表4 ：C
APACITANCE
参数
C
I / O
1
（ TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
8 pF的
6 pF的
T4.1 380
C
IN1
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
VIHT
输入
VIT
参考点
VOT
产量
VILT
380 ILL F08.0
AC测试输入在V驱动
IHT
(0.9 V
DD
）为一个逻辑“1”和第五
ILT
(0.1 V
DD
）为一个逻辑“0”。测量参考点
输入和输出是V
IT
(0.5 V
DD
）和V
OT
(0.5 V
DD
） 。输入上升和下降时间（ 10 ％
90％）是<5纳秒。
注意：
V
IT
- V
输入
TEST
V
OT
- V
产量
TEST
V
IHT
- V
输入
高测试
V
ILT
- V
输入
低测试
图2 ： AC I
NPUT
/O
安输出
R
指南
W
AVEFORMS
TO测试仪
到DUT
CL
380 ILL F09.0
图3 ：一件T
美东时间
L
OAD
E
XAMPLE
2001硅存储技术公司
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380
4
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ROM / RAM组合
SST30VR021 / SST30VR022 / SST30VR023
数据表
AC特性
一， ROM操作
表5 ：v
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
V
DD
= 3.0V±0.3
SST30VR022-70
符号
T
RC
T
AA
T
CO
T
OE
T
LZ
T
OLZ
T
HZ
T
OHZ
T
OH
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
10
0
0
25
25
15
民
70
70
70
35
25
25
30
30
最大
SST30VR021/023-500
民
500
500
500
250
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T5.1 380
TRC
地址
TAA
TOH
数据输出
以前的数据有效
数据有效
380 ILL F02.0
图4 ： ROM
EAD
C
YCLE
T
即时通信
D
IAGRAM
(A
地址H1
C
ONTROLLED
） （ ROMCS ＃ = OE ＃ = V
IL
)
2001硅存储技术公司
S71135-02-000 4/01
380
5
QQ：2880707522 复制
