【512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位（ X8 ）小扇区闪存SST29SF512 / SST29S】,IC型号SST29VF040-55-4C-WH,SST29VF040-55-4C-WH PDF资料,SST29VF040-55-4C-WH经销商,ic,电子元器件-51电子网

512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位（ X8 ）小扇区闪存

SST29SF512 / SST29SF010 / SST29SF020 / SST29SF040

SST29VF512 / SST29VF010 / SST29VF020 / SST29VF040

SST29SF / VF512 / 010 / 020 / 0405.0 & 2.7V 512KB /为1Mb / 2MB / 4Mb的（ X8 ）字节编程，擦除小扇区闪存

初步规格

产品特点：

组织为64K ×8 / 128K ×8 / 256K ×8 / 512K ×8

单电压读写操作

- 5.0V -仅供SST29SF512 / 010 / 020 / 040

- 2.7-3.6V的SST29VF512 / 010 / 020 / 040

卓越的可靠性

- 耐力： 100,000次（典型值）

- 大于100年数据保存时间

低功耗：

- 工作电流10 mA（典型值）

- 待机电流：

30 μA （典型值） SST29SF512 / 010 / 020 / 040

1 μA （典型值）的SST29VF512 / 010 / 020 / 040

扇区擦除功能

- 统一的128字节扇区

快速读取访问时间：

= 55 ns的

= 70纳秒

锁存地址和数据

快速擦除和字节编程：

- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）

- 字节编程时间： 14 μs（典型值）

- 芯片重写时间：

1秒（典型值） SST29SF / VF512

2秒钟（典型值） SST29SF / VF010

4秒（典型值） SST29SF / VF020

8秒（典型值） SST29SF / VF040

自动写时序

- 内部V

GENERATION

检测写操作结束的

- 触发位

- 数据＃投票

TTL I / O的SST29SFxxx兼容性

对于SST29VFxxx CMOS I / O兼容性

JEDEC标准

- 闪存EEPROM的引脚及指令集

封装

- 32引脚PLCC

- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）

- 32引脚PDIP

产品说明

该SST29SF512 / 010 / 020 / 040和SST29VF512 / 010 /

020/040是64K ×8 / 128K ×8 / 256K ×8 / 512K ×8 CMOS

小扇区闪存（ SSF ）与SST的propri-制造

etary ，高性能CMOS SuperFlash技术。

分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入

实现更高的可靠性和可制造性与比较

另一种方法。该SST29SFxxx设备写

（编程或擦除）以4.5-5.5V的电源。该

SST29VFxxx设备写（编程或擦除）用2.7

3.6V电源。这些器件符合JEDEC标

准引脚为X8的回忆。

拥有高性能的字节编程时，

SST29SFxxx和SST29VFxxx设备提供了马克西

20微秒的妈妈字节编程时间。为了防止

无意中写的，他们有片上硬件和软件

洁具数据保护方案。设计，制造，

并测试了广泛的应用，这些光谱

器件还具有一个保证续航能力至少

10,000次。数据保留的额定功率为大于100

年。

该SST29SFxxx和SST29VFxxx设备适合于

需要方便和经济updat-应用

荷兰国际集团计划，配置或数据存储器。对于所有的系

统的应用程序，它们显著提高性能

2001硅存储技术公司

S71160-05-000 5/01

505

和可靠性，同时降低功耗。他们

擦除和编程比在本质上使用更少的能源

其他闪存技术。的总能量消耗的

是所施加的电压的函数，电流和时间

应用程序。因为对于任何给定的电压范围内，则超

Flash技术使用更少的电流进行编程，并具有

擦除时间更短，在任的总能量消耗

擦除或编程操作是低于其他闪存

技术。他们还可以提高灵活性，同时降低

成本为程序，数据和配置存储应用程序

阳离子。

SuperFlash技术提供固定的擦除和亲

克倍，独立擦除的数量/程序

已经发生的周期。因此，系统软件

或硬件没有被修改或降额，是

必要时与其他闪存技术，其擦除

并积累了擦除/编程亲次数的增加

克周期。

为了满足高密度的表面安装的要求，

SST29SFxxx和SST29VFxxx设备在提供32位

引脚PLCC和32引脚TSOP封装。 A 600万， 32针

PDIP ，也可为SST29SFxxx设备。参见图

1 ，2和3为插脚引线。

在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

SSF是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

