U/J/SST308
系列
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX ü / J / SST308系列
杰出高频增益
低高频率的噪音
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
结工作温度
最大功率耗散
连续功率耗散（J / SST ）
连续功率耗散（ U）
最大电流
栅电流（J / SST ）
栅电流（ U）
最大电压
栅漏
门源
-25V
-25V
10mA
20mA
350mW
500mW
D
S
1
单N沟道高
频率JFET
G
pg
= 11.5分贝
NF = 2.7分贝
TO-18
底部视图
D
2
3
J系列
TO-92
底部视图
S摹
G
-55 ℃150℃
-55 135℃
S
1
1 2 3
SST系列
SOT-23
顶视图
1
3
2
G
常用的电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
BV
GSS
V
GS （ F）
I
G
r
DS （ ON）
e
n
NF
G
pg
g
fg
g
og
特征
栅源击穿电压
门源正向电压
门工作电流
漏极至源极导通电阻
等效噪声电压
噪声系数
功率增益
2
民
-25
0.7
典型值
最大
1
单位
V
pA
纳伏/赫兹÷
条件
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0V
I
G
= 10毫安，V
DS
= 0V
V
DG
= 9V ，我
D
= 10毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安，
f
= 100Hz的
-15
35
6
f
= 105MHz
f
= 450MHz的
f
= 105MHz
f
= 450MHz的
f
= 105MHz
f
= 450MHz的
f
= 105MHz
f
= 450MHz的
1.5
2.7
16
11.5
14
13
0.16
0.55
dB
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安
mS
前锋
跨
输出电导
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
特定电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
V
GS （ OFF ）
I
DSS
C
国际空间站
C
RSS
g
fs
g
os
特征
门源截止电压
源极到漏极饱和电流
输入电容
反向传输电容
正向跨导
输出电导
3
典型值
J/SST308
民
-1
12
最大
-6.5
60
5
2.5
8
250
J/SST309
民
-1
12
最大
-4
30
5
2.5
10
250
J/SST310
民
-2
24
最大
-6.5
60
5
2.5
8
250
单位
V
mA
pF
mS
S
条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, V
GS
= -10V
f
= 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安
f
= 1kHz时
4
1.9
14
110
特定电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
V
GS （ OFF ）
I
DSS
C
国际空间站
C
RSS
g
fs
g
os
特征
门源截止电压
源极到漏极饱和电流
输入电容
反向传输电容
正向跨导
输出电导
3
典型值
U308
民
-1
12
最大
-6.5
60
5
2.5
10
250
U309
民
-1
12
最大
-4
30
5
2.5
10
250
U310
民
-2.5
24
最大
-6.5
60
5
2.5
10
250
单位
V
mA
pF
mS
S
条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, V
GS
= -10V
f
= 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安
f
= 1kHz时
4
1.9
14
110
TO-18
三导
0.195 DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
0.170
0.195
0.175
0.195
TO-92
0.130
0.155
0.045
0.060
SOT-23
0.89
1.03
1
1.78
2.05
0.37
0.51
LS XXX
YYWW
3
2
2.80
3.04
3 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
1.20
1.40
2.10
2.64
0.085
0.180
0.016
0.022
0.014
0.020
0.050
2
1
3
0.500
0.610
0.89
1.12
45°
0.046
0.036
0.048
0.028
1
2
3
0.013
0.100
0.55
尺寸
MILLIMETERS
0.095
0.105
0.045
0.055
尺寸
英寸。
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
测得最佳输入噪声匹配。
3.
脉冲测试： PW
≤
300μS ，占空比
≤
3%
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
1.
2.
