1兆位（ 128K ×8 ）页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE0101Mb页面模式闪速存储器
数据表
产品特点：
单电压读写操作
- 5.0V -仅供SST29EE010
- 3.0-3.6V的SST29LE010
- 2.7-3.6V的SST29VE010
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
- 工作电流：20 mA（典型值）的5V和10毫安
（典型值）为3.0 / 2.7V
- 待机电流： 10 μA （典型值）
快速页写操作
- 每个页， 1024页128字节
- 页面 - 写周期： 5毫秒（典型值）
- 完整的存储器重写： 5秒（典型值）
- 有效字节写周期时间： 39 μs（典型值）
快速读取访问时间
- 5.0V的管理： 70和90纳秒
- 3.0-3.6V操作： 150和200纳秒
- 2.7-3.6V操作： 200和250纳秒
锁存地址和数据
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
写检测结束
- 触发位
- 数据＃投票
硬件和软件数据保护
产品标识可通过以下方式访问
软件操作
TTL I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （8毫米X 14毫米尺寸8mm x 20毫米）
- 32引脚PDIP
产品说明
该SST29EE / LE / VE010是128K ×8 CMOS页写
EEPROM的制造与SST专有的，高性
formance CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代比较
的方法。该SST29EE / LE / VE010写入与单个
电源。内部擦除/编程是透明的
用户。该SST29EE / LE / VE010符合JEDEC标
准引脚为字节宽的回忆。
拥有高性能的页面写的SST29EE / LE /
VE010提供39微秒典型的字节写入时间。该
整个存储器，即128千字节，可以被写入页逐
在少至5秒，在使用界面功能页
如翻转位或数据＃投票指示完井
化一个写周期。为了防止意外写操作，
在SST29EE / LE / VE010具有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计，制造，
并测试了广泛的应用中，光谱
SST29EE / LE / VE010提供有保证的页面 -
写10,000次的耐力。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST29EE / LE / VE010适合于应用
需要程序方便和经济的升级，
配置或数据存储器。对于所有系统应用，
在SST29EE / LE / VE010显著改善性能
和可靠性，同时降低功耗。该
SST29EE / LE / VE010提高灵活性，同时降低了
成本为程序，数据和配置存储应用
系统蒸发散。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST29EE / LE / VE010提供32引脚PLCC和32
引脚TSOP封装。 A 600密耳， 32引脚PDIP封装
也可提供。参见图1 ，图2和3为插脚引线。
设备操作
SST的页面模式的EEPROM提供电路中的电
写能力。该SST29EE / LE / VE010不需要
单独的擦除和编程操作。国内
定时写周期执行两个擦除和编程传输
parently给用户。该SST29EE / LE / VE010具有行业
试着标准可选软件数据保护，这SST
建议总是被激活。该SST29EE / LE /
VE010与行业标准兼容的EEPROM
引脚和功能。
2001硅存储技术公司
S71061-07-000 6/01
304
1
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
SSF是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
1兆位页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
数据表
读
在SST29EE / LE / VE010的读操作是CON-
通过CE＃和OE ＃受控，都具有很低的系统
以获得从所述输出数据。 CE＃用于器件
选择。当CE＃为高电平时，芯片被取消选中，
只有待机功耗。 OE＃为输出控制
并用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线
处于高阻抗状态，当CE＃或OE ＃为高电平。
请参考更多详细信息的读周期时序图
（图4） 。
由一个特定的3字节装入序列，允许
写选定的页面，将离开SST29EE /
LE / VE010保护的页面，写结尾。该
页面加载周期由负载1 128个字节的数据
到页缓冲器。内部写周期包括的
T
BLCO
超时和写入定时器操作。在
写操作，唯一有效的读操作是数据＃投票和
触发位。
页面 - 写操作允许多达128的装载
数据的字节数进SST29EE的页缓冲器/ LE /
VE010前内部写周期的开始。能很好地协同
荷兰国际集团的内部写入周期中，所有的数据在页面缓冲器是
同时被写入到存储器阵列。因此，该
SST29EE / LE / VE010的页面写入功能，使整个
存储将要写入在低至5秒。在
内部写周期中，主机可以自由地执行其他
的任务，比如抓取从在系的其它位置数据
TEM成立写入到下一个页面。在每一个页面，写
被加载到页缓冲器的操作，所有的字节
必须具有相同的页面地址，即甲
7
至A
16
。任何
字节不加载用户数据将被写入FFH 。
请参阅图5和图6为页 - 写周期时序dia-
克。如果完成了三字节的SDP负载的后
序或初始字节负载周期，主机加载一个仲
一个字节的负载周期时间内OND字节到页缓冲器
(T
BLC
）为100μs时， SST29EE / LE / VE010会留在
页面加载周期。附加的字节，然后装入次连续
tively 。页面加载周期将在没有额外终止
tional字节装入内200 μs的页缓冲器
(T
BLCO
）从最后的字节装载周期，也就是说，不存在后续的
WE＃或CE ＃高到低在最后一个上升沿转变
的WE＃或CE ＃ 。在页缓冲器中的数据可以通过改变
随后的字节负载循环。可以在页面加载阶段
无限期地继续下去，只要主机继续加载
为100μs的字节装载周期时间内的设备。该
页被加载是由页地址确定
的最后一个字节加载。
写
本页面写入到SST29EE / LE / VE010要经常
采用JEDEC标准的软件数据保护（ SDP ）
3字节的命令序列。该SST29EE / LE / VE010
包含可选的JEDEC核准的软件数据亲
tection方案。 SST建议SDP永远是
使能，由此，写入操作的描述将
利用使能的SDP格式进行说明。三字节
SDP启用和SDP写命令是相同的;
因此，任何时候一个SDP的Write指令发出后，软
洁具数据保护，自动保证。第一
时间的三字节的SDP给出命令，该设备
成为SDP启用。随后发行的同
命令绕过该页面作为数据保护