规格若有变更，恕不另行通知。

512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位小扇区闪存

SST29SF512 / SST29SF010 / SST29SF020 / SST29SF040

SST29VF512 / SST29VF010 / SST29VF020 / SST29VF040

初步规格

设备操作

命令用于启动存储器操作功能

该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备

采用标准的微处理器写序列。一个COM

命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃

低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿

或CE ＃，先到为准过去。数据总线被锁存

WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。

第六WE ＃脉冲的边缘。内部擦除操作

第六WE ＃脉冲之后开始。最终擦除的操作

化可以通过数据＃查询或翻转确定

位的方法。参见图9的时序波形。所有的COM

在扇区擦除操作期间发出的要求主要

忽略不计。

芯片擦除操作

该SST29SFxxx和SST29VFxxx设备提供

芯片擦除操作，其允许用户擦除

整个存储器阵列的“1”状态。这是非常有用的时候

整个装置必须迅速删除。

通过执行六发起的芯片擦除操作

字节与软件数据保护指令序列

在过去的芯片擦除命令（ 10H ）地址为555H

字节序列。内部擦除操作开始

第六WE ＃或CE ＃上升沿，以先到为准

第一。在内部擦除操作，唯一有效的读

是翻转位或数据＃查询。请参阅表4的命令

序列，图10为时序图，图19为

的流程图。在芯片级时写入的任何命令

擦除操作将被忽略。

读

在SST29SFxxx和SST29VFxxx的读操作

设备通过CE＃和OE ＃控制，既要

低的系统，以获得从所述输出数据。 CE＃为

用于设备的选择。当CE＃为高电平时，芯片是

取消选中，仅消耗待机功耗。 OE ＃是

输出控制，并从输出用于门控数据

销。数据总线处于高阻抗状态时，无论

CE ＃或OE ＃为高电平。请参见读周期时序dia-

克进一步的细节（图4）。

字节编程操作

该SST29SFxxx和SST29VFxxx设备是亲

编程在逐字节的基础。在编程操作

包括三个步骤。第一步骤是三个字节负载

序列软件数据保护。第二步骤是

加载字节地址和字节的数据。在字节亲

克操作时，地址锁存在下降沿

边缘CE＃或WE＃，最后为准。该

数据被锁存， CE＃或WE＃上升沿

以先到为准。第三步是内部亲

克而操作之后的上升沿开始

第四WE＃或CE ＃，以先到为准。该计划

操作时，一旦启动，将完成，在20微秒。

参见图5和图6为WE ＃和CE＃控制程序

操作时序图，图16的流程图。

在编程操作期间，唯一有效的读操作

数据＃查询和翻转位。在内部编程

操作时，主机可以自由地执行其他任务。任何

在内部编程操作期间写入命令

将被忽略。

写操作状态检测

该SST29SFxxx和SST29VFxxx器件提供两个

软件方法来检测完成写的（亲

克或擦除）循环中，为了优化系统

写周期时间。该软件的检测包括两个台站

状态位：数据＃查询（ DQ

），并触发位（ DQ

）。该

写操作结束后的上升检测模式被使能

的WE＃边沿启动内部程序或

擦除操作。

非易失性写操作的实际完成是asynchro-

知性与系统;因此，无论是数据＃查询或

切换位读可以同时配合完成

的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能

获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组

flict有两种DQ

或者DQ

。为了防止杂散

排斥，如果错误的结果发生时，软件例程

应包括循环读取访问单元

附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则

设备已完成写周期，否则rejec-

化是有效的。

扇区擦除操作

扇区擦除操作可以使系统删除

设备上的一个扇区到扇区的基础。该SST29SFxxx和

SST29VFxxx提供扇区擦除模式。部门架构设计师用手工

tecture是基于128字节均匀的扇区大小。该

通过执行一个六字节级启动扇区擦除操作

与扇区擦除命令的命令序列（ 20H ）

和扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。部门

地址被锁存的6个WE＃的下降沿

脉冲，而命令（ 20H）被锁定在上升

2001硅存储技术公司

S71160-05-000 5/01

505

512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位小扇区闪存

SST29SF512 / SST29SF010 / SST29SF020 / SST29SF040

SST29VF512 / SST29VF010 / SST29VF020 / SST29VF040

初步规格

数据＃投票（ DQ

)