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
U/J/SST308
系列
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX ü / J / SST308系列
杰出高频增益
低高频率的噪音
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
结工作温度
最大功率耗散
连续功率耗散（J / SST ）
连续功率耗散（ U）
最大电流
栅电流（J / SST ）
栅电流（ U）
最大电压
栅漏
门源
-25V
-25V
10mA
20mA
350mW
500mW
D
S
1
单N沟道高
频率JFET
G
pg
= 11.5分贝
NF = 2.7分贝
TO-18
底部视图
D
2
3
J系列
TO-92
底部视图
S摹
G
-55 ℃150℃
-55 135℃
S
1
1 2 3
SST系列
SOT-23
顶视图
1
3
2
G
常用的电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
BV
GSS
V
GS （ F）
I
G
r
DS （ ON）
e
n
NF
G
pg
g
fg
g
og
特征
栅源击穿电压
门源正向电压
门工作电流
漏极至源极导通电阻
等效噪声电压
噪声系数
功率增益
2
民
-25
0.7
典型值
最大
1
单位
V
pA
纳伏/赫兹÷
条件
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0V
I
G
= 10毫安，V
DS
= 0V
V
DG
= 9V ，我
D
= 10毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安，
f
= 100Hz的
-15
35
6
f
= 105MHz
f
= 450MHz的
f
= 105MHz
f
= 450MHz的
f
= 105MHz
f
= 450MHz的
f
= 105MHz
f
= 450MHz的
1.5
2.7
16
11.5
14
13
0.16
0.55
dB
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安
mS
前锋
跨
输出电导
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
特定电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
V
GS （ OFF ）
I
DSS
C
国际空间站
C
RSS
g
fs
g
os
特征
门源截止电压
源极到漏极饱和电流
输入电容
反向传输电容
正向跨导
输出电导
3
典型值
J/SST308
民
-1
12
最大
-6.5
60
5
2.5
8
250
J/SST309
民
-1
12
最大
-4
30
5
2.5
10
250
J/SST310
民
-2
24
最大
-6.5
60
5
2.5
8
250
单位
V
mA
pF
mS
S
条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, V
GS
= -10V
f
= 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安
f
= 1kHz时
4
1.9
14
110
特定电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
V
GS （ OFF ）
I
DSS
C
国际空间站
C
RSS
g
fs
g
os
特征
门源截止电压
源极到漏极饱和电流
输入电容
反向传输电容
正向跨导
输出电导
3
典型值
U308
民
-1
12
最大
-6.5
60
5
2.5
10
250
U309
民
-1
12
最大
-4
30
5
2.5
10
250
U310
民
-2.5
24
最大
-6.5
60
5
2.5
10
250
单位
V
mA
pF
mS
S
条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, V
GS
= -10V
f
= 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安
f
= 1kHz时
4
1.9
14
110
TO-18
三导
0.195 DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
0.170
0.195
0.175
0.195
TO-92
0.130
0.155
0.045
0.060
SOT-23
0.89
1.03
1
1.78
2.05
0.37
0.51
LS XXX
YYWW
3
2
2.80
3.04
3 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
1.20
1.40
2.10
2.64
0.085
0.180
0.016
0.022
0.014
0.020
0.050
2
1
3
0.500
0.610
0.89
1.12
45°
0.046
0.036
0.048
0.028
1
2
3
0.013
0.100
0.55
尺寸
MILLIMETERS
0.095
0.105
0.045
0.055
尺寸
英寸。
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
测得最佳输入噪声匹配。
3.
脉冲测试： PW
≤
300μS ，占空比
≤
3%
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
1.
2.
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
N沟道JFET
高频放大器
公司
J308 - J310 / SST308 - SST310
特点
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
漏极 - 栅极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25V
漏 - 源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25V
连续正向栅电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10mA
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+135
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 360MW
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.27mW /
o
C
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
SOT-23
G
TO-92
工业标准件的低成本塑料包装
高功率增益
低噪音
动态范围越大大于100dB
很容易匹配到75Ω输入
VHF / UHF放大器
振荡器
调音台
引脚配置
应用
订购信息
部分
包
温度范围
J308-310
塑料TO- 92
-55
o
C至+135
o
C
SST308-310塑料SOT- 23
-55
o
C至+135
o
C
对于运营商排序筹码见U308系列。
D
S
G
S
5021
产品标识（ SOT -23 ）
SST308
Z08
SST309
SST310