写的。在所希望的页，写结束时，整个
设备仍然受保护。有关更多说明，
请参阅应用笔记，
正确使用
JEDEC标准软件数据保护
和
保护
对无意识使用单电源时
供应闪存。
的写操作包括三个步骤。步骤1是
软件数据保护3字节装入序列。
步骤2是字节负载周期的页缓冲器
SST29EE / LE / VE010 。步骤1和步骤2使用相同的时间
对于这两种操作。第3步是内部控制的写
周期为写入页缓冲器加载到所述数据
存储器阵列为非易失性存储。期间都在SDP
3字节装入序列和字节负载周期内，
地址是由在CE＃的下降沿锁存或
WE＃ ，最后的为准。该数据由利培锁存
荷兰国际集团的CE＃或WE＃边沿，以先到为准。该
内部写周期是通过T启动
BLCO
之后，定时器
上升WE＃或CE ＃ ，以先到者为准的边缘。该
写周期，一旦启动，将继续完成，典型
美云在5毫秒。参见图5和图6为WE＃和CE ＃
控制页面 - 写周期的时序图和图
15和17的流程图。
写操作有三个功能循环：该软
洁具数据保护负载序列，页面加载的过程，
和内部写周期。该软件数据保护
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软件芯片擦除
该SST29EE / LE / VE010提供了全片擦除操作，
这使用户可以同时清除整个
存储器阵列的“1”状态。这是有用的，当整个
设备必须快速擦除。
通过使用启动软件芯片擦除操作
具体为6个字节装入序列。装载序列后，
该器件进入内部定时的周期相似，
写周期。在擦除操作，唯一有效的读
是触发位。见装载序列表4 ，图10
时序图，图19为流程图。
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2
1兆位页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
数据表
写操作状态检测
该SST29EE / LE / VE010提供了两种软件方法来
检测完成一个写周期，为了优化
该系统写周期时间。该软件检测
包含两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
），并触发位
（ DQ
6
） 。写检测模式结束后启用
WE＃或CE ＃上涨以先到为准，从而启动
内部写周期。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST29EE / LE / VE010提供了JEDEC核准
所有的数据替代方案可选软件数据保护方案
ATION操作，即写和芯片擦除。与此
方案中，任何写操作需要包含的
一系列的三个字节装入操作的数据先于
装入操作。三个字节装入序列用于
启动写周期，从提供最佳的保护
意外的写操作，如系统加电时
或断电。该SST29EE / LE / VE010发货
与软件数据保护禁用。
软件保护方案可以通过硐启用
荷兰国际集团一个3字节的序列的装置，页级中
负载循环（图5和6）。该设备将被自动
matically设置到数据保护模式。任何后续
写操作都需要在前面的三字节
序列。请参阅表4为特定的软件命令
代码和图5和6的时序图。设置
器件进入未受保护模式中，一个6字节的序列
是必须的。请参阅特定代码表4和图9
为时序图。如果一个写操作时试图SDP是
启用该设备将处于不可访问状态
300微秒。 SST推荐软件数据保护
总是被激活。参见图17的流程图。
该SST29EE / LE / VE010软件数据保护是一个
全局命令，保护（或解除）中的所有页面
整个存储器阵列一旦启用（或禁用） 。 There-
使用SDP用于单页，写使SDP的前
整个阵列。单页本身不能
SDP启用或禁用。
单电源供电，可重编程非易失性memo-
里斯可能会无意中改变。 SST强烈recom-
门兹的软件数据保护（ SDP ）总是
启用。该SST29EE / LE / VE010应编程
使用SDP命令序列。 SST建议
SDP禁用命令序列不发出来的
设备前写作。
请参考以下应用笔记的详细
使用SDP信息：
防止无意识当
使用单电源闪存产品
正确使用JEDEC标准软件
数据保护
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST29EE / LE / VE010是在内部写
周期，任何尝试读取DQ
7
的最后一个字节装入能很好地协同的
荷兰国际集团的字节负载周期将收到的补
真正的数据。一旦写周期完成时， DQ的
7
将
展现真实的数据。该设备然后准备下一次操作
化。参见图7为数据＃查询时序图和图 -
茜16为一个流程图。
切换位（ DQ
6
)
在内部写周期，任何尝试连续
阅读DQ
6
会产生交替的0和1 ，即肘
0和1之间。当写周期完成时，该
触发将停止。该设备然后准备进行下一次
操作。参见图8的触发位时序图
图16为一个流程图。切换位的初始读
通常将一个“1”。
数据保护
该SST29EE / LE / VE010提供硬件和软件
洁具功能，以防止意外的非易失性数据
写道。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于2.5V 。
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1兆位页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
数据表
产品标识
该产品识别方式识别该设备作为
SST29EE / LE / VE010和制造商为SST。此模式
通过软件访问。有关详细信息，请参阅表4 ，图
11软件ID进入和读取时序图和
图18，为ID条目命令序列的流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST29EE010
SST29LE010
SST29VE010
0001H
0001H
0001H
07H
08H
08H
T1.3 304
产品标识模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。退出是
通过发出软件ID退出（复位）操作完成
化，它返回设备的读操作。该
复位操作，也可以使用该设备复位为
一个无意的瞬态条件后阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。参见表4软件命令
码，图12为时序波形，图18为一
流程图。
数据
BFH
0000H
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
X解码器
超快闪
内存
A16 - A0
地址缓冲器&门锁
Y型解码器和页锁存器
CE＃
OE ＃
WE＃
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
DQ7 - DQ0
WE＃
VDD
304 ILL B1.1
A12
A15
A16
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
32引脚PLCC
顶视图
21
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
304 ILL F02.3