当SST29SFxxx和SST29VFxxx器件是在

内部编程操作，任何尝试读取DQ

将产生的真实数据的补码。一旦

程序操作完成后， DQ

会产生真正的

数据。该设备然后准备进行下一次操作。能很好地协同

荷兰国际集团内部擦除操作，任何尝试读取DQ

将

产生一个'0'。一旦内部擦除操作的COM

pleted ， DQ

将产生一个'1'。数据＃投票是有效的

之后的第4个WE ＃（或CE ＃）的上升沿脉冲的亲

克操作。对于扇区或全片擦除，数据＃ Poll-

ING是有效的后6个WE＃（或CE ＃）的上升沿

脉搏。参见图7为数据＃查询时序图

图17为一个流程图。

编程操作，提供最佳的保护

意外的写操作，如系统加电时

或断电。任何擦除操作需要包容

锡安六个字节装入序列。这些设备运

与软件数据保护永久启用。

请参阅表4为特定的软件命令代码。能很好地协同

荷兰国际集团SDP命令序列，无效命令会中止

该设备读取模式， T内

产品标识

产品标识模式标识的设备上进行

SST29SF512 ， SST29SF010 ， SST29SF020 ， SST29SF040

和

SST29VF512,

SST29VF010,

SST29VF020,

SST29VF040和制造商为SST。此模式可

可以通过软件来操作的访问。用户可以使用

软件产品标识操作来识别一部分

（即，使用设备ID ），当使用多个manufactur-

ERS在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表4的软件

操作时，图11为软件ID进入和读取

对于软件ID进入时序图和图18

命令序列流程图。

表1 ：P

RODUCT

DENTIFICATION

地址

制造商ID

器件ID

SST29SF512

SST29VF512

SST29SF010

SST29VF010

SST29SF020

SST29VF020

SST29SF040

SST29VF040

0001H

20H

21H

22H

23H

24H

25H

13H

14H

T1.1 505

切换位（ DQ

)

在内部编程或擦除操作，有关的任何

secutive尝试读出的DQ

会产生交变0

和1 ，即，切换0和1之间。当内部

编程或擦除操作完成后，触发将

停止。该设备然后准备进行下一次操作。该

之后的第4个WE ＃上升沿触发位是有效的（或

CE＃）脉冲编程操作。对于部门或削片

擦除，切换位之后第六个上升沿有效

WE＃（或CE ＃）脉冲。参见图8的翻转位时序dia-

克和图17的流程图。

数据

BFH

0000H

数据保护

该SST29SFxxx和SST29VFxxx设备同时提供

硬件和软件功能来保护非易失性数据

意外写操作。

硬件数据保护

噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5

NS不会启动写周期。

上电/掉电检测：写操作

抑制当V

低于2.5V的SST29SFxxx 。该

写操作被禁止时， V

小于1.5V 。为

SST29VFxxx.