Z09
Z10
J308 - J310 / SST308 - SST310
公司
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
BV
GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
V
GS （ F）
g
fs
g
os
g
fg
g
og
参数
民
栅源击穿
电压
门反向电流
栅极 - 源
截止电压
饱和漏极电流
（注1 ）
栅极 - 源
正向电压
共源转发
跨
共源输出
导
共栅极正向
跨
通用门输出
导
13,000
150
8,000 17,000
250
13,000
150
-1.0
12
-25
-1.0
-1.0
-6.5
60
1.0
10,000 17,000
250
12,000
150
-1.0
12
308
典型值
最大
民
-25
-1.0
-1.0
-4.0
30
1.0
8,000
17,000
250
V
DS
= 10V
I
D
= 10毫安
（注2 ）
-2.0
24
309
典型值
最大
民
-25
-1.0
-1.0
-6.5
60
1.0
310
典型值
最大
V
nA
A
V
mA
V
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0
V
GS
= -15V,
V
DS
= 0
T
A
= 125
o
单位
测试条件
VDS = 10V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
DS
= 0, I
G
= 1毫安
S
F = 1kHz时
电气特性
（续） （T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
C
gd
C
gs
e
n
参数
栅 - 漏电容
栅极 - 源极电容
相当于短路
输入噪声电压
共源转发
跨
共栅输入
导
共源输入
导
共源输出
导
共栅功率增益
在噪声匹配
噪声系数
共栅功率增益
在噪声匹配
噪声系数
308
1.8
4.3
10
2.5
5.0
309
1.8
4.3
10
2.5
5.0
310
1.8
4.3
2.5
5.0
nV
单位
测试条件
V
DS
= 10V,
V
GS
= -10
F = 1MHz的
（注2 ）
F = 100Hz的
（注2 ）
最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
pF
V
DS
= 10V,
√
10
C4 ónVXIXBG ' QXóHzé
赫兹“
I
D
= 10毫安
12
14
0.4
0.15
16
1.5
11
2.7
dB
V
DS
= 10V,
I
D
= 10毫安
（注2 ）
Re
（ VFS ）
Re
（ VFG ）
Re
（ VIS）
Re
（沃斯）
G
pg
NF
G
pg
NF
12
14
0.4
0.15
16
1.5
11
2.7
12
14
0.4
0.15
16
1.5
11
2.7
S
F = 105MHz
F = 450MHz的
注：1 。
脉冲测试PW 300μS ，占空比
≤3%.
2.
仅供设计参考，未经100％测试。
焦耳/ SST / U308系列
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
J308
J309
J310
产品概述
产品型号
J308
J309
J310
SST308
SST309
SST310
U309
U310
SST308
SST309
SST310
U309
U310
V
GS （ OFF ）
(V)
1
to
6.5
1
to
4
2
to
6.5
1
to
6.5
1
to
4
2
to
6.5
1
to
4
2.5
to
6
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
25
25
25
25
25
25
25
25
g
fs
MIN（ ms）的
8
10
8
8
10
8
10
10
I
DSS
敏（毫安）
12
12
24
12
12
24
12
24
特点
D
优秀的高频增益：
GPS 11.5分贝@ 450 MHz的
D
非常低噪声： 2.7分贝@ 450 MHz的
D
非常低的失真
D
高AC / DC开关关断隔离
好处
D
D
D
D
D
宽带高增益
非常高的系统灵敏度
扩增的高品质
高速交换能力
高低电平信号放大
应用
D
D
D
D
高频放大器/混频器
振荡器
采样和保持
非常低电容开关
描述
在J / SST / U308系列提供了极好的放大特性。
特别感兴趣的是其高频性能。即使在450
兆赫，该系列提供了高功率增益低噪声。
低成本的J系列TO - 226AA （ TO- 92 ）封装支持
自动化装配与磁带和卷轴选项。在SST系列
TO- 236 （ SOT -23 ）封装，提供表面贴装能力
且提供带与卷筒的选项。该U系列
密封的TO- 206AC （ TO- 52 ）封装，支持全
军方处理。 （参见用于军事和包装信息
进一步的细节。 ）
对于包装在TO -78相似的双产品，见
U430 / 431的数据表。
TO-226AA
(TO-92)
D
S
1
D
1
TO-236
(SOT-23)
S
3
G
TO-206AC
(TO-52)
1
2
S
2
G
3
顶视图
J308
J309
J310
顶视图
SST308 （ Z8 ） *
SST309 （ Z9 ） *
SST310 （ Z0 ） *
*标识代码为TO- 236
2
D
顶视图
U309
U310
3
G和案例
应用程序信息，请参阅AN104 。
文档编号： 70237
S- 50149 -REV 。 H， 24 -JAN- 05
www.vishay.com
1
焦耳/ SST / U308系列
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
25
V
栅电流：
（J / SST前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
（U前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
1
/ “案件从10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
焊接温度（
16
存储温度：
（J / SST前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
至150℃
（U前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至175℃
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
至150℃
功耗：
（J / SST前缀）
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
（U前缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
B 。减免4毫瓦/ _C以上25_C
对于j / SST308 ，J / SST309和J / SST310规格（T
A
= 25°C除非另有说明）
范围
J/SST308
J/SST309
J/SST310
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
漏源导通电阻
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
a
MIN MAX MIN
最大最小