图1 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
领导
PLCC
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4
1兆位页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
数据表
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE＃
VDD
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
304 ILL F01.2
标准引脚
顶视图
死亡最多
图2 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
领导
TSOP
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
32-pin
6
PDIP
7
8
顶视图
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VDD
WE＃
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
304 ILL F19.0
图3 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
PDIP
表2 ：P
IN
D
ESCRIPTION
符号
A
16
-A
7
A
6
-A
0
引脚名称
行地址输入
列地址输入
数据输入/输出
功能
提供的内存地址。行地址定义一个页面的写周期。
列地址被切换到页面加载数据
要在读周期输出数据，并在写周期接收输入数据。
数据在一个写周期内锁定。
输出处于三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE＃为低。
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作。
提供：
5.0V电源（ ±10％）为SST29EE010
3.0V电源（ 3.0-3.6V ）的SST29LE010
2.7V电源（ 2.7-3.6V ）的SST29VE010
DQ
7
-DQ
0
CE＃
OE ＃
WE＃
V
DD
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
V
SS
NC
地
无连接
未连接引脚。
T2.1 304
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1兆位（ 128K ×8 ）页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
数据表
产品特点：
单电压读写操作
- 5.0V -只为SST29EE010
- 3.0-3.6V的SST29LE010
- 2.7-3.6V的SST29VE010
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
- 工作电流：20 mA（典型值）的5V和
10毫安（典型值）为3.0 / 2.7V
- 待机电流： 10 μA （典型值）
快速页写操作
- 每个页， 1024页128字节
- 页面 - 写周期： 5毫秒（典型值）
- 完整的存储器重写： 5秒（典型值）
- 有效字节写周期时间： 39微秒
（典型值）
快速读取访问时间
- 5.0V的管理： 90和120纳秒
- 3.0-3.6V操作： 150和200纳秒
- 2.7-3.6V操作： 200和250纳秒
锁存地址和数据
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
写检测结束
- 触发位
- 数据＃投票
硬件和软件数据保护
TTL I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 20毫米，采用8mm x 14毫米）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
产品说明
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010是128K ×8
CMOS页，写的EEPROM制造与SST的
专有的高性能CMOS超快闪技
术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道 -
荷兰国际集团注入器可实现更高的可靠性和可制造性
与其他方法相比。该
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010写跟单
电源。内部擦除/编程是透明的
该用户。该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010
符合JEDEC标准的引脚排列字节宽
回忆。
拥有高性能的页面写的
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供了一个典型的针对字节
写的39微秒的时间。整个存储器，即， 128
千字节，可以在少至5被写入页逐页
秒，在使用界面功能，如切换
位或数据＃投票指示完成写的
周期。为了防止意外写操作时，
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010具有片上硬件
洁具和软件数据保护方案。设计，
制，以及用于广泛的应用范围测试
中，请在SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供
具有10保证页 - 写耐力
4
周期。
数据保留的额定功率为100年以上。
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010适合于AP-
需要方便和经济updat-褶皱
荷兰国际集团计划，配置或数据存储器。对于所有
系统的应用， SST29EE010 / 29LE010 /
29VE010显著提高性能和了可靠性
性，同时降低功耗。该
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提高灵活性
同时降低成本为程序，数据和组态
灰存储应用。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供32引脚
TSOP （8毫米X 20毫米采用8mm x 14毫米）和32引脚
PLCC封装。 A 600密耳， 32引脚PDIP封装也
可用。参见图1和图2的引脚排列。
设备操作
SST的页面模式的EEPROM提供电路中的电
写能力。该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010
不需要单独的擦除和编程操作
系统蒸发散。内部定时写周期执行两个
擦除和编程对用户透明。该
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010具有行业标
准可选软件数据保护，其中SST
建议总是被激活。该SST29EE010 /