写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃

高会抑制写操作。这可以防止不经意

在上电或掉电ENT写道。

产品标识模式退出/复位

为了返回到标准的读模式中，软件

产品标识模式必须退出。出口是accom-

通过发出软件ID退出命令plished

序列，它返回到设备的读操作。

请注意，该软件ID退出命令被忽略

在内部编程或擦除操作。见表4

软件命令代码，图12为时序波形

表格和图18为一个流程图。

软件数据保护（ SDP ）

该SST29SFxxx和SST29VFxxx提供JEDEC

对所有数据已批准的软件的数据保护方案

变更运行，即编程和擦除。任何程序

操作需要包含的一系列的三个字节

序列。三个字节装入序列用于启动

2001硅存储技术公司

S71160-05-000 5/01

505

512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位小扇区闪存

SST29SF512 / SST29SF010 / SST29SF020 / SST29SF040

SST29VF512 / SST29VF010 / SST29VF020 / SST29VF040

初步规格

UNCTIONAL

LOCK

IAGRAM

X解码器

超快闪

内存

地址

地址缓冲器&锁存器

y解码器

CE＃

OE ＃

WE＃

DQ7 - DQ0

505 ILL B1.1

控制逻辑

I / O缓冲器和数据锁存器

SST29SF / VF512 SST29SF / VF010 SST29SF / VF020 SST29SF / VF040

WE＃

VDD

A12

A15

A16

A18

VDD

A12

A15

A16

VDD

A12

A15

A16

VDD

A12

A15

SST29SF / VF040 SST29SF / VF020 SST29SF / VF010 SST29SF / VF512

SST29SF / VF512 SST29SF / VF010 SST29SF / VF020 SST29SF / VF040

DQ0

SST29SF / VF040 SST29SF / VF020 SST29SF / VF010 SST29SF / VF512

32 31 30

A17

A14

A13

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

A14

A13

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

A14

A13

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

A14

A13

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

32引脚PLCC

顶视图

14 15 16 17 18 19 20

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

VSS

505 ILL F02a.3

DQ1

DQ2

VSS

DQ3

DQ4

DQ5

DQ1

DQ2

VSS

DQ3

DQ4

DQ1

DQ2

VSS

DQ3

DQ4

图1 ：P

SSIGNMENTS FOR

32-

针

PLCC

2001硅存储技术公司

S71160-05-000 5/01

505

DQ6

512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位小扇区闪存

SST29SF512 / SST29SF010 / SST29SF020 / SST29SF040

SST29VF512 / SST29VF010 / SST29VF020 / SST29VF040

初步规格

SST29SF / VF040 SST29SF / VF020 SST29SF / VF010 SST29SF / VF512

A11

A13

A14

A17

WE＃

VDD

A18

A16

A15

A12

A11

A13

A14

A17

WE＃

VDD

A16

A15

A12

A11

A13

A14

WE＃

VDD

A16

A15

A12

A11

A13

A14

WE＃

VDD

A15

A12

SST29SF / VF512 SST29SF / VF010 SST29SF / VF020 SST29SF / VF040

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VSS

DQ2

DQ1

DQ0

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VSS

DQ2

DQ1

DQ0

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VSS

DQ2

DQ1

DQ0

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VSS

DQ2

DQ1

DQ0

标准引脚

顶视图

死亡最多

505 ILL F01.2

图2 ：P

SSIGNMENTS FOR

32-

针

TSOP （ 8

SST29SF040 SST29SF020 SST29SF010 SST29SF512

)