最大单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
=
1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1 NA
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
15
V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= 9 V，I
D
= 10毫安
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 10毫安
V
DS
= 0 V
J
35
25
1
12
6.5
60
1
1
25
1
12
4
30
1
1
25
2
24
6.5
60
1
1
V
V
mA
nA
mA
pA
W
0.002
0.001
15
35
0.7
1
1
1
V
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源
输入电容
常见的来源
共源
反向传输
电容
等效输入
噪声电压
g
fs
g
os
C
IISS
C
RSS
e
n
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 1千赫
J
V
DS
= 10 V
V
GS
=
10
V
10
F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 100赫兹
SST
J
SST
14
110
4
4
1.9
1.9
6
nV/
√Hz的
2.5
2.5
2.5
8
250
5
10
250
5
8
250
5
mS
mS
pF
高频
共栅
正向跨导
共栅
输出电导
共栅
共栅极功率增益
c
噪声系数
g
f
fg
g
og
G
pg
NF
F = 105兆赫
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
F = 450 MHz的
14
13
0.16
0.55
16
11.5
1.5
2.7
NZB
dB
mS
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。增益（G
pg
）测得最佳输入噪声匹配。
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2
文档编号： 70237
S- 50149 -REV 。 H， 24 -JAN- 05
焦耳/ SST / U308系列
Vishay Siliconix公司
规格FOR U309和U310 （T
A
= 25°C除非另有说明）
范围
U309
U310
参数
STATIC
栅源击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
漏源导通电阻
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
=
1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1 NA
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
15
V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= 9 V，I
D
= 10毫安
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 10 mA时， V
DS
= 0 V
35
25
1
12
4
30
25
2.5
24
6
60
V
V
mA
nA
mA
pA
W
0.002
0.001
15
35
0.7
0.15
0.15
0.15
0.15
1
1
V
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 1千赫
14
110
4
1.9
6
10
250
5
2.5
10
250
5
pF
2.5
nV/
√Hz的
mS
mS
V
DS
= 10 V, V
GS
=
10
V
F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 100赫兹
高频
共栅
正向跨导
共栅
输出电导
共栅
共栅极功率增益
C，D
g
f
fg
F = 105兆赫
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
G
pg
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
F = 450 MHz的
14
13
0.16
0.55
16
11.5
1.5
2.7
14
10
2
3.5
14
10
2
3.5
NZB
dB
mS
g
og
噪声系数
d
NF
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。增益（G
pg
）测得最佳输入噪声匹配。
。不是生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 70237
S- 50149 -REV 。 H， 24 -JAN- 05
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3
焦耳/ SST / U308系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
100
漏电流和跨导
与门源截止电压
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
50
g
fs
正向跨导（MS ）
栅极漏电流
10 nA的
I
G
@
I
D
= 10毫安
1 nA的
I
G
栅极泄漏
T
A
= 125_C
200毫安
I
DSS
饱和漏极电流（mA ）
80
40
60
g
fs
40
I
DSS
30
100 pA的
I
GSS
@ 125_C
200毫安
20
10 pA的
10毫安
1 pA的
T
A
= 25_C
I
GSS
@ 25_C
20
10
0
0
1
2
3
4
5
V
GS （ OFF ）
栅极 - 源截止电压（V）的
0
0.1帕
0
3
6
9
12
15
V
DG
漏极 - 栅极电压（V ）
100
r
DS （ ON）
漏源导通电阻（
)
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
300
20
共源正向跨导
与漏电流
V
GS （ OFF ）
=
3
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
g
os
输出电导（MS ）
g
fs
正向跨导（MS ）
80
240
16
T
A
=
55_C
12
60
r
DS
g
os
180
40
120
8
25_C
125_C
20
r
DS
@ I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
0
0
1
2
3
4
5
V
GS （ OFF ）
栅极 - 源截止电压（V）的
60
4
0
0
0.1
1
I
D
漏极电流（mA ）
10
15
输出特性
V
GS （ OFF ）
=
1.5
V
V
GS
= 0 V
30
输出特性
V
GS （ OFF ）
=
3
V
V
GS
= 0 V
12
I
D
漏极电流（mA ）
0.2
V
9
0.4
V
6
0.6
V
3
0.8
V
1.0
V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