29LE010 / 29VE010与业界兼容标
准EEPROM的引脚和功能。
读
该SST29EE010的读操作/ 29LE010 /
29VE010均通过CE ＃和OE ＃控制，两者都要
是低的系统，以获得从所述输出数据。
CE＃用于器件选择。当CE＃为高电平时，
SSF是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
了Silicon Storage Technology ，Inc.的2000硅存储技术公司的SST徽标和超快闪的注册商标
304-3 6/00
1
1兆位页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
芯片被取消，只待机功耗。
OE＃为输出控制，并从用于门数据
的输出引脚。数据总线处于高阻抗状态
当CE＃或OE ＃为高电平。指的是读周期
时序图进一步的细节（图3） 。
写
本页面写入到SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010
应始终使用JEDEC标准软件数据
保护（ SDP）的3字节的命令序列。该
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010包含可选
JEDEC核准的软件数据保护方案。
SST建议的SDP总是被使能，由此，所述
写操作的描述将使用给出
SDP启用格式。
这三个字节的SDP启用和
SDP写命令是相同的;因此，任何
时间SDP写命令发出后，软件数据
保护是自动保证。
第一次
三字节的SDP命令被给出，该器件变成
SDP启用。随后发行的相同的COM的
命令会跳过该页面作为数据保护
写的。在所希望的页，写结束时，整个
设备仍然受保护。有关更多说明，
请参见“正确使用的应用说明
JEDEC标准软件数据保护“和”亲
tecting防止意外使用写入时单
在这本书的数据电源闪存记忆“ 。
的写操作包括三个步骤。步骤1是
软件数据保护3字节装入序列。
步骤2是字节负载周期的页缓冲器
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010 。步骤1和步骤2使用
相同的时序进行这两种操作。步骤3是IN-
ternally控制的写周期写入装入的数据
在页面缓冲器到用于非易失性存储器阵列
存储。在双方的SDP 3字节装入序列
和字节负载周期中，地址由锁存
任CE ＃或WE ＃下降沿，最后的为准。
该数据是通过在CE＃的上升沿被锁存或
WE＃ ，以先到为准。内部写周期
通过T启动
BLCO
经过我们的上升沿定时器＃
或CE ＃ ，以先到为准。写周期，一旦
启动，将继续完成，典型地在5毫秒内。
参见图4和图5为WE＃和CE ＃控制的页面 -
写周期的时序图和图14和图16
流程图。
写操作有三个功能循环：在
软件数据保护负载序列，页面加载速度
周期，并且内部写周期。该软件数据
保护由一个特定的3字节装入SE-的
quence ，允许写入到所选择的页，并将
离开SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010受到保护
的页，写的末尾。页面加载周期由
的加载数据的1到128个字节到页缓冲器。该
内部写周期由T形
BLCO
超时和
写定时器操作。在写操作中，只
有效的读操作是数据＃查询和翻转位。
页面 - 写操作允许多达128的装载
数据的字节数进SST29EE010的页缓冲器/
内部开始前29LE010 / 29VE010
写周期。在内部写周期中，所有的数据
页缓冲器被同时写入到存储器
数组。因此， SST29EE010的页面写入功能/
29LE010 / 29VE010允许写入整个存储器
在低至5秒。在内部写周期，
主机可以自由地执行其他任务，如对
取系统中的设置在其他位置进行数据的
写入到下一个页面。在每一页写操作，所有
被加载到页缓冲器中的字节必须具有
在同一个页面的地址，即
7
至A
16
。任何字节不
装入用户数据将被写入到FF 。
看到该页面 - 写周期时序图4和图5
图。如果完成了三字节的SDP的后
负荷序列或初始字节负载周期，主机
加载一个字节级中的第二字节到页缓冲器
负载循环时间（T
BLC
） 100微秒时， SST29EE010 /
29LE010 / 29VE010会留在页面加载的周期。
附加的字节，然后装入连续。该
如果没有额外的字节是页面载入周期将被终止
载入中200微秒的页面缓冲（T
BLCO
）从
最后一个字节负载循环，也就是说，没有后续WE＃或CE ＃
之后WE＃或最后上升沿高向低转换
CE＃ 。在页缓冲器中的数据可以由一个被改变
随后的字节负载循环。可以在页面加载阶段
无限期地继续下去，只要主机继续
为100μs的字节装载周期的时间内加载设备。
页面被加载是由页地址确定
的最后一个字节的加载。
软件芯片擦除
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供芯片级
擦除操作，其允许用户同时
清除整个存储器阵列的“1”状态。这是
有用的时候，整个装置必须迅速删除。
通过使用启动软件芯片擦除操作
具体为6个字节装入序列。装载序列后，
该器件进入内部定时的周期相似，
写周期。在擦除操作，唯一有效的
读是触发位。见表4装载序列，
图9为时序图，和图18的液流 -
图。
2000硅存储技术公司
2
304-3 6/00
1兆位页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
写操作状态检测
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供了两种软
器装置，用于检测在完成一个写周期，在
命令对系统进行优化的写周期时间。该
软件检测包含两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写检测结束
模式后上升WE＃或CE ＃启用为准
先发生，启动内部写周期。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃
查询或翻转位的读可以是同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了
防止杂散抑制，如果错误的结果发生，
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010是在
内部写周期，任何尝试读取DQ
7
的最后的
字节中的字节负载循环加载将收到
配合真实的数据。一旦写周期
完成后， DQ
7
将显示真实数据。该装置是再
准备下一次操作。参见图6的数据＃
轮询的时序图和图15为一个流程图。
切换位（ DQ
6
)
在内部写周期，任何连续尝试
阅读DQ
6
将产生交替的0和1的，即
0和1之间切换时，在写入周期是
完成后，触发将停止。该装置是再
准备下一次操作。参见图7为切换位
时序图和图15的流程图。最初的
读出的翻转位的，通常是一个“1”。
数据保护
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010同时提供
硬件和软件功能来保护非易失
从意外写入数据。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于
