1兆位（ 128K ×8 ）页面模式的EEPROM
SST29EE010 ， SST29LE010 ， SST29VE010
数据表
产品特点：
单电压读写操作
- 5.0V -只为29EE010
- 3.0V -只为29LE010
- 2.7V -只为29VE010
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
- 工作电流：20 mA（典型值）的5V和
10毫安（典型值）为3.0 / 2.7V
- 待机电流： 10 μA （典型值）
快速页写操作
- 每个页， 1024页128字节
- 页面 - 写周期： 5毫秒（典型值）
- 完整的存储器重写： 5秒（典型值）
- 有效字节写周期时间： 39微秒
（典型值）
快速读取访问时间
- 5.0V的管理： 90和120纳秒
- 3.0V的管理： 150和200纳秒
- 2.7V的管理： 200和250纳秒
锁存地址和数据
自动写时序
- 内部V
pp
GENERATION
写检测结束
- 触发位
- 数据＃投票
硬件和软件数据保护
TTL I / O兼容性
JEDEC标准字节宽度EEPROM引脚排列
封装
- 32引脚TSOP （ 8x20 & 8x14毫米）
- 32引脚PLCC
- 32引脚塑料DIP
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产品说明
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010是128K ×8 CMOS
页面模式的EEPROM制造与SST的propri-
etary ，高性能CMOS SuperFlash技术。
分裂栅单元设计和厚氧化物隧道
喷油器实现更高的可靠性和可制造性
与其他方法相比。该29EE010 /
29LE010 / 29VE010写了单电源供电。
内部的擦除/编程是对用户透明的。该
29EE010 / 29LE010 / 29VE010符合JEDEC标
准引脚为字节宽的回忆。
拥有高性能的页写的29EE010 /
29LE010 / 29VE010提供的一种典型的字节写入时间
39微秒。整个存储器，即128K字节，可以是
当使用少至5秒后，由页写入页
接口功能，如翻转位或数据＃查询到
表明在完成一个写周期。为了保护
防止误写入，在29EE010 / 29LE010 /
29VE010具有片上硬件和软件数据
保护方案。设计，制造，以及
测试一个广泛的应用范围，在29EE010 /
29LE010 / 29VE010提供有保证的页面级
写了10耐力
4
或10
3
周期。数据保存
额定功率大于100年。
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010适合于应用
需要的方便和经济的升级系统蒸发散
程序，配置或数据存储器。对于所有系统
应用中， 29EE010 / 29LE010 / 29VE010显
着地提高性能和可靠性，同时低级
荷兰国际集团的功耗，当与软盘相比
或EPROM方法。该29EE010 / 29LE010 /
29VE010提高，同时降低成本的灵活性
程序，数据和配置存储应用。
为了满足高密度的表面安装的要求，
29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供32引脚
TSOP和32引脚PLCC封装。 A 600密耳， 32针
PDIP封装也可以。请参阅图1和图2为
引脚排列。
设备操作
在SST页模式EEPROM提供电路中的电
写能力。该29EE010 / 29LE010 / 29VE010呢
不需要单独的擦除和编程操作。该
内部定时写周期执行两个擦除和
程序对用户透明。该29EE010 /
29LE010 / 29VE010有行业标准可选
软件数据保护，其中SST建议AL-
被激活的方法。该29EE010 / 29LE010 / 29VE010
符合行业标准的EEPROM的引脚兼容
和功能。
读
的读操作29EE010 / 29LE010 /
29VE010均通过CE ＃和OE ＃控制，两者都要
是低的系统，以获得从所述输出数据。
CE＃用于器件选择。当CE＃为高电平时，
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硅存储技术1998硅存储技术公司的SST徽标和超快闪的注册商标。规格若有变更，恕不另行通知。
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1兆位页模式EEPROM
SST29EE010 ， SST29LE010 ， SST29VE010
芯片被取消，只待机功耗。
OE＃为输出控制，并从用于门数据
的输出引脚。数据总线处于高阻抗状态
当CE＃或OE ＃为高电平。指的是读周期
时序图进一步的细节（图3） 。
写
页写的SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010
应始终使用JEDEC标准软件数据
保护（ SDP）的3字节的命令序列。该
29EE010 / 29LE010 / 29VE010包含可选
JEDEC核准的软件数据保护方案。
SST建议的SDP总是被使能，由此，所述
写操作的描述将使用给出
SDP启用格式。
3字节SDP启用和SDP
写命令是相同的;因此，任何时候
发出SDP写命令，软件的数据保护
化自动保证。
第一次的3个字节的
给出的SDP命令，该设备变为SDP烯
体健。随后发出同一命令的
绕过被写入页面的数据保护。
在所希望的页的写入结束时，整个装置
仍然受到保护。有关更多说明，请
见“的正确使用JEDEC的应用笔记
标准软件数据保护“和”保护
对无意识使用单电源时
在这本书的数据供应闪光的记忆“ 。
的写操作包括三个步骤。步骤1是
软件数据保护3字节装入序列。
步骤2是字节负载周期的页缓冲器
29EE010 / 29LE010 / 29VE010 。步骤1和步骤2使用
同一时刻的两个操作。步骤3是内部
控制的写周期写入在加载的数据
页面缓存到非易失性stor-存储器阵列
年龄。在双方的SDP 3字节装入序列和
字节负载周期中，地址由下落锁存
边缘CE＃或WE＃ ，最后为准。该
数据是通过CE＃或WE ＃的上升沿锁存，
以先到为准。内部写周期开始
通过T
BLCO
之后WE＃或CE ＃的上升沿定时器，
以先到为准。写周期，一旦启动，将
在5毫秒内继续完成，典型地。参见图 -
URES 4和5 WE＃和CE ＃控制的页面写周期
时序图和图14和图16为流程图。
写操作有三个功能循环：在
软件数据保护负载序列，页面加载速度
周期，并且内部写周期。该软件数据
保护由一个特定的3个字节负载SE-
quence ，允许写入到所选择的页，并将
离开29EE010 / 29LE010 / 29VE010在受保护
页写的结尾。页面加载周期由