SST29SF512 SST29SF010 SST29SF020 SST29SF040

A18

A16

A15

A12

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

A16

A15

A12

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

A16

A15

A12

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

A15

A12

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

32-pin

PDIP

顶视图

VDD

WE＃

A14

A13

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

505 ILL F02b.4

VDD

WE＃

A14

A13

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VDD

WE＃

A17

A14

A13

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VDD

WE＃

A17

A14

A13

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

图3 ：P

SSIGNMENTS FOR

32-

针

PDIP

2001硅存储技术公司

S71160-05-000 5/01

505

4兆位（ X8 ）小扇区闪存

SST29SF040 / SST29VF040

SST29SF / VF0404Mb （ X8 ）字节编程，小扇区闪存

数据表

产品特点：

组织为512K ×8

单电压读写操作

- 4.5-5.5V ，仅供SST29SF040

- 2.7-3.6V的SST29VF040

卓越的可靠性

- 耐力： 100,000次（典型值）

- 大于100年数据保存时间

低功耗（ 5 MHz时典型值）

- 工作电流10 mA（典型值）

- 待机电流：

30 μA （典型值）的SST29SF040

1 μA （典型值）的SST29VF040

扇区擦除功能

- 统一的128字节扇区

快速读取访问时间：

- 55纳秒的SST29SF040

- 55 ns到70 ns的为SST29VF040

锁存地址和数据

快速擦除和字节编程：

- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）

- 字节编程时间： 14 μs（典型值）

- 芯片重写时间：8秒（典型值）

自动写时序

- 内部V

GENERATION

检测写操作结束的

- 触发位

- 数据＃投票

TTL I / O的SST29SF040兼容性

为SST29VF040 CMOS I / O兼容性

JEDEC标准

- 闪存EEPROM的引脚及指令集

封装

- 32引脚PLCC

- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）

产品说明

该SST29SF040和SST29VF040是512K ×8 CMOS

小扇区闪存（ SSF ）与SST的propri-制造

etary ，高性能CMOS SuperFlash技术。

分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入

实现更高的可靠性和可制造性与比较

另一种方法。该SST29SF040设备写

（编程或擦除）以4.5-5.5V的电源。该

SST29VF040设备写（编程或擦除）用2.7

3.6V电源。这些器件符合JEDEC

标准引脚为x8的回忆。

拥有高性能的字节编程时，

SST29SF040和SST29VF040设备提供了马克西

20微秒的妈妈字节编程时间。为了防止

无意中写的，他们有片上硬件和软件

洁具数据保护方案。设计，制造，

并测试了广泛的应用，这些光谱

器件还具有一个保证续航能力，在

至少10,000次。数据保留的额定功率为大于

100年。

该SST29SF040和SST29VF040器件适用

对于需要方便和经济的应用

更新程序，配置或数据存储器。为

所有的系统应用程序，它们显著改善perfor-

曼斯和可靠性，同时降低功耗。

他们擦除和亲时会本能地使用更少的能源

克比其他闪存技术。的总能量

消耗是所施加电压的函数，电流和

应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则

2004硅存储技术公司

S71160-10-000

2/04

SuperFlash技术的编程电流小，

具有擦除时间更短，总的能量消耗能很好地协同

荷兰国际集团的任何擦除或编程操作小于替代

闪存技术。他们还提高了灵活性，同时低

化工e圈的成本为程序，数据和配置存储

应用程序。

SuperFlash技术提供固定的擦除和亲

克倍，独立擦除的数量/程序

已经发生的周期。因此，系统软件

或硬件没有被修改或降额，是

必要时与其他闪存技术，其

擦除和编程累积次数的增加