5纳秒不会启动写周期。
V
CC
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
CC
小于2.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止inad-
在上电或掉电vertent写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供
JEDEC批准的可选软件数据保护
方案所有数据修改操作，即写入和
芯片擦除。有了这个计划，任何写操作重
张塌塌米内纳入了一系列的三个字节装入操作
系统蒸发散到前面的数据装入操作。三
字节序列载荷用于启动写周期，
提供防止意外写操作的最佳保护
系统蒸发散，例如，在系统上电或断电。
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010是随
软件数据保护禁用。
软件保护方案可以通过启用
施加一个3字节的序列的设备，在一
页面加载周期（图4和5）。该设备将随后
被自动设置到数据保护模式。任何
随后的写操作都需要在前面
三字节序列。请参阅表4的具体软
器指令代码和图4和图5为时序
图。要设置设备进入未受保护的模式，
一个6字节的序列是必需的。请参阅表4为
具体的代码和图8的时序图。如果一个
写时试图SDP启用该设备将
在非访问状态 300微秒。 SST建议
软件数据保护始终启用。见图
16的流程图。
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010软件数据
保护是一个全球性的命令，保护
（或解除）对整个存储器阵列中的所有页面
一旦启用（或禁用） 。因此，使用SDP的
单页，写使SDP整个阵列。
单页本身不能被启用SDP或
禁用。
1
2
3
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6
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1兆位页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
单电源供电，可重编程非易失性memo-
里斯可能会无意中改变。 SST强烈recom-
门兹的软件数据保护（ SDP ）总是
启用。该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010应
使用SDP的命令序列进行编程。 SST
建议SDP禁用命令序列不
发给之前写入的设备。
请参阅位于下面的应用手册
本数据手册的使用背面的详细信息
SDP ：
防止无意识使用时
单电源闪存产品
正确使用JEDEC标准软件数据
保护
多个制造商在同一个插座上。有关详细信息，
见表3硬件操作或表4为
软件的操作，图10为软件ID条目
和读取的ID输入时序图和图17
命令序列流程图。制造商和
设备码是相同的两个操作。
产品标识模式退出
T
ABLE
1: P
RODUCT
I
DENTIFICATION
T
ABLE
制造商ID
SST29EE010设备ID
SST29LE010设备ID
SST29VE010设备ID
字节
0000 H
0001 H
0001 H
0001 H
数据
BF
07 H
08 H
08 H
304 PGM T1.2
产品标识
产品标识方式将设备识别为
在SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010和制造商
为SST。该模式可以通过硬件访问或
软件操作。对硬件的操作通常是
所使用的编程，以确定正确的算法
为SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010 。用户可以
要使用该软件产品标识操作
识别部（即使用该设备码），当使用
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。退出是
通过发出软件ID退出来完成（重置）
操作时，它返回到设备的读操作。
复位操作也可以用于重置
设备到读模式无意中经过短暂
条件下，显然会导致器件工作
异常，如不正确读出。见表4
软件命令代码，图11为时序波形
表格和图17为一个流程图。
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
作者IAGRAM
SST29EE010/29LE010/29VE010
X解码器
1,048,576位
EEPROM
电池阵列
A16 - A0
地址缓冲器&门锁
Y型解码器和页锁存器
CE＃
OE ＃
WE＃
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
DQ7 - DQ0
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1兆位页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE＃
VCC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
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4
5
6
7
8
9
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11
12
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16
标准引脚
顶视图
死亡最多
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
304 ILL F01.1
1
2
3
4
5
F
IGURE
1: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
TSOP
WE＃
VCC
A12
A15
A16
NC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
VSS
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
32-Pin
6
PDIP
7
8
顶视图
9
10
11
12
13
14
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32
31
30
29
28
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25
24
23
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18
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VCC
WE＃
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
NC
6
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