D
漏极电流（mA ）
24
18
0.4
V
0.8
V
1.2
V
1.6
V
12
6
2.0
V
2.4
V
0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
DS
漏源极电压（ V）
文档编号： 70237
S- 50149 -REV 。 H， 24 -JAN- 05
V
DS
漏源极电压（ V）
www.vishay.com
4
焦耳/ SST / U308系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
20
输出特性
V
GS （ OFF ）
=
1.5
V
V
GS
= 0 V
50
输出特性
V
GS （ OFF ）
=
3
V
V
GS
= 0 V
16
I
D
漏极电流（mA ）
0.2
V
I
D
漏极电流（mA ）
40
0.4
V
30
0.8
V
1.2
V
1.6
V
10
2.0
V
2.4
V
0
2
4
6
8
10
12
0.4
V
8
0.6
V
0.8
V
1.0
V
20
4
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏源极电压（ V）
0
V
DS
漏源极电压（ V）
30
传输特性
V
GS （ OFF ）
=
1.5
V
V
DS
= 10 V
100
传输特性
V
GS （关闭
)
=
3
V
V
DS
= 10 V
24
I
D
漏极电流（mA ）
I
D
漏极电流（mA ）
80
18
T
A
=
55_C
25_C
60
T
A
=
55_C
25_C
12
40
6
125_C
20
125_C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
GS
栅源电压（ V）
0
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3
V
GS
栅源电压（ V）
30
g
fs
正向跨导（MS ）
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
=
1.5
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
50
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
=
3
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
24
g
fs
正向跨导（MS ）
T
A
=
55_C
25_C
40
T
A
=
55_C
18
125_C
12
30
25_C
20
6
10
125_C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
GS
栅源电压（ V）
0
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3
V
GS
栅源电压（ V）
文档编号： 70237
S- 50149 -REV 。 H， 24 -JAN- 05
www.vishay.com
5
焦耳/ SST / U308系列
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
J308
J309
J310
产品概述
产品型号
J308
J309
J310
SST308
SST309
SST310
U309
U310
SST308
SST309
SST310
U309
U310
V
GS （ OFF ）
(V)
-1到-6.5
-1至-4
-2至-6.5
-1到-6.5
-1至-4
-2至-6.5
-1至-4
± 2.5 ± 6
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
–25
–25
–25
–25
–25
–25
–25
–25
g
fs
MIN（ ms）的
8
10
8
8
10
8
10
10
I
DSS
敏（毫安）
12
12
24
12
12
24
12
24
特点
D
优秀的高频增益：
GPS 11.5分贝@ 450 MHz的
D
非常低噪声： 2.7分贝@ 450 MHz的
D
非常低的失真
D
高AC / DC开关关断隔离
好处
D
D
D
D
D
宽带高增益
非常高的系统灵敏度
扩增的高品质
高速交换能力
高低电平信号放大
应用
D
D
D
D
高频放大器/混频器
振荡器
采样和保持
非常低电容开关
描述
在J / SST / U308系列提供了极好的放大特性。
特别感兴趣的是其高频性能。即使在450
兆赫，该系列提供了高功率增益低噪声。
低成本的J系列TO - 226AA （ TO- 92 ）封装支持
自动化装配与磁带和卷轴选项。在SST系列
TO- 236 （ SOT -23 ）封装，提供表面贴装能力
且提供带与卷筒的选项。该U系列
密封的TO- 206AC （ TO- 52 ）封装，支持全
军方处理。 （参见用于军事和包装信息
进一步的细节。 ）
对于包装在TO -78相似的双产品，见
U430 / 431的数据表。
TO-226AA
(TO-92)
D
1
D
1
TO-236
(SOT-23)
S
3
G
TO-206AC
(TO-52)
1
S
2
S
2
G
3
顶视图
J308
J309
J310
顶视图
SST308 （ Z8 ） *
SST309 （ Z9 ） *
SST310 （ Z0 ） *
*标识代码为TO- 236
2
D
顶视图
U309
U310
3
G和案例
应用程序信息，请参阅AN104 。
文档编号： 70237
S- 04028 -REV 。 G， 04军， 01
www.vishay.com
7-1
焦耳/ SST / U308系列
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
栅电流：
（J / SST前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
（U前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
1
/ “案件从10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
焊接温度（
16
存储温度：
（J / SST前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
（U前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到175_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
功耗：
（J / SST前缀）
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
（U前缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
B 。减免4毫瓦/ _C以上25_C
对于j / SST308 ，J / SST309和J / SST310规格（T
A
= 25°C除非另有说明）
范围
J/SST308
J/SST309
J/SST310
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
漏源导通电阻
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
a
MIN MAX MIN
最大最小