擦除/编程周期。

为了满足高密度的表面安装的要求，

SST29SF040和SST29VF040器件提供32位

引脚PLCC和32引脚TSOP封装。见图1

和2引脚分配。

设备操作

命令用于启动存储器操作功能

该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备

采用标准的微处理器写序列。一个COM

命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃

低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿

或CE ＃，先到为准过去。数据总线被锁存

WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。

在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

SSF是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

规格若有变更，恕不另行通知。

4兆位小部门的Flash

SST29SF040 / SST29VF040

数据表

读

该SST29SF040的读操作和

SST29VF040设备通过CE＃和OE ＃控制，

既要低的系统，以获得从所述数据

输出。 CE＃用于器件选择。当CE＃为

高，芯片被取消选中，只有待机功耗所配置

SUMED 。 OE＃为输出控制，用于栅极的数据

从输出引脚。数据总线处于高阻

状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。参考读

对于进一步的细节周期的时序图（图3）。

芯片擦除操作

该SST29SF040和SST29VF040设备提供

芯片擦除操作，其允许用户擦除

整个存储器阵列的“1”状态。这是非常有用的时候

整个装置必须迅速删除。

通过执行六发起的芯片擦除操作

字节与软件数据保护指令序列

在过去的芯片擦除命令（ 10H ）地址为555H

字节序列。内部擦除操作开始

第六WE ＃或CE ＃上升沿，以先到为准

第一。在内部擦除操作，唯一有效的读

是翻转位或数据＃查询。请参阅表4的命令

序列，图9为时序图，图18为

的流程图。在芯片级时写入的任何命令

擦除操作将被忽略。

字节编程操作

该SST29SF040和SST29VF040器件亲

编程在逐字节的基础。编程之前，

其中字节存在的扇区必须完全擦除。该

程序操作完成三个步骤。第一

步骤是软件数据亲的3字节装入序列

保护。第二步骤是要加载的字节地址和字节

数据。在字节编程操作时，地址

被锁存， CE＃或WE＃的下降沿，

为准过去。该数据被锁存的上升

任CE ＃或WE ＃边沿，以先到为准。该

第三步是内部编程操作，这是initi-

后ated的第4个WE ＃或CE ＃，上升沿，而─

先出现。编程操作，一旦启动，将

完成，在20微秒。请参阅图4和图5为WE＃

和CE ＃控制的编程操作时序图

图15的流程图。在程序操作

化，唯一有效的读操作是数据＃查询和翻转位。

在内部编程操作，主机可以自由地

执行其他任务。在写任何命令

内部编程操作将被忽略。

写操作状态检测

该SST29SF040和SST29VF040设备提供

两种软件方法来检测完成一撇

（编程或擦除）循环中，为了优化系统

写周期时间。该软件的检测包括两个

状态位：数据＃查询（ DQ

），并触发位（ DQ

写操作结束检测模式的利培后启用

的WE＃的边沿启动内部程序或

擦除操作。

非易失性写操作的实际完成是异步的

异步的与系统;因此，无论是数据＃ Poll-

荷兰国际集团或翻转位的读操作可以同时与

在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统

可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以

看来无论是与DQ发生冲突

或者DQ

。为了预

泄杂散抑制，如果一个错误的结果发生时，该

软件程序应包括循环读取

访问的位置的附加两（2）倍。如果两个

读数都是有效的，则该设备已完成写

周期，否则拒绝是有效的。

扇区擦除操作

扇区擦除操作可以使系统删除

设备上的一个扇区到扇区的基础。该SST29SF040和

SST29VF040提供扇区擦除模式。部门架构设计师用手工

tecture是基于128字节均匀的扇区大小。该

通过执行一个六字节级启动扇区擦除操作

与扇区擦除命令的命令序列（ 20H ）

和扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。部门

地址被锁存的6个WE＃的下降沿

脉冲，而命令（ 20H）被锁定在上升

第六WE ＃脉冲的边缘。内部擦除操作

第六WE ＃脉冲之后开始。最终擦除的操作

化可以通过数据＃查询或翻转确定

位的方法。参见图8的时序波形。所有的COM

在扇区擦除操作期间发出的要求主要

忽略不计。

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SST29SF040 / SST29VF040

数据表

数据＃投票（ DQ

)