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10
11
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1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
7
8
9
304 ILL F02.0
32引脚PLCC
顶视图
21
14 15 16 17 18 19 20
10
11
12
13
14
15
16
F
IGURE
2: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
P
LASTIC
DIP
S和
32-
领导
PLCC
S
T
ABLE
2: P
IN
D
ESCRIPTION
符号
引脚名称
A
16
-A
7
行地址输入
A
6
-A
0
DQ
7
-DQ
0
列地址
输入
数据输入/输出
功能
提供的内存地址。行地址定义页面的
写周期。
列地址被切换到页面加载数据。
要在读周期输出数据和接收过程中写入的输入数据
周期。数据在写周期期间内部锁存。的输出是在
三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE＃为低。
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作
提供5伏电源（ ±10％）为SST29EE010 ， 3伏的电源
（ 3.0-3.6V ）为SST29LE010和2.7伏的电源（ 2.7-3.6V ），用于所述
SST29VE010
未连接引脚。
304 PGM T2.0
CE＃
OE ＃
WE＃
VCC
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
VSS
NC
地
无连接
2000硅存储技术公司
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304-3 6/00
1兆位（ 128K ×8 ）页面模式的EEPROM
SST29EE010 ， SST29LE010 ， SST29VE010
数据表
产品特点：
单电压读写操作
- 5.0V -只为29EE010
- 3.0V -只为29LE010
- 2.7V -只为29VE010
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
- 工作电流：20 mA（典型值）的5V和
10毫安（典型值）为3.0 / 2.7V
- 待机电流： 10 μA （典型值）
快速页写操作
- 每个页， 1024页128字节
- 页面 - 写周期： 5毫秒（典型值）
- 完整的存储器重写： 5秒（典型值）
- 有效字节写周期时间： 39微秒
（典型值）
快速读取访问时间
- 5.0V的管理： 90和120纳秒
- 3.0V的管理： 150和200纳秒
- 2.7V的管理： 200和250纳秒
锁存地址和数据
自动写时序
- 内部V
pp
GENERATION
写检测结束
- 触发位
- 数据＃投票
硬件和软件数据保护
TTL I / O兼容性
JEDEC标准字节宽度EEPROM引脚排列
封装
- 32引脚TSOP （ 8x20 & 8x14毫米）
- 32引脚PLCC
- 32引脚塑料DIP
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7
产品说明
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010是128K ×8 CMOS
页面模式的EEPROM制造与SST的propri-
etary ，高性能CMOS SuperFlash技术。
分裂栅单元设计和厚氧化物隧道
喷油器实现更高的可靠性和可制造性
与其他方法相比。该29EE010 /
29LE010 / 29VE010写了单电源供电。
内部的擦除/编程是对用户透明的。该
29EE010 / 29LE010 / 29VE010符合JEDEC标
准引脚为字节宽的回忆。
拥有高性能的页写的29EE010 /
29LE010 / 29VE010提供的一种典型的字节写入时间
39微秒。整个存储器，即128K字节，可以是
当使用少至5秒后，由页写入页
接口功能，如翻转位或数据＃查询到
表明在完成一个写周期。为了保护
防止误写入，在29EE010 / 29LE010 /
29VE010具有片上硬件和软件数据
保护方案。设计，制造，以及
测试一个广泛的应用范围，在29EE010 /
29LE010 / 29VE010提供有保证的页面级
写了10耐力
4
或10
3
周期。数据保存
额定功率大于100年。
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010适合于应用
需要的方便和经济的升级系统蒸发散
程序，配置或数据存储器。对于所有系统
应用中， 29EE010 / 29LE010 / 29VE010显
着地提高性能和可靠性，同时低级
荷兰国际集团的功耗，当与软盘相比
或EPROM方法。该29EE010 / 29LE010 /
29VE010提高，同时降低成本的灵活性
程序，数据和配置存储应用。
为了满足高密度的表面安装的要求，
29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供32引脚
TSOP和32引脚PLCC封装。 A 600密耳， 32针
PDIP封装也可以。请参阅图1和图2为
引脚排列。
设备操作
在SST页模式EEPROM提供电路中的电
写能力。该29EE010 / 29LE010 / 29VE010呢
不需要单独的擦除和编程操作。该
内部定时写周期执行两个擦除和
程序对用户透明。该29EE010 /
29LE010 / 29VE010有行业标准可选
软件数据保护，其中SST建议AL-
被激活的方法。该29EE010 / 29LE010 / 29VE010
符合行业标准的EEPROM的引脚兼容
和功能。
读
的读操作29EE010 / 29LE010 /
29VE010均通过CE ＃和OE ＃控制，两者都要
是低的系统，以获得从所述输出数据。
CE＃用于器件选择。当CE＃为高电平时，
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硅存储技术1998硅存储技术公司的SST徽标和超快闪的注册商标。规格若有变更，恕不另行通知。
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1
1兆位页模式EEPROM
SST29EE010 ， SST29LE010 ， SST29VE010
芯片被取消，只待机功耗。
OE＃为输出控制，并从用于门数据
的输出引脚。数据总线处于高阻抗状态
当CE＃或OE ＃为高电平。指的是读周期
时序图进一步的细节（图3） 。
写
页写的SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010
应始终使用JEDEC标准软件数据
保护（ SDP）的3字节的命令序列。该
29EE010 / 29LE010 / 29VE010包含可选