最大单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1 NA
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= 9 V，I
D
= 10毫安
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 10毫安
V
DS
= 0 V
J
–35
–25
–1
12
–6.5
60
–1
–1
–25
–1
12
–4
30
–1
–1
–25
–2
24
–6.5
60
–1
–1
V
V
mA
nA
mA
pA
W
–0.002
–0.001
–15
35
0.7
1
1
1
V
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入
噪声电压
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
14
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 1千赫
J
V
DS
= 10 V
V
GS
= –10 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 100赫兹
SST
J
SST
110
4
4
1.9
1.9
6
nV/
√Hz的
2.5
2.5
2.5
pF
8
250
5
10
250
5
8
250
5
mS
mS
高频
共栅
正向跨导
共栅
输出电导
共栅功率增益
c
F = 105兆赫
g
fg
g
og
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
G
pg
NF
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
F = 450 MHz的
14
13
0.16
0.55
16
11.5
1.5
2.7
NZB
dB
mS
噪声系数
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。增益（G
pg
）测得最佳输入噪声匹配。
www.vishay.com
7-2
文档编号： 70237
S- 04028 -REV 。 G， 04军， 01
焦耳/ SST / U308系列
Vishay Siliconix公司
规格FOR U309和U310 （T
A
= 25°C除非另有说明）
范围
U309
U310
参数
STATIC
栅源击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
漏源导通电阻
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1 NA
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= 9 V，I
D
= 10毫安
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 10 mA时， V
DS
= 0 V
–35
–25
–1
12
–4
30
–25
–2.5
24
–6
60
V
V
mA
nA
mA
pA
W
–0.002
–0.001
–15
35
0.7
–
0.15
–
0.15
–
0.15
–
0.15
1
1
V
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= 10 V, V
GS
= –10 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 1千赫
14
110
4
1.9
6
10
250
5
2.5
10
250
5
pF
2.5
nV/
√Hz的
mS
mS
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 100赫兹
高频
共栅
正向跨导
共栅
输出电导
F = 105兆赫
g
fg
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
g
og
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
共栅功率增益
c
G
pg
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
噪声系数
NF
F = 450 MHz的
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。增益（G
pg
）测得最佳输入噪声匹配。
2.7
3.5
3.5
NZB
14
13
0.16
0.55
16
11.5
1.5
14
10
2
14
10
dB
2
mS
文档编号： 70237
S- 04028 -REV 。 G， 04军， 01
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7-3
焦耳/ SST / U308系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
100
漏电流和跨导
与门源截止电压
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
栅极漏电流
50
g
fs
- 正向跨导（MS ）
10 nA的
I
G
@
I
D
= 10毫安
1 nA的
I
G
- 栅极泄漏
T
A
= 125_C
200毫安
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
80
40
60
g
fs
40
I
DSS
30
100 pA的
I
GSS
@ 125_C
200毫安
20
10 pA的
10毫安
T
A
= 25_C
1 pA的
I
GSS
@ 25_C
20
10
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
0
0.1帕
0
3
6
9
12
15
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
100
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
300
20
共源正向跨导
与漏电流
V
GS （ OFF ）
= –3 V
g
os
- 输出电导（MS ）
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
g
fs
- 正向跨导（MS ）
80
240
16
T
A
= –55_C
12
60
r
DS
180
g
os
120
40
8
25_C
125_C
20
r
DS
@ I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
60
4
0
0
0.1
1
I
D
- 漏电流（mA ）
10
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
输出特性
15
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
12
I
D
- 漏电流（mA ）
–0.2 V
9
–0.4 V
6
–0.6 V
3
–0.8 V
–1.0 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
DS
- 漏源电压（ V）
www.vishay.com
0
0
0.2
I
D
- 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