加载数据的1到128个字节到页缓冲器。该
内部写周期由T形
BLCO
超时和
写定时器操作。在写操作中，只
有效的读操作是数据＃查询和翻转位。
页面 - 写操作允许多达128的装载
数据的字节数进29EE010的页缓冲器/
内部开始前29LE010 / 29VE010
写周期。在内部写周期中，所有的数据
页缓冲器被同时写入到存储器
数组。因此，对29EE010页写的功能/
29LE010 / 29VE010允许写入整个存储器
在低至5秒。在内部写周期，
主机可以自由地执行其他任务，如对
取系统中的设置在其他位置进行数据的
写入到下一个页面。在每一页写操作，所有
被加载到页缓冲器中的字节必须具有
在同一个页面的地址，即
7
至A
16
。任何字节不
装入用户数据将被写入到FF 。
看到该页面 - 写周期时序图4和图5
图。如果完成了3字节的SDP负载的后
序或初始字节负载周期，主机加载
内的字节负载周期第二字节到页缓冲器
时间（t
BLC
） 100微秒时， 29EE010 / 29LE010 / 29VE010
会留在页面加载的周期。额外的字节，然后
连续加载。页面加载周期会termi-
如果没有额外的字节装入页缓冲器经过NAT
在200微秒（T
BLCO
）从最后的字节装载周期，即
高到低转换后没有后续WE＃或CE ＃
WE＃或CE ＃的最后一个上升沿。在页数据
缓冲器可以通过随后的字节负载周期而改变。
页面加载时间可无限期地继续下去，只要
作为宿主继续到字节级内加载装置
100μs的负载周期。要加载的页面是
通过加载的最后一个字节的页地址来确定。
软件芯片擦除
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供了全片擦除
操作，从而使用户可以同时清楚
整个存储器阵列的“1”状态。这是非常有用的
当整个装置必须迅速删除。
通过使用启动软件芯片擦除操作
具体的6字节装入序列。负载SE-后
quence ，该器件进入内部定时的周期
类似于写周期。在擦除操作，
唯一有效的阅读是触发位。请参阅表4为负载
序列，图9为时序图，图18为
的流程图。
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1兆位页模式EEPROM
SST29EE010 ， SST29LE010 ， SST29VE010
写操作状态检测
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供了两种软件
装置，以检测在完成一个写周期，为了
优化系统写周期时间。软件
检测包括两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
)
和切换位（ DQ
6
） 。写检测模式到底是
之后WE＃或CE ＃上涨为准启用
首先，启动内部写周期。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃
查询或翻转位的读可以是同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了
防止杂散抑制，如果错误的结果发生，
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
数据＃投票（ DQ
7
)
当29EE010 / 29LE010 / 29VE010是在间
纳尔写周期，任何尝试读取DQ
7
的最后一个字节的
在字节载入周期将接收到的COM加载
二进制补码的真实数据。一旦写周期的COM
pleted ， DQ
7
将显示真实数据。该设备就准备好
为下一次操作。参见图6数据＃投票
时序图和图15的流程图。
切换位（ DQ
6
)
在内部写周期，任何连续尝试
阅读DQ
6
将产生交替的0和1的，即
0和1之间切换时，在写入周期是
完成后，触发将停止。该装置是再
准备下一次操作。参见图7为切换位
时序图和图15的流程图。最初的
读出的翻转位的，通常是一个“1”。
数据保护
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010同时提供硬件
洁具及软件功能保护的非易失性数据
意外写操作。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于
5纳秒不会启动写周期。
V
CC
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
CC
小于2.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止inad-
在上电或掉电vertent写道。
软件数据保护（ SDP ）
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供JEDEC
经批准的可选软件的数据保护方案
所有数据修改操作，即写和芯片擦除。
有了这个计划，任何写操作需要包容
的一系列的三个字节装入操作传送给前面
数据装入操作。这三个字节负载SE-
quence用于启动写周期，从而提供
防止意外写操作的最佳保护，
例如，在系统上电或断电。该
29EE010 / 29LE010 / 29VE010附带的软
洁具数据保护禁用。
软件保护方案可以通过启用
施加一个3字节的序列的设备，在一
页面加载周期（图4和5）。该设备将随后
被自动设置到数据保护模式。任何
随后的写操作都需要在前面
三字节序列。请参阅表4的具体软
器指令代码和图4和图5为时序
图。要设置设备进入未受保护的模式，
一个6字节的序列是必需的。请参阅表4为
具体的代码和图8的时序图。如果一个
写时试图SDP启用该设备将
在非访问状态 300微秒。 SST建议
软件数据保护始终启用。见图
16的流程图。
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010软件数据亲
tection是一个全球性的命令，保护（或解除）
对整个存储器阵列中的所有页面一旦启用（或
禁用）。因此，使用SDP的单页写
将使SDP为整个阵列。单页由
自己不能SDP启用或禁用。
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1兆位页模式EEPROM
SST29EE010 ， SST29LE010 ， SST29VE010
单电源供电，可重新编程的非易失性
记忆可能会无意中改变。 SST强烈
推荐软件数据保护（ SDP ） AL-
的方式被激活。该29EE010 / 29LE010 / 29VE010
应使用SDP命令进行编程SE-
quence 。 SST建议SDP禁用命令
顺序不能发出之前写的装置。
请参阅位于下面的应用手册
本数据手册的使用背面的详细信息
SDP ：
防止无意识使用时
单电源闪存产品
正确使用JEDEC标准软件数据
保护
产品标识模式退出
为了返回到标准读取模式下，软