JEDEC核准的软件数据保护方案。
SST建议的SDP总是被使能，由此，所述
写操作的描述将使用给出
SDP启用格式。
3字节SDP启用和SDP
写命令是相同的;因此，任何时候
发出SDP写命令，软件的数据保护
化自动保证。
第一次的3个字节的
给出的SDP命令，该设备变为SDP烯
体健。随后发出同一命令的
绕过被写入页面的数据保护。
在所希望的页的写入结束时，整个装置
仍然受到保护。有关更多说明，请
见“的正确使用JEDEC的应用笔记
标准软件数据保护“和”保护
对无意识使用单电源时
在这本书的数据供应闪光的记忆“ 。
的写操作包括三个步骤。步骤1是
软件数据保护3字节装入序列。
步骤2是字节负载周期的页缓冲器
29EE010 / 29LE010 / 29VE010 。步骤1和步骤2使用
同一时刻的两个操作。步骤3是内部
控制的写周期写入在加载的数据
页面缓存到非易失性stor-存储器阵列
年龄。在双方的SDP 3字节装入序列和
字节负载周期中，地址由下落锁存
边缘CE＃或WE＃ ，最后为准。该
数据是通过CE＃或WE ＃的上升沿锁存，
以先到为准。内部写周期开始
通过T
BLCO
之后WE＃或CE ＃的上升沿定时器，
以先到为准。写周期，一旦启动，将
在5毫秒内继续完成，典型地。参见图 -
URES 4和5 WE＃和CE ＃控制的页面写周期
时序图和图14和图16为流程图。
写操作有三个功能循环：在
软件数据保护负载序列，页面加载速度
周期，并且内部写周期。该软件数据
保护由一个特定的3个字节负载SE-
quence ，允许写入到所选择的页，并将
离开29EE010 / 29LE010 / 29VE010在受保护
页写的结尾。页面加载周期由
加载数据的1到128个字节到页缓冲器。该
内部写周期由T形
BLCO
超时和
写定时器操作。在写操作中，只
有效的读操作是数据＃查询和翻转位。
页面 - 写操作允许多达128的装载
数据的字节数进29EE010的页缓冲器/
内部开始前29LE010 / 29VE010
写周期。在内部写周期中，所有的数据
页缓冲器被同时写入到存储器
数组。因此，对29EE010页写的功能/
29LE010 / 29VE010允许写入整个存储器
在低至5秒。在内部写周期，
主机可以自由地执行其他任务，如对
取系统中的设置在其他位置进行数据的
写入到下一个页面。在每一页写操作，所有
被加载到页缓冲器中的字节必须具有
在同一个页面的地址，即
7
至A
16
。任何字节不
装入用户数据将被写入到FF 。
看到该页面 - 写周期时序图4和图5
图。如果完成了3字节的SDP负载的后
序或初始字节负载周期，主机加载
内的字节负载周期第二字节到页缓冲器
时间（t
BLC
） 100微秒时， 29EE010 / 29LE010 / 29VE010
会留在页面加载的周期。额外的字节，然后
连续加载。页面加载周期会termi-
如果没有额外的字节装入页缓冲器经过NAT
在200微秒（T
BLCO
）从最后的字节装载周期，即
高到低转换后没有后续WE＃或CE ＃
WE＃或CE ＃的最后一个上升沿。在页数据
缓冲器可以通过随后的字节负载周期而改变。
页面加载时间可无限期地继续下去，只要
作为宿主继续到字节级内加载装置
100μs的负载周期。要加载的页面是
通过加载的最后一个字节的页地址来确定。
软件芯片擦除
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供了全片擦除
操作，从而使用户可以同时清楚
整个存储器阵列的“1”状态。这是非常有用的
当整个装置必须迅速删除。
通过使用启动软件芯片擦除操作
具体的6字节装入序列。负载SE-后
quence ，该器件进入内部定时的周期
类似于写周期。在擦除操作，
唯一有效的阅读是触发位。请参阅表4为负载
序列，图9为时序图，图18为
的流程图。
1998硅存储技术公司
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304-04 12/97
1兆位页模式EEPROM
SST29EE010 ， SST29LE010 ， SST29VE010
写操作状态检测
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供了两种软件
装置，以检测在完成一个写周期，为了
优化系统写周期时间。软件
检测包括两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
)
和切换位（ DQ
6
） 。写检测模式到底是
之后WE＃或CE ＃上涨为准启用
首先，启动内部写周期。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃
查询或翻转位的读可以是同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了
防止杂散抑制，如果错误的结果发生，
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
数据＃投票（ DQ
7
)
当29EE010 / 29LE010 / 29VE010是在间
纳尔写周期，任何尝试读取DQ
7
的最后一个字节的
在字节载入周期将接收到的COM加载
二进制补码的真实数据。一旦写周期的COM
pleted ， DQ
7
将显示真实数据。该设备就准备好
为下一次操作。参见图6数据＃投票
时序图和图15的流程图。
切换位（ DQ
6
)
在内部写周期，任何连续尝试
阅读DQ
6
将产生交替的0和1的，即
0和1之间切换时，在写入周期是
完成后，触发将停止。该装置是再
准备下一次操作。参见图7为切换位
时序图和图15的流程图。最初的
读出的翻转位的，通常是一个“1”。
数据保护
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010同时提供硬件
洁具及软件功能保护的非易失性数据
意外写操作。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于
5纳秒不会启动写周期。
V
CC
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
CC
小于2.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止inad-
在上电或掉电vertent写道。
软件数据保护（ SDP ）
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供JEDEC
经批准的可选软件的数据保护方案
所有数据修改操作，即写和芯片擦除。
有了这个计划，任何写操作需要包容
的一系列的三个字节装入操作传送给前面
数据装入操作。这三个字节负载SE-
quence用于启动写周期，从而提供
防止意外写操作的最佳保护，
例如，在系统上电或断电。该
29EE010 / 29LE010 / 29VE010附带的软
洁具数据保护禁用。
软件保护方案可以通过启用
施加一个3字节的序列的设备，在一
页面加载周期（图4和5）。该设备将随后
被自动设置到数据保护模式。任何
随后的写操作都需要在前面
三字节序列。请参阅表4的具体软
器指令代码和图4和图5为时序
图。要设置设备进入未受保护的模式，