24
30
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS
= 0 V
18
–0.4 V
–0.8 V
–1.2 V
12
–1.6 V
6
–2.0 V
–2.4 V
0.4
0.6
0.8
1
V
DS
- 漏源电压（ V）
文档编号： 70237
S- 04028 -REV 。 G， 04军， 01
7-4
焦耳/ SST / U308系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
V
GS
= 0 V
16
I
D
- 漏电流（mA ）
–0.2 V
I
D
- 漏电流（mA ）
40
–0.4 V
30
–0.8 V
–1.2 V
–1.6 V
10
–2.0 V
–2.4 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏源电压（ V）
0
0
2
4
6
8
10
50
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS
= 0 V
输出特性
12
–0.4 V
8
–0.6 V
–0.8 V
–1.0 V
20
4
V
DS
- 漏源电压（ V）
传输特性
30
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
24
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
= 10 V
80
100
传输特性
V
GS （关闭
)
= –3 V
V
DS
= 10 V
18
T
A
= –55_C
25_C
60
T
A
= –55_C
25_C
40
12
6
125_C
20
125_C
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
0
0
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
–3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨导与栅源电压
30
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
24
T
A
= –55_C
25_C
18
125_C
12
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
50
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
= –3 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
40
T
A
= –55_C
30
25_C
20
125_C
10
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
6
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
–3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 70237
S- 04028 -REV 。 G， 04军， 01
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7-5
SST308
N沟道JFET
线性系统替换停产的Siliconix SST308
在SST308是一个高频率的n沟道JFET的
提供广泛和低噪声性能。该
SOT- 23封装，非常适合对成本敏感的
应用程序和大量生产。
（见包装信息） 。
特点是什么？
DIRECTREPLACEMENTFORSILICONIXSST308
杰出高频增益
低高频率的噪音
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS@25°C
1
G
pg
=11.5dB
NF=2.7dB
最高温度
储存温度
‐55°Cto+150°C
高功率低噪声增益
工作结温
‐55°Cto+135°C
动态范围越大大于100dB
最大功率耗散
很容易匹配到75Ω输入
连续功率耗散
350mW
SST308应用：
最大电流
栅极电流
10mA
UHV / VHF放大器
最大电压不
调音台
栅漏电压或门源电压
‐25V
振荡器
SST308ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
MIN
（典型值） *
MAX`
盟
条件“
BV
GSS
门源击穿电压
‐25
‐‐
‐‐
V
V
DS
=0V,I
G
=‐1A
V
GS （ F）
门源正向电压
0.7
‐‐
1
V
DS
=0V,I
G
=10mA
V
GS （ OFF ）
门源截止电压
‐1
‐‐
‐6.5
V
DS
=10V,I
D
=1nA
2
I
DSS
漏极至源极饱和电流
12
‐‐
60
mA
V
DS
=10V,V
GS
=0V
I
G
GateOperatingCurrent(Note3)
‐‐
‐15
‐‐
pA
V
DG
=9V,I
D
=10mA
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
‐‐
35
‐‐
Ω
V
GS
=0V,I
D
=1mA
SST308DYNAMICELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
MIN
（典型值） *
MAX`
盟
条件“
g
fs
正向跨导
8
14
‐‐
mS
V
DS
=10V,I
D
=10mA,f=1kHz
g
os
输出电导
‐‐
110
250
S
C
国际空间站
输入电容
‐‐
4
5
pF
V
DS
=10V,V
GS
=‐10V,f=1MHz
C
RSS
反向传输电容
‐‐
1.9
2.5
e
n
等效噪声电压
6
‐‐
‐‐
内华达州/ √Hz的
V
DS
=10V,I
D
=10mA,f=100Hz
SST308HIGHFREQUENCYCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
MIN
TYP
MAX`
盟
条件“
SST308优点：
点击购买
噪声系数
功率增益
3
正向跨导
输出电导
f=105MHz
f=450MHz
f=105MHz
f=450MHz
f=105MHz
f=450MHz
f=105MHz
f=450MHz
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
1.5
2.7
16
11.5
14
13
0.16
0.55
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
dB
dB
mS
可用的软件包：
SST308采用SOT -23
SST308裸片。
SOT- 23 （顶视图）
NF
G
pg
g
fg
g
og
V
DS
=10V,I
D
=10mA
注1 - 绝对最大额定值的限制值，超过该SST308适用性可能受到损害。
注2 - 脉冲测试： PW ≤ 300μS ，占空比≤ 3 ％
Note3‐Measuredatoptimuminputnoisematch
Micross组件
欧洲
电话：+44 1603 788967
电子邮件：
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网址：
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