洁具产品标识模式必须退出。退出
通过发出软件ID退出来完成（重置）
操作时，它返回到设备的读操作。
复位操作也可以用于重置
设备到读模式无意中经过短暂
条件下，显然会导致器件工作
异常，如不正确读出。见表4
软件命令代码，图11为时序波形
表格和图17为一个流程图。
多个制造商在同一个插座上。有关详细信息，
见表3硬件操作或表4为
软件的操作，图10为软件ID条目
和读取的ID输入时序图和图17
命令序列流程图。制造商和
设备码是相同的两个操作。
T
ABLE
1: P
RODUCT
I
DENTIFICATION
T
ABLE
字节
制造商代码
0000 H
29EE010器件代码
0001 H
29LE010器件代码
0001 H
29VE010器件代码
0001 H
数据
BF
07 H
08 H
08 H
304 PGM T1.1
产品标识
产品标识方式将设备识别为
在29EE010 / 29LE010 / 29VE010和制造商为
SST 。该模式可以通过硬件访问或
软件操作。对硬件的操作通常是
所使用的编程，以确定正确的算法
为29EE010 / 29LE010 / 29VE010 。用户可能希望
使用该软件产品标识操作iDEN的
tify的部分（即使用的设备代码）时使用
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
作者IAGRAM
SST 29EE010 / 29LE010 / 29VE010
X解码器
1,048,576位
EEPROM
电池阵列
A
16
- A
0
地址缓冲器&门锁
Y型解码器和页锁存器
CE＃
OE ＃
WE＃
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
DQ
7
- DQ
0
304 MSW B1.0
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1兆位页模式EEPROM
SST29EE010 ， SST29LE010 ， SST29VE010
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A13
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NC
WE＃
VCC
NC
A16
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A4
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标准引脚
顶视图
死亡最多
32
31
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29
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OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
304 MSW F01.1
1
2
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F
IGURE
1: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
TSOP P
ACKAGES
NC
A16
A15
A12
A7
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A5
A4
A3
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VCC
WE＃
NC
A14
A13
A8
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A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
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DQ4
DQ3
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A15
A16
NC
WE＃
VCC
NC
6
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A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
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32 31 30
29
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27
26
7
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9
304 MSW F02.1
32引脚PDIP
顶视图
24
32引脚PLCC
顶视图
25
24
23
22
21
14 15 16
17 18 19
20
DQ2
VSS
DQ4
DQ6
DQ3
DQ5
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14
15
16
F
IGURE
2: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
P
LASTIC
DIP
S和
32-
领导
PLCC
S
T
ABLE
2: P
IN
D
ESCRIPTION
符号
引脚名称
A
16
-A
7
行地址输入
A
6
-A
0
DQ
7
-DQ
0
列地址
输入
数据输入/输出
功能
提供的内存地址。行地址定义页面的
写周期。
列地址被切换到页面加载数据。
要在读周期输出数据和接收过程中写入的输入数据
周期。数据在写周期期间内部锁存。的输出是在
三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE＃为低。
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作
提供5伏电源（ ±10％）为29EE010 ， 3伏电源（ 3.0-3.6V ）
为29LE010和2.7伏的电源（ 2.7-3.6V ）为29VE010
未连接引脚。
304 PGM T2.0
CE＃
OE ＃
WE＃
VCC
VSS
NC
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
无连接
1998硅存储技术公司
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304-04 12/97
QQ：800888908 复制