当SST29SF040和SST29VF040设备

在内部编程操作，任何尝试读取

将产生的真实数据的补码。一旦

程序操作完成后， DQ

会产生

真正的数据。请注意，即使DQ

可能有合法

数据立即完成内部的下面

写操作时，剩余的数据输出仍然可能是

无效：整个数据总线上的有效数据将出现在

1间隔之后的后续读周期

微秒。在内部擦除操作，任何尝试读取

会产生一个'0'。一旦内部擦除操作

完成后， DQ的

将产生一个'1'。该数据＃查询

之后的第4个WE ＃（或CE ＃）的上升沿有效脉冲

对于编程操作。对于扇区或芯片擦除时，

数据＃查询后的第6个WE ＃上升沿有效

（或CE ＃）脉冲。参见图6数据＃投票时间dia-

克和图16为一个流程图。

软件数据保护（ SDP ）

该SST29SF040和SST29VF040提供JEDEC

对所有数据已批准的软件的数据保护方案

修改操作，即编程和擦除。任何亲

克操作需要包含一系列的三

字节序列。这三个字节装入序列用于

启动编程操作，提供最佳的保护

防止意外写操作，如系统中

上电或断电。任何擦除操作要求

包括六个字节装入序列。这些设备是

与软件数据保护永久发货

启用。请参阅表4为特定的软件命令

码。在SDP命令序列，无效的COM

指令都会中止设备读取模式， T内

RC 。

产品标识

产品标识模式标识的设备上进行

SST29SF040或SST29VF040和制造商为SST。

这种模式可以由软件操作来访问。用户

可以使用该软件产品的识别操作，以

识别部分（即使用设备ID ），使用多的时候

PLE制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅

表4对软件的操作，图10为软件ID

进入和读取时序图，图17为软

洁具ID进入命令序列流程图。

表1 ：P

RODUCT

DENTIFICATION

地址

制造商ID

器件ID

SST29SF040

SST29VF040

0000H

0001H

数据

BFH

13H

14H

T1.2 1160

切换位（ DQ

)

在内部编程或擦除操作，有关的任何

secutive尝试读出的DQ

会产生交替'0'

和'1' ，即0和1之间切换。当内部

编程或擦除操作完成后，触发将

停止。该设备然后准备进行下一次操作。该

之后的第4个WE ＃上升沿触发位是有效的（或

CE＃）脉冲编程操作。对于部门或削片

擦除，切换位之后第六个上升沿有效

WE＃（或CE ＃）脉冲。参见图7翻转位时序dia-

克和图16为一个流程图。

数据保护

该SST29SF040和SST29VF040器件提供

硬件和软件功能来保护非易失性数据

意外写操作。

产品标识模式退出/复位

为了返回到标准的读模式中，软件

产品标识模式必须退出。出口是accom-

通过发出软件ID退出命令plished

序列，它返回到设备的读操作。

请注意，该软件ID退出命令被忽略

在内部编程或擦除操作。见表4

软件命令代码，图11为时序波形

形成，并且图17为一个流程图。

硬件数据保护

噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5

NS不会启动写周期。

上电/掉电检测：写操作

抑制当V

低于2.5V的SST29SF040 。该

写操作被禁止时， V

小于1.5V 。为

SST29VF040.

写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃

高会抑制写操作。这可以防止不经意

在上电或掉电ENT写道。

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SST29SF040 / SST29VF040

数据表

UNCTIONAL

LOCK

IAGRAM

X解码器

超快闪

内存

地址

地址缓冲器&锁存器

y解码器

CE＃

OE ＃

WE＃

DQ7 - DQ0

1160 B1.0

控制逻辑

I / O缓冲器和数据锁存器

WE＃

VDD

A12

A15

A16

A18

DQ0

32 31 30

A17

A14

A13

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

32引脚PLCC

顶视图

14 15 16 17 18 19 20

DQ1

DQ2

VSS

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

1160 32 - PLCC P01.0

图1 ：P

SSIGNMENTS FOR

32-

领导

PLCC

A11

A13

A14

A17

WE＃

VDD

A18

A16

A15

A12

标准引脚

顶视图

死亡最多

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VSS

DQ2

DQ1

DQ0

1160 32 - TSOP P02.0

图2 ：P

SSIGNMENTS FOR

32-

领导

TSOP （ 8

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)

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数据表

表2 ：P

ESCRIPTION

符号

MS1

-A

-DQ

引脚名称

地址输入

数据输入/输出

功能

提供的内存地址。在扇区擦除

-A

地址线用于选择

部门。

要在读周期输出数据，并在写周期接收输入数据。

数据在一个写周期内锁定。

输出处于三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。

要激活设备时， CE＃为低。

到栅极上的数据输出缓冲器。

要控制写操作。

提供电源电压：

4.5-5.5V的SST29SF040

2.7-3.6V的SST29VF040

CE＃

OE ＃

WE＃

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

无连接

引脚没有内部连接

T2.4 1160

1. A

=最显著地址

= A

对于SST29SF / VF040

表3 ：O型

PERATION

副执行秘书办公室

选举

模式

读

节目

抹去

待机

写禁止

产品标识

软件模式

见表4

T3.4 1160

CE＃

OE ＃

WE＃

OUT

高Z

高Z / D

OUT

高Z / D

OUT

地址

扇区地址，

XXH芯片擦

1. X可以是V

或V

，但没有其他价值。

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