一个6字节的序列是必需的。请参阅表4为
具体的代码和图8的时序图。如果一个
写时试图SDP启用该设备将
在非访问状态 300微秒。 SST建议
软件数据保护始终启用。见图
16的流程图。
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010软件数据亲
tection是一个全球性的命令，保护（或解除）
对整个存储器阵列中的所有页面一旦启用（或
禁用）。因此，使用SDP的单页写
将使SDP为整个阵列。单页由
自己不能SDP启用或禁用。
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
1998硅存储技术公司
3
304-04 12/97
1兆位页模式EEPROM
SST29EE010 ， SST29LE010 ， SST29VE010
单电源供电，可重新编程的非易失性
记忆可能会无意中改变。 SST强烈
推荐软件数据保护（ SDP ） AL-
的方式被激活。该29EE010 / 29LE010 / 29VE010
应使用SDP命令进行编程SE-
quence 。 SST建议SDP禁用命令
顺序不能发出之前写的装置。
请参阅位于下面的应用手册
本数据手册的使用背面的详细信息
SDP ：
防止无意识使用时
单电源闪存产品
正确使用JEDEC标准软件数据
保护
产品标识模式退出
为了返回到标准读取模式下，软
洁具产品标识模式必须退出。退出
通过发出软件ID退出来完成（重置）
操作时，它返回到设备的读操作。
复位操作也可以用于重置
设备到读模式无意中经过短暂
条件下，显然会导致器件工作
异常，如不正确读出。见表4
软件命令代码，图11为时序波形
表格和图17为一个流程图。
多个制造商在同一个插座上。有关详细信息，
见表3硬件操作或表4为
软件的操作，图10为软件ID条目
和读取的ID输入时序图和图17
命令序列流程图。制造商和
设备码是相同的两个操作。
T
ABLE
1: P
RODUCT
I
DENTIFICATION
T
ABLE
字节
制造商代码
0000 H
29EE010器件代码
0001 H
29LE010器件代码
0001 H
29VE010器件代码
0001 H
数据
BF
07 H
08 H
08 H
304 PGM T1.1
产品标识
产品标识方式将设备识别为
在29EE010 / 29LE010 / 29VE010和制造商为
SST 。该模式可以通过硬件访问或
软件操作。对硬件的操作通常是
所使用的编程，以确定正确的算法
为29EE010 / 29LE010 / 29VE010 。用户可能希望
使用该软件产品标识操作iDEN的
tify的部分（即使用的设备代码）时使用
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
作者IAGRAM
SST 29EE010 / 29LE010 / 29VE010
X解码器
1,048,576位
EEPROM
电池阵列
A
16
- A
0
地址缓冲器&门锁
Y型解码器和页锁存器
CE＃
OE ＃
WE＃
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
DQ
7
- DQ
0
304 MSW B1.0
1998硅存储技术公司
4
304-04 12/97
1兆位页模式EEPROM
SST29EE010 ， SST29LE010 ， SST29VE010
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE＃
VCC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
标准引脚
顶视图
死亡最多
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
304 MSW F01.1
1
2
3
4
5
F
IGURE
1: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
TSOP P
ACKAGES
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
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3
4
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32
31
30
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28
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26
25
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE＃
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ1
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
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8
9
10
11
12
13
4
A12
A15
A16
NC
WE＃
VCC
NC
6
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
3
2
1
32 31 30
29
28
27
26
7
8
9
304 MSW F02.1
32引脚PDIP
顶视图
24
32引脚PLCC
顶视图
25
24
23
22
21
14 15 16
17 18 19
20
DQ2
VSS
DQ4
DQ6
DQ3
DQ5
10
11
12
13
14
15
16
F
IGURE
2: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
P
LASTIC
DIP
S和
32-
领导
PLCC
S
T
ABLE
2: P
IN
D
ESCRIPTION
符号
引脚名称
A
16
-A
7
行地址输入
A
6
-A
0
DQ
7
-DQ
0
列地址
输入
数据输入/输出
功能
提供的内存地址。行地址定义页面的
写周期。
列地址被切换到页面加载数据。
要在读周期输出数据和接收过程中写入的输入数据
周期。数据在写周期期间内部锁存。的输出是在
三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE＃为低。
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作
提供5伏电源（ ±10％）为29EE010 ， 3伏电源（ 3.0-3.6V ）
为29LE010和2.7伏的电源（ 2.7-3.6V ）为29VE010
未连接引脚。
304 PGM T2.0
CE＃
OE ＃
WE＃
VCC
VSS
NC
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
无连接
1998硅存储技术公司
5
304-04 12/97
QQ：2880707522 复